可用于銀鎳合金、銀銅合金以及純銀的蝕刻，蝕刻后板面平整光滑。劑對(duì)油墨沒有影響，可用于花紋蝕刻處理。三、使用方法：1、原液使用，不須加水，操作溫度可以是25℃-60℃，溫度越高，速度越快。2、將銀板浸泡在銀蝕刻劑中。用軟毛刷來回輕輕刷動(dòng)，使藥水與銀充分均勻反應(yīng)；或者也可以用搖床，使藥水來回動(dòng)運(yùn)，使板蝕刻速度加快。但不能超聲波，以免破壞（感光）油墨。參考數(shù)據(jù)：50℃→5分鐘→0.1毫米深度。30℃→20分鐘→0.1毫米深度。3、水洗后做后續(xù)處理。高效蝕刻液，讓您的生產(chǎn)更順暢，品質(zhì)更出眾。廣州京東方用的蝕刻液蝕刻液供應(yīng)商

    可以維持合適的蝕刻速度且提高sin/sio2選擇比。(b)硅烷系偶聯(lián)劑本發(fā)明的蝕刻液組合物中所包含的上述硅烷(silane)系偶聯(lián)劑作為防蝕劑可以在防止包含氧化物膜和氮化物膜的膜中的氧化物膜被上述磷酸氧化時(shí)使用。上述硅烷系偶聯(lián)劑推薦使上述硅烷系偶聯(lián)劑的反應(yīng)位點(diǎn)(activesite)的數(shù)量除以上述硅烷系偶聯(lián)劑的水解(hydrolysis)了的形態(tài)的分子量之后乘以，更推薦滿足。上述硅烷系偶聯(lián)劑推薦按照蝕刻液組合物的蝕刻程度(etchingamount，e/a)滿足以上以下的范圍的濃度來添加。上述硅烷系偶聯(lián)劑推薦為選自由原硅酸四乙酯(tetraethylorthosilicate)、雙(三乙氧基甲硅烷基)甲烷(bis(triethoxysilyl)methane)、雙(三乙氧基甲硅烷基)乙烷(bis(triethoxysilyl)ethane)、(三乙氧基甲硅烷基)甲醇((triethoxysilyl)methanol)和(三乙氧基甲硅烷基)甲烷((triethoxysilyl)methane)組成的組中的一種以上，更推薦為選自由雙(三乙氧基甲硅烷基)甲烷、(三乙氧基甲硅烷基)甲醇和(三乙氧基甲硅烷基)甲烷組成的組中的一種以上，**推薦為(三乙氧基甲硅烷基)甲烷和/或(三乙氧基甲硅烷基)甲醇。相對(duì)于組合物總重量，上述硅烷系偶聯(lián)劑的含量為～10重量％，推薦為～％。江蘇銅蝕刻液蝕刻液推薦貨源「博洋化學(xué)」蝕刻劑廠家,質(zhì)優(yōu)價(jià)實(shí),行業(yè)靠譜!

    所述硫醚系化合物推薦為選自由甲硫氨酸、乙硫氨酸及3-(甲硫基)丙酸所組成的群組中的至少一種。本發(fā)明的蝕刻液推薦進(jìn)一步含有α-羥基羧酸和/或其鹽。所述α-羥基羧酸推薦為選自由酒石酸、蘋果酸、檸檬酸、乳酸及甘油酸所組成的群組中的至少一種。推薦為，所述酸的濃度為20重量％至70重量％，所述有機(jī)硫化合物的濃度為％至10重量％。另外，所述α-羥基羧酸和/或其鹽的濃度推薦為％至5重量％。另外，本發(fā)明涉及一種使用所述蝕刻液在銅的存在下選擇性地蝕刻鈦的蝕刻方法。發(fā)明的效果本發(fā)明的蝕刻液可在銅的存在下選擇性地蝕刻鈦。另外，本發(fā)明的蝕刻液實(shí)質(zhì)上不含氫氟酸及過氧化氫，因此毒性低，保存穩(wěn)定性優(yōu)異。具體實(shí)施方式本發(fā)明的蝕刻液為含有選自由硫酸、鹽酸及三氯乙酸所組成的群組中的至少一種酸與選自由硫酮系化合物及硫醚系化合物所組成的群組中的至少一種有機(jī)硫化合物的水溶液。所述酸中，從蝕刻速度的穩(wěn)定性及酸的低揮發(fā)性的觀點(diǎn)來看，推薦為硫酸。酸的濃度并無特別限制，推薦為20重量％至70重量％，更推薦為30重量％至60重量％。在酸的濃度小于20重量％的情況下，有無法獲得充分的鈦蝕刻速度的傾向，在超過70重量％的情況下，有蝕刻液的安全性成問題的傾向。

    提高反應(yīng)體系的穩(wěn)定性。當(dāng)體系中加入過氧化氫后有助于提高過氧化氫的穩(wěn)定性，避免由于過氧化氫分解而引發(fā)的，提高生產(chǎn)的安全性。具體實(shí)施方式下面結(jié)合實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步描述。以下實(shí)施例用于更加清楚地說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而不能以此來限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。一種酸性銅蝕刻液的生產(chǎn)工藝，所述工藝包括以下步驟：第一步：將純水進(jìn)行低溫處理，使純水溫度≤10℃在純水罐中備用；純水罐中設(shè)有通過電路控制的電磁閥，當(dāng)純水溫度高于10℃時(shí)，電磁閥無法打開。第二步：配制和準(zhǔn)備原料，將亞氨基二乙酸、氫氟酸和乙醇酸分別投入對(duì)應(yīng)的原料罐中，經(jīng)過過濾器循環(huán)過濾，備用；將hno3、四甲基氫氧化銨、h2o2分別投入對(duì)應(yīng)的原料罐，備用。亞氨基二乙酸、氫氟酸和乙醇酸需要稀釋后使用，hno3、四甲基氫氧化銨、h2o2無需調(diào)配可直接用于制備蝕刻液。第三步：根據(jù)混酸配制表算出各個(gè)原料的添加量，按照純水→亞氨基二乙酸→氫氟酸→hno3→四甲基氫氧化銨→乙醇酸的順序依次將原料加入調(diào)配罐，將上述混料充分?jǐn)嚢瑁瑪嚢钑r(shí)間為3～5h。第四步：在第三步的混料中再添加h2o2，繼續(xù)攪拌混勻，攪拌時(shí)間為3～5h，用磁力泵將混合液通過過濾器循環(huán)過濾。好的蝕刻液的標(biāo)準(zhǔn)是什么。

一種ito蝕刻液及其制備方法、應(yīng)用方法技術(shù)領(lǐng)域1.本技術(shù)涉及化學(xué)蝕刻技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種ito蝕刻液及其制備方法、應(yīng)用方法。背景技術(shù)：2.目前，電子器件的基板表面(例如顯示器件的陣列基板)通常帶有一定圖案的氧化銦錫(ito)膜，以便后續(xù)給電子器件可控通電。該ito膜通常通過化學(xué)蝕刻的方法蝕刻ito材料層形成。其中，對(duì)于多晶ito(p-ito)材料，所用蝕刻液主要包括硫酸系、王水系ito蝕刻液。王水系蝕刻液成本低，但其蝕刻速度快，蝕刻的角度難以控制，且容易對(duì)ito膜的下層金屬造成二次腐蝕。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：3.有鑒于此，為克服目前存在的技術(shù)難題，本技術(shù)提供了一種ito蝕刻液及其制備方法、應(yīng)用方法。4.具體地，本技術(shù)首先方面提供了一種ito蝕刻液，所述ito蝕刻液包括以下重量份數(shù)的各組分：20-22份的鹽酸，6-7份的硝酸，0.5-3份的酸抑制劑，0.5-3份的表面活性劑，以及水；其中，所述酸抑制劑包括n,n-二異丙基乙胺、n,n-二異丙基乙醇胺中的至少一種；所述表面活性劑包括聚氧乙烯脂肪胺、聚氧乙烯脂肪二胺中的至少一種。5.通過對(duì)蝕刻液中硝酸及鹽酸的含量進(jìn)行精確限定，以實(shí)現(xiàn)了對(duì)王水系蝕刻液蝕刻速度的初步調(diào)控，并在一定程度上實(shí)現(xiàn)了對(duì)蝕刻角度的控制(蝕刻角度小于35蝕刻液的發(fā)展趨勢(shì)如何。江化微的蝕刻液蝕刻液費(fèi)用

剝離液是用于光刻膠剝離用的化學(xué)品。廣州京東方用的蝕刻液蝕刻液供應(yīng)商

    伸縮桿12下端固定安裝有圓環(huán)塊13，圓環(huán)塊13與噴頭10之間固定連接有連接桿14，分隔板2與承載板3相互垂直設(shè)置，電解池4內(nèi)部底端的傾斜角度設(shè)計(jì)為5°，進(jìn)液管8的形狀設(shè)計(jì)為l型，且進(jìn)液管8貫穿分隔板2設(shè)置在進(jìn)液漏斗6與伸縮管9之間，圓環(huán)塊13通過伸縮桿12活動(dòng)安裝在噴頭10上方，且噴頭10通過伸縮管9活動(dòng)安裝在電解池4上方，通過設(shè)置有伸縮管9與伸縮桿12，能夠在蝕刻液通過進(jìn)液管8流入到電解池4中時(shí)，啟動(dòng)液壓缸11帶動(dòng)伸縮桿12向上移動(dòng)，從而通過圓環(huán)塊13配合伸縮管9帶動(dòng)噴頭10向上移動(dòng)，進(jìn)而將蝕刻液緩慢的由噴頭10噴入到電解池4中，避免蝕刻液對(duì)電解池4造成沖擊而影響其使用壽命，具有保護(hù)電解池4的功能；分隔板2右端表面靠近上端固定安裝有增壓泵16，增壓泵16下端與電解池4之間連接有回流管15，增壓泵16上端與進(jìn)液管8之間連接有一號(hào)排液管17，回流管15內(nèi)部左端設(shè)置有一號(hào)電磁閥18，回流管15與進(jìn)水管27的形狀均設(shè)計(jì)為l型，通過在增壓泵16下端設(shè)置有回流管15，能夠在蝕刻液電解后，啟動(dòng)增壓泵16并打開一號(hào)電磁閥18，將蝕刻液通過回流管15抽入到一號(hào)排液管17中，并由進(jìn)液管8導(dǎo)入到伸縮管9中，直至蝕刻液由噴頭10重新噴到電解池4中。廣州京東方用的蝕刻液蝕刻液供應(yīng)商