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來源: 發(fā)布時間:2024-12-24

可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductormodule)。早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件??煽毓枘K的優(yōu)點:體積小、重量輕、結構緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝;結構重復性好,裝置的機械設計可以簡化,價格比分立器件低等諸多優(yōu)點??煽毓枘K的分類可控硅模塊從X芯片上看,可以分為可控模塊和整流模塊兩大類,從具體的用途上區(qū)分,可以分為:普通晶閘管模塊(MTC\MTX)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊(MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊(也就是通常所說的電焊機模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊(MDS)、單相(三相)整流橋模塊(MDQ)、單相半控橋(三相全控橋)模塊(MTS)以及肖特基模塊等??煽毓韫ぷ髟砜煽毓枋强煽毓枵髟暮喎Q,是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件,通常由兩晶閘管反向連接而成.它的功用不只是整流,還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路,實現(xiàn)將直流電變成交流電的轉變,將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等。不管可控硅的外形如何,它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結構。湖南進口可控硅模塊廠家現(xiàn)貨

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其中第二、第三層為兩管交迭共用。當在陽極和陰極之間加上一個正向電壓Ea,又在控制極G和陰極C之間(相當BG1的基一射間)輸入一個正的觸發(fā)信號,BG1將產(chǎn)生基極電流Ib1,經(jīng)放大,BG1將有一個放大了β1倍的集電極電流IC1。因為BG1集電極與BG2基極相連,IC1又是BG2的基極電流Ib2。BG2又把比Ib2(Ib1)放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。如此循環(huán)放大,直到BG1、BG2完全導通。實際這一過程是“一觸即發(fā)”的過程,對可控硅來說,觸發(fā)信號加入控制極,可控硅立即導通。導通的時間主要決定于可控硅的性能??煽毓枰唤?jīng)觸發(fā)導通后,由于循環(huán)反饋的原因,流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1,而是經(jīng)過BG1、BG2放大后的電流(β1*β2*Ib1)這一電流遠大于Ib1,足以保持BG1的持續(xù)導通。此時觸發(fā)信號即使消失,可控硅仍保持導通狀態(tài)只有斷開電源Ea或降低Ea,使BG1、BG2中的集電極電流小于維持導通的小值時,可控硅方可關斷。當然,如果Ea極性反接,BG1、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止狀態(tài)。這時,即使輸入觸發(fā)信號,可控硅也不能工作。反過來,Ea接成正向,而觸動發(fā)信號是負的,可控硅也不能導通。另外,如果不加觸發(fā)信號,而正向陽極電壓大到超過一定值時。廣西進口可控硅模塊直銷價可控硅是P1N1P2N2四層三端結構元件,共有三個PN結。

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表針應向右偏并保持在十幾歐姆位置,如下圖所示,否則說明單向可控硅已損壞。三、檢測雙向可控硅雙向可控硅是一種交流型功率控制器件。雙向可控硅的3個引腳分別是控制極G,主電極T1和主電極T2,如下圖所示。由于雙向可控硅的兩個主電極是對稱的,因此使用中可以任意互換。檢測時,萬用表置于Rx1Ω檔,先用兩表筆測量雙向可控硅的控制極G與主電極T1之間的正、反向電阻,均應為較小阻值。如下圖所示。再用萬用表兩表筆測量雙向可控硅的控制極G與主電極T2之間的正、反向電阻,均應為無窮大,如下圖所示。四、檢測雙向可控硅的導通特性萬用表置于Rx1Ω檔,黑表筆接雙向可控硅主電極T1,紅表筆接主電極T2,表針指示應為無窮大,這是將控制極G與主電極T2短接一下,表針應向右偏轉并保持在十幾歐姆位置,如下圖所示。否則說明該雙向可控硅已壞。

在正弦交流電壓U2的正半周期間,如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug,VS仍然不能導通,只有在U2處于正半周,在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時,可控硅被觸發(fā)導通。畫出它的波形圖〔圖4(c)及(d)〕,可以看到,只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時,負載RL上才有電壓UL輸常見可控硅出(波形圖上陰影部分)。Ug到來得早,可控硅導通的時間就早;Ug到來得晚,可控硅導通的時間就晚。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時間,就可以調(diào)節(jié)負載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技術中,常把交流電的半個周期定為180°,稱為電角度。這樣,在U2的每個正半周,從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α;在每個正半周內(nèi)可控硅導通的電角度叫導通角θ。很明顯,α和θ都是用來表示可控硅在承受正向電壓的半個周期的導通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或?qū)ń铅?,改變負載上脈沖直流電壓的平均值UL,實現(xiàn)了可控整流。可控硅原理無觸點開關可控硅一個關鍵用途在于做為無觸點開關。在自動化設備中,用無觸點開關代替通用繼電器已被逐步應用。其明顯特點是無噪音,壽命長??煽毓柙懋a(chǎn)品特性編輯可控硅陽極A1與第二陽極A2間,無論所加電壓極性是正向還是反向。在性能上,可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?,而且還具有比硅整流元件。

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改變負載上脈沖直流電壓的平均值UL,實現(xiàn)了可控整流。1:小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控燈光系統(tǒng)。額定電流:IA小于2A。2:大;功率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路。像可調(diào)壓輸出直流電源等等。3:大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中;高頻熔煉爐等??煽毓梃b別編輯可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種,螺旋式的應用較多。可控硅有三個電極---陽極(A)陰極(C)和控制極(G)。它有管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結構,共有三個PN結??煽毓韬椭挥幸粋€PN結的硅整流二極度管在結構上迥然不同??煽毓璧乃膶咏Y構和控制極的引用,為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎。在應用可控硅時,只要在控制極加上很小的電流或電壓,就能控制很大的陽極電流或電壓。電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,50安培以上的可控硅叫大功率可控硅??煽毓桦妷簻y方法可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢?下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理。首先,可以把從陰極向上數(shù)的第1、二、三層看面是一只NPN型號晶體管,而二、三四層組成另一只PNP型晶體管。小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控燈光系統(tǒng)。額定電流:IA小于2A。四川可控硅模塊銷售

這種裝置的優(yōu)點是控制電路簡單,沒有反向耐壓問題,因此特別適合做交流無觸點開關使用。湖南進口可控硅模塊廠家現(xiàn)貨

可控硅,又叫晶閘管,可控硅相當于可以控制的二極管,當控制極加一定的電壓時,陰極和陽極就導通了。可控硅和其它半導體器件一樣,其有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點。它的出現(xiàn),使半導體技術從弱電領域進入了強電領域,成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運輸、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件。下面賢集網(wǎng)小編要具體為大家介紹一下可控硅的型號、特性、分類、使用規(guī)則、用途、主要參數(shù)、可控硅的不同幾個極的判別方法、雙向可控硅和單向可控硅的區(qū)別??煽毓璧男吞?、優(yōu)派克EUPECT系列可控硅、D系列二極管、DxS系列快速二極管;2、東芝TOSHIBASF系列可控硅、SG系列GTO;3、西門康SEMIKRONSKT系列可控硅,SKN、SKR系列二極管,SKNxF、SKRxF系列快速二極管;4、西碼WESTCODEN系列相控可控硅、R系列快速可控硅、SM系列快速二極管、SW系列普通二極管;5、美國IRST系列可控硅、SD系列二極管;6、意大利POSEICOAT系列相控可控硅;7、瑞士ABB5STP可控硅、5SDD二極管、5SGA系列GTO、5SDF快速二極管??煽毓璧奶匦?、額定通態(tài)平均電流IT在一定條件下,陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。2、正向阻斷峰值電壓VPF在控制極開路未加觸發(fā)信號。湖南進口可控硅模塊廠家現(xiàn)貨