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上海江化微的蝕刻液剝離液訂做價(jià)格

來源: 發(fā)布時(shí)間:2023-05-24

    本申請(qǐng)實(shí)施例還提供一種剝離液機(jī)臺(tái)的工作方法,請(qǐng)參閱圖5,圖5為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的剝離液機(jī)臺(tái)的工作方法的流程示意圖,該方法包括:步驟110、將多級(jí)腔室順序排列,按照處于剝離制程的剝離基板的傳送方向逐級(jí)向剝離基板提供剝離液;步驟120、將來自于當(dāng)前級(jí)腔室經(jīng)歷剝離制程的剝離液收集和存儲(chǔ)于當(dāng)前級(jí)腔室相應(yīng)的存儲(chǔ)箱中,所述剝離液中夾雜有薄膜碎屑;步驟130、使用當(dāng)前級(jí)腔室相應(yīng)的過濾器過濾來自當(dāng)前級(jí)腔室的剝離液并將過濾后的剝離液傳輸至下一級(jí)腔室;步驟140、若所述過濾器被所述薄膜碎屑阻塞,則關(guān)閉連接被阻塞的所述過濾器的管道上的閥門開關(guān);步驟150、取出被阻塞的所述過濾器。若過濾器包括多個(gè)并列排布的子過濾器,則可以關(guān)閉被阻塞的子過濾器的閥門,因此,步驟140還可以包括:若所述過濾器包括多個(gè)并列排布的子過濾器,則關(guān)閉連接被阻塞的所述子過濾器的管道上的閥門開關(guān)。在上述實(shí)施例中,對(duì)各個(gè)實(shí)施例的描述都各有側(cè)重,某個(gè)實(shí)施例中沒有詳述的部分,可以參見其他實(shí)施例的相關(guān)描述。以上對(duì)本申請(qǐng)實(shí)施例進(jìn)行了詳細(xì)介紹,本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本申請(qǐng)的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述,以上實(shí)施例的說明只是用于幫助理解本申請(qǐng)的技術(shù)方案及其**思想。剝離液的發(fā)展趨勢(shì)如何。上海江化微的蝕刻液剝離液訂做價(jià)格

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微電子化學(xué)品***適用于先進(jìn)半導(dǎo)體封裝測(cè)試、TFT、FPD平板顯示、LED、晶體硅太陽能、PCB行業(yè)。類別品名英文名等級(jí)ELMOSUP溶劑類甲醇Methanol■  甲苯Toluene■  無水乙醇Ethanol■■  ■ 異丙醇IPA■■■**Acetone■■■N-甲基吡咯烷酮1-Methyl-2-pyrrolidinone■  ■ ■丙二醇甲醚PGME■  ■ ■丙二醇甲醚醋酸酯PGMEA■  ■ ■酸堿類硫酸Sulfuric Acid■■■鹽酸Hydrochloric Acid■■ 硝酸Nitric Acid■■■氫氟酸Hydrofluoric Acid■■■磷酸Phosphoric Acid■■ 冰乙酸Acetic Acid,Glacial■■■過氧化氫Hydrogen Peroxide■■■氟化銨Ammonium Fluoride■■■氨水Ammonium Hydroxide■■■氫氧化鉀Potassium Hydroxide Liquid■  氫氧化鈉Sodium Hydroxide Liquid■  功能化學(xué)品銅蝕刻液Copper Etchant■  鋁蝕刻液Aluminum Etchants■  BOE蝕刻液Amnonium Fluoride Etchants■■■ITO蝕刻液ITO Etchant■  IGZO蝕刻液IGZO  Etchant■  光刻膠剝離液(有機(jī)) Photoresist Stripper (Solvent)■  光刻膠剝離液(水系)Photoresist Stripper (Aqueous) ■  玻璃減薄液Glass Thinning Liquid■  玻璃清洗液Glass cleaning solution■  光刻膠顯影液Photoresist Developer■■■玻璃切削液Glass cutting fluid■  化學(xué)研磨液Chemical grinding fluid■  上海江化微的蝕刻液剝離液訂做價(jià)格剝離液的的性價(jià)比、質(zhì)量哪家比較好?

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    實(shí)施例1~6:按照表1配方將二甲基亞砜、一乙醇胺、四甲基氫氧化銨、硫脲類緩蝕劑、聚氧乙烯醚類非離子型表面活性劑、n-甲基吡咯烷酮和去離子水混合,得到用于疊層晶圓的光刻膠剝離液。表1:注:含量中不滿100wt%的部分由去離子水補(bǔ)足余量。以cna披露的光刻膠剝離液作為對(duì)照例,與實(shí)施例1~6所得用于疊層晶圓的光刻膠剝離液進(jìn)行比較試驗(yàn),對(duì)面積均為300cm2的疊層晶圓上的光刻膠進(jìn)行剝離并分別測(cè)定剝離周期、金屬鍍層的腐蝕率和過片量(剝離的面壁數(shù)量)。對(duì)比情況見表2:表2:剝離周期/s金屬腐蝕率/ppm過片量/片實(shí)施例1130~15015376實(shí)施例2130~15016583實(shí)施例3130~15017279實(shí)施例4130~15015675實(shí)施例5130~15016372實(shí)施例6130~15017681對(duì)照例180~20022664由表2可知,本用于疊層晶圓的光刻膠剝離液通過加入硫脲類緩蝕劑和聚氧乙烯醚類非離子型表面活性劑,使剝離效率有明顯的提升,對(duì)金屬腐蝕率降低20%以上,而且讓過片量提高10%以上。以上所述的*是本發(fā)明的一些實(shí)施方式。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,在不脫離本發(fā)明創(chuàng)造構(gòu)思的前提下,還可以做出若干變形和改進(jìn),這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。

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隨著國內(nèi)電子制造產(chǎn)業(yè)和光電產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展,光刻膠剝離液等電子化學(xué)品的使用量也大為増加。特別是縱觀近幾年度的光電行業(yè),風(fēng)靡全球的智能手持設(shè)備、移動(dòng)終端等簡(jiǎn)直成為了光電行業(yè)的風(fēng)向標(biāo):與之相關(guān)的光電領(lǐng)域得到了飛速的發(fā)展,鏡頭模組、濾光片、LTPS液晶顯示面板、觸摸屏幕、傳感器件等等。而光電行業(yè)的其他領(lǐng)域,雖然也有增長(zhǎng),但是遠(yuǎn)不及與智能手持設(shè)備相關(guān)的光電領(lǐng)域。工業(yè)上所使用的剝離液主要是有機(jī)胺和極性有機(jī)溶劑的組合物,通過溶脹和溶解方式剝離除去光刻膠。上述有機(jī)胺可包括單乙醇胺(MEA),二甲基乙酰胺(DMAC), N-甲基甲酰胺(NMF),N-甲基ニ乙醇胺(MDEA)等。上述極性有機(jī)溶劑可包括二乙二醇甲醚(DGME),二乙二醇單丁醚(BDG),二甲亞砜(DMS0),羥乙基哌嗪(NEP)等。由于LCD液晶屏具有體積小、質(zhì)量輕、清晰度高、圖像色彩好等優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于工業(yè)生產(chǎn)中,按目前使用的液晶電視、電腦顯示屏等生命周期為6-8年計(jì)算,未來隨著年代的更替,LCD的生產(chǎn)量液將會(huì)增加,從而導(dǎo)致剝離液的使用量也大量增加,剝離液大量使用的同時(shí)也產(chǎn)生大量剝離液廢液。剝離液廢液中除了含有少量高分子樹脂和光敏劑外,龍騰光電用的哪家的剝離液?杭州銅鈦蝕刻液剝離液供應(yīng)

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    本發(fā)明涉及剝離液技術(shù)領(lǐng)域:,更具體的說是涉及一種光刻膠剝離液再生方法。背景技術(shù)::電子行業(yè)飛速發(fā)展,光刻膠應(yīng)用也越來越***。在半導(dǎo)體元器件制造過程中,經(jīng)過涂敷-顯影-蝕刻過程,在底層金屬材料上蝕刻出所需線條之后,必須在除去殘余光刻膠的同時(shí)不能損傷任何基材,才能再進(jìn)行下道工序。因此,光刻膠的剝離質(zhì)量也有直接影響著產(chǎn)品的質(zhì)量。而隨著電子行業(yè)的發(fā)展以及高世代面板的面世,光刻膠剝離液的使用越來越多。剝離液廢液中含有光刻膠樹脂、水和某些金屬雜質(zhì),而剝離液廢液的處理主要是通過焚燒或者低水平回收,其大量的使用但不能夠有效地回收,對(duì)環(huán)境、資源等都造成了比較大的影響。有鑒于此,申請(qǐng)人研發(fā)出以下的對(duì)使用后的光刻膠剝離液回收及再生方法。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:本發(fā)明的目的是提供一種光刻膠剝離液再生方法。為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:本申請(qǐng)公開了一種高世代面板銅制程光刻膠剝離液,包括以下質(zhì)量組分:光刻膠剝離液再生方法,包括以下步驟:s1:回收剝離液新液使用后的剝離液廢液,將剝離液廢液經(jīng)過蒸餾、加壓工序,得出剝離液廢液的純化液體;純化液體中含有酰胺化合物、醇醚化合物以及胺化合物;s2:制備添加劑。上海江化微的蝕刻液剝離液訂做價(jià)格

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