光二極管?紅外發(fā)光二極管?紅外接收二極管?激光二極管6主要應(yīng)用?電子電路應(yīng)用?工業(yè)產(chǎn)品應(yīng)用二極管結(jié)構(gòu)組成編輯二極管就是由一個PN結(jié)加上相應(yīng)的電極引線及管殼封裝而成的。[4]采用不同的摻雜工藝，通過擴散作用，將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體（通常是硅或鍺）基片上，在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)。[4]由P區(qū)引出的電極稱為陽極，N區(qū)引出的電極稱為陰極。因為PN結(jié)的單向?qū)щ娦?，二極管導(dǎo)通時電流方向是由陽極通過管子內(nèi)部流向陰極。[4]各種二極管的符號二極管的電路符號如圖所示。二極管有兩個電極，由P區(qū)引出的電極是正極，又叫陽極；由N區(qū)引出的電極是負極，又叫陰極。三角箭頭方向表示正向電流的方向，二極管的文字符號用VD表示。[4]二極管工作原理編輯二極管的主要原理就是利用PN結(jié)的單向?qū)щ娦?，在PN結(jié)上加上引線和封裝就成了一個二極管。晶體二極管為一個由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體形成的PN結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層，并建有自建電場。當(dāng)不存在外加電壓時，由于PN結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。[5]當(dāng)外界有正向電壓偏置時。二極管在正向電壓作用下電阻很小，處于導(dǎo)通狀態(tài)，相當(dāng)于一只接通的開關(guān)。山東優(yōu)勢二極管模塊品牌

導(dǎo)通電壓UD約為。在二極管加有反向電壓，當(dāng)電壓值較小時，電流極小，其電流值為反向飽和電流IS。當(dāng)反向電壓超過某個值時，電流開始急劇增大，稱之為反向擊穿，稱此電壓為二極管的反向擊穿電壓，用符號UBR表示。不同型號的二極管的擊穿電壓UBR值差別很大，從幾十伏到幾千伏[4]。二極管正向特性外加正向電壓時，在正向特性的起始部分，正向電壓很小，不足以克服PN結(jié)內(nèi)電場的阻擋作用，正向電流幾乎為零，這一段稱為死區(qū)。這個不能使二極管導(dǎo)通的正向電壓稱為死區(qū)電壓。[4]當(dāng)正向電壓大于死區(qū)電壓以后，PN結(jié)內(nèi)電場被克服，二極管正向?qū)?，電流隨電壓增大而迅速上升。在正常使用的電流范圍內(nèi)，導(dǎo)通時二極管的端電壓幾乎維持不變，這個電壓稱為二極管的正向電壓。[4]當(dāng)二極管兩端的正向電壓超過一定數(shù)值，內(nèi)電場很快被削弱，特性電流迅速增長，二極管正向?qū)?。叫做門坎電壓或閾值電壓，硅管約為，鍺管約為。硅二極管的正向?qū)▔航导s為，鍺二極管的正向?qū)▔航导s為。[4]二極管反向特性外加反向電壓不超過一定范圍時，通過二極管的電流是少數(shù)載流子漂移運動所形成反向電流。由于反向電流很小，二極管處于截止狀態(tài)。這個反向電流又稱為反向飽和電流或漏電流。寧夏二極管模塊聯(lián)系人發(fā)光二極管是一種將電能直接轉(zhuǎn)換成光能的半導(dǎo)體固體顯示器件，簡稱LED(LightEmittingDiode)。

1N5399硅整流二極管1000V,,1N5400硅整流二極管50V,3A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=150A)1N5401硅整流二極管100V,3A,1N5402硅整流二極管200V,3A,1N5403硅整流二極管300V,3A,1N5404硅整流二極管400V,3A,1N5405硅整流二極管500V,3A,1N5406硅整流二極管600V,3A,1N5407硅整流二極管800V,3A,1N5408硅整流二極管1000V,3A,1S1553硅開關(guān)二極管70V,100mA,300mW,,1S1554硅開關(guān)二極管55V,100mA,300mW,,1S1555硅開關(guān)二極管35V,100mA,300mW,,1S2076硅開關(guān)二極管35V,150mA,250mW,8nS,3PF,450ma,Ir≤1uA,Vf≤,≤,1S2076A硅開關(guān)二極管70V,150mA,250mW,8nS,3PF,450ma,60V,Ir≤1uA,Vf≤,≤,1S2471硅開關(guān)二極管80V,Ir≤≤,≤2PF,1S2471B硅開關(guān)二極管90V,150mA,250mW,3nS,3PF,450ma,1S2471V硅開關(guān)二極管90V,130mA,300mW,4nS,2PF,400ma,1S2472硅開關(guān)二極管50V,Ir≤≤,≤2PF,1S2473硅開關(guān)二極管35V,Ir≤≤,≤3PF,1S2473H硅開關(guān)二極管40V,150mA,300mW,4nS,3PF,450ma,2AN1二極管5A,f=100KHz2CK100硅開關(guān)二極管40V,150mA,300mW,4nS,3PF,450ma,2CK101硅開關(guān)二極管70V,150mA,250mW,8nS,3PF,450ma,2CK102硅開關(guān)二極管35V,150mA,250mW,8nS,3PF,450ma,2CK103硅開關(guān)二極管20V,100mA,2PF,100ma,2CK104硅開關(guān)二極管35V。

外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當(dāng)外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無關(guān)的反向飽和電流。[5]當(dāng)外加的反向電壓高到一定程度時，PN結(jié)空間電荷層中的電場強度達到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過程，產(chǎn)生大量電子空穴對，產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現(xiàn)象。PN結(jié)的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。[5]二極管PN結(jié)形成原理P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體（一種完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體）摻入少量三價元素雜質(zhì)，如硼等。P型和N型半導(dǎo)體因硼原子只有三個價電子，它與周圍的硅原子形成共價鍵，因缺少一個電子，在晶體中便產(chǎn)生一個空位，當(dāng)相鄰共價鍵上的電子獲得能量時就有可能填補這個空位，使硼原子成了不能移動的負離子，而原來的硅原子的共價鍵則因缺少一個電子，形成了空穴，但整個半導(dǎo)體仍呈中性。這種P型半導(dǎo)體中以空穴導(dǎo)電為主，空穴為多數(shù)載流子，自由電子為少數(shù)載流子。[6]N型半導(dǎo)體形成的原理和P型原理相似。在本征半導(dǎo)體中摻入五價原子，如磷等。摻入后，它與硅原子形成共價鍵，產(chǎn)生了自由電子。在N型半導(dǎo)體中，電子為多數(shù)載流子。肖特基二極管A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負極利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性制成的金屬半導(dǎo)體器件。

從這種電路結(jié)構(gòu)可以得出一個判斷結(jié)果：C2和VD1這個支路的作用是通過該支路來改變與電容C1并聯(lián)后的總?cè)萘看笮?，這樣判斷的理由是：C2和VD1支路與C1上并聯(lián)后總電容量改變了，與L1構(gòu)成的LC并聯(lián)諧振電路其振蕩頻率改變了。所以，這是一個改變LC并聯(lián)諧振電路頻率的電路。關(guān)于二極管電子開關(guān)電路分析思路說明如下幾點：1）電路中，C2和VD1串聯(lián)，根據(jù)串聯(lián)電路特性可知，C2和VD1要么同時接入電路，要么同時斷開。如果只是需要C2并聯(lián)在C1上，可以直接將C2并聯(lián)在C1上，可是串入二極管VD1，說明VD1控制著C2的接入與斷開。2）根據(jù)二極管的導(dǎo)通與截止特性可知，當(dāng)需要C2接入電路時讓VD1導(dǎo)通，當(dāng)不需要C2接入電路時讓VD1截止，二極管的這種工作方式稱為開關(guān)方式，這樣的電路稱為二極管開關(guān)電路。3）二極管的導(dǎo)通與截止要有電壓控制，電路中VD1正極通過電阻R1、開關(guān)S1與直流電壓+V端相連，這一電壓就是二極管的控制電壓。4）電路中的開關(guān)S1用來控制工作電壓+V是否接入電路。根據(jù)S1開關(guān)電路更容易確認二極管VD1工作在開關(guān)狀態(tài)下，因為S1的開、關(guān)控制了二極管的導(dǎo)通與截止。如表9-42所示是二極管電子開關(guān)電路工作原理說明。表9-42二極管電子開關(guān)電路工作原理說明在上述兩種狀態(tài)下。二極管就是由一個PN結(jié)加上相應(yīng)的電極引線及管殼封裝而成的。安徽哪里有二極管模塊供應(yīng)商家

二極管是早誕生的半導(dǎo)體器件之一。山東優(yōu)勢二極管模塊品牌

二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。[4]一般硅管的反向電流比鍺管小得多，小功率硅管的反向飽和電流在nA數(shù)量級，小功率鍺管在μA數(shù)量級。溫度升高時，半導(dǎo)體受熱激發(fā)，少數(shù)載流子數(shù)目增加，反向飽和電流也隨之增加。[4]二極管擊穿特性外加反向電壓超過某一數(shù)值時，反向電流會突然增大，這種現(xiàn)象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時二極管失去單向?qū)щ娦?。如果二極管沒有因電擊穿而引起過熱，則單向?qū)щ娦圆灰欢〞婚L久破壞，在撤除外加電壓后，其性能仍可恢復(fù)，否則二極管就損壞了。因而使用時應(yīng)避免二極管外加的反向電壓過高。[5]反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區(qū)內(nèi)共價鍵結(jié)構(gòu)，使價電子脫離共價鍵束縛，產(chǎn)生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區(qū)寬度較寬，不容易產(chǎn)生齊納擊穿。[5]另一種擊穿為雪崩擊穿。當(dāng)反向電壓增加到較大數(shù)值時，外加電場使電子漂移速度加快，從而與共價鍵中的價電子相碰撞，把價電子撞出共價鍵，產(chǎn)生新的電子-空穴對。新產(chǎn)生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價電子。山東優(yōu)勢二極管模塊品牌