用戶自備時(shí)按以下原則選?。?、軸流風(fēng)機(jī)的風(fēng)速應(yīng)大于6m/s;2、必須能保證模塊正常工作時(shí)散熱底板溫度不大于80℃;3、模塊負(fù)載較輕時(shí),可減小散熱器的大小或采用自然冷卻;4、采用自然方式冷卻時(shí)散熱器周圍的空氣能實(shí)現(xiàn)對(duì)流并適當(dāng)增大散熱器面積;5、所有緊固模塊的螺釘必須擰緊,壓線端子連接牢固,以減少次生熱量的產(chǎn)生,模塊底板和散熱器之間必須要涂敷一層導(dǎo)熱硅脂或墊上一片底板大小的導(dǎo)熱墊,以達(dá)到**佳散熱效果。8、模塊的安裝與維護(hù)(1)在模塊導(dǎo)熱底板表面與散熱器表面各均勻涂覆一層導(dǎo)熱硅脂,然后用四個(gè)螺釘把模塊固定于散熱器上,固定螺釘不要一次擰緊,幾個(gè)螺釘要依次固定,用力要均勻,反復(fù)幾次,直至牢固,使模塊底板與散熱器表面緊密接觸。(2)把散熱器和風(fēng)機(jī)按要求裝配好后,垂直固定于機(jī)箱合適位置。(3)用接線端頭環(huán)帶將銅線扎緊,**好浸錫,然后套上絕緣熱縮管,用熱風(fēng)加熱收縮。將接線端頭固定于模塊電極上,并保持良好的平面壓力接觸,嚴(yán)禁將電纜銅線直接壓接在模塊電極上。(4)為延長(zhǎng)產(chǎn)品使用壽命,建議每隔3-4個(gè)月維護(hù)一次,更換一次導(dǎo)熱硅脂,***表面灰塵,緊固各壓線螺釘。詳細(xì)內(nèi)容請(qǐng)登錄公司網(wǎng)站:或閱覽和下載。 IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)構(gòu)成的功率模塊。寧夏好的IGBT模塊
IOTIOT+關(guān)注IoT是InternetofThings的縮寫,字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(InternetofThings)又稱傳感網(wǎng),簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。海思海思+關(guān)注UHDUHD+關(guān)注UHD是”超高清“的意思UHD的應(yīng)用在電視機(jī)技術(shù)上**為普遍,目前已有不少?gòu)S商推出了UHD超高清電視。74ls7474ls74+關(guān)注74LS74是雙D觸發(fā)器。功能多,可作雙穩(wěn)態(tài)、寄存器、移位寄存器、振蕩器、單穩(wěn)態(tài)、分頻計(jì)數(shù)器等功能。本章詳細(xì)介紹了74ls112的功能及原理,74ls74引腳圖及功能表,74ls112的應(yīng)用等內(nèi)容。STC12C5A60S2STC12C5A60S2+關(guān)注在眾多的51系列單片機(jī)中,要算國(guó)內(nèi)STC公司的1T增強(qiáng)系列更具有競(jìng)爭(zhēng)力,因他不但和8051指令、管腳完全兼容,而且其片內(nèi)的具有大容量程序存儲(chǔ)器且是FLASH工藝的,如STC12C5A60S2單片機(jī)內(nèi)部就自帶高達(dá)60KFLASHROM,這種工藝的存儲(chǔ)器用戶可以用電的方式瞬間擦除、改寫。ProtuesProtues+關(guān)注Proteus軟件是英國(guó)LabCenterElectronics公司出版的EDA工具軟件(該軟件中國(guó)總代理為廣州風(fēng)標(biāo)電子技術(shù)有限公司)。它不*具有其它EDA工具軟件的仿真功能,還能仿真單片機(jī)及**器件。 寧夏好的IGBT模塊GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大。
3.輕松啟動(dòng)一臺(tái)3700W的水泵,水泵工作正常。4.測(cè)試了帶感性負(fù)載情況下的短路保護(hù),保護(hù)正常。5.母線電壓366V情況下,空載電流24MA,其中包括輔助電源部分13MA。6.效率:4400W輸出時(shí),效率。發(fā)點(diǎn)測(cè)試的圖這是空載的輸入電壓和輸出電壓這個(gè)是帶11根小太陽(yáng)的輸入電壓和輸出電壓和輸出電流,鉗流表的電流不太準(zhǔn)電感熱不熱你450V電解電容10KW要多放個(gè)電感風(fēng)冷的情況下滿載10KW溫度可以接受,不開風(fēng)扇電感只能在5KW以內(nèi)不熱,電感是用6平方的沙包線4個(gè)77110A疊在一起繞的電感。電容是小點(diǎn)現(xiàn)在是一個(gè)3300UF的再加一個(gè)就足夠了,我的母線是28塊100AH的電瓶串聯(lián)起來(lái)的這電路在關(guān)閉spwm的同時(shí)能關(guān)閉雙igbt下管,使4個(gè)igbt都處于關(guān)閉狀態(tài)**好不過(guò)的.不知道這個(gè)線路能不能這樣用這樣做不僅沒(méi)有作用,而且還會(huì)帶來(lái)負(fù)面影響,反相器輸出低電平時(shí)對(duì)地是導(dǎo)通的,會(huì)導(dǎo)致正常的驅(qū)動(dòng)問(wèn)題,此電路也沒(méi)有必要多此一舉。老師您好,我是一個(gè)初學(xué)者,想向您請(qǐng)教一下,igbt過(guò)流保護(hù)電路問(wèn)題,下圖為一個(gè)igbt驅(qū)動(dòng)芯片,1引腳用來(lái)檢測(cè)igbt是否過(guò)流,當(dāng)igbt的c端電壓高于7v時(shí),igbt就會(huì)關(guān)斷,我現(xiàn)在不明白的就是這個(gè)電路中Vcc加25v電壓,igbt不導(dǎo)通時(shí)測(cè)量c端電壓和驅(qū)動(dòng)芯片電源端的地時(shí),電壓27v左右。
下面分別介紹利用萬(wàn)用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發(fā)能力和關(guān)斷能力、估測(cè)關(guān)斷增益βoff的方法。1.判定GTO的電極將萬(wàn)用表?yè)苤罵×1檔,測(cè)量任意兩腳間的電阻,*當(dāng)黑表筆接G極,紅表筆接K極時(shí),電阻呈低阻值,對(duì)其它情況電阻值均為無(wú)窮大。由此可迅速判定G、K極,剩下的就是A極。2.檢查觸發(fā)能力如圖2(a)所示,首先將表Ⅰ的黑表筆接A極,紅表筆接K極,電阻為無(wú)窮大;然后用黑表筆尖也同時(shí)接觸G極,加上正向觸發(fā)信號(hào),表針向右偏轉(zhuǎn)到低阻值即表明GTO已經(jīng)導(dǎo)通;**后脫開G極,只要GTO維持通態(tài),就說(shuō)明被測(cè)管具有觸發(fā)能力。3.檢查關(guān)斷能力現(xiàn)采用雙表法檢查GTO的關(guān)斷能力,如圖2(b)所示,表Ⅰ的檔位及接法保持不變。將表Ⅱ撥于R×10檔,紅表筆接G極,黑表筆接K極,施以負(fù)向觸發(fā)信號(hào),如果表Ⅰ的指針向左擺到無(wú)窮大位置,證明GTO具有關(guān)斷能力。4.估測(cè)關(guān)斷增益βoff進(jìn)行到第3步時(shí),先不接入表Ⅱ,記下在GTO導(dǎo)通時(shí)表Ⅰ的正向偏轉(zhuǎn)格數(shù)n1;再接上表Ⅱ強(qiáng)迫GTO關(guān)斷,記下表Ⅱ的正向偏轉(zhuǎn)格數(shù)n2。**后根據(jù)讀取電流法按下式估算關(guān)斷增益:βoff=IATM/IGM≈IAT/IG=K1n1/K2n2式中K1—表Ⅰ在R×1檔的電流比例系數(shù);K2—表Ⅱ在R×10檔的電流比例系數(shù)。βoff≈10×n1/n2此式的優(yōu)點(diǎn)是。 其通斷狀態(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖(或負(fù)脈沖)可使其正向(或反向)導(dǎo)通。
逆導(dǎo)晶閘管的典型產(chǎn)品有美國(guó)無(wú)線電公司(RCA)生產(chǎn)的S3900MF,其外形見(jiàn)圖1(c)。它采用TO-220封裝,三個(gè)引出端分別是門極G、陽(yáng)極A、陰極K。S3900MF的主要參數(shù)如下:斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM:>750V通態(tài)平均電流IT(AV):5A**大通態(tài)電壓VT:3V(IT=30A)**大反向?qū)妷篤TR:<**大門極觸發(fā)電壓VGT:4V**大門極觸發(fā)電流IGT:40mA關(guān)斷時(shí)間toff:μs通態(tài)電壓臨界上升率du/dt:120V/μs通態(tài)浪涌電流ITSM:80A利用萬(wàn)用表和兆歐表可以檢查逆導(dǎo)晶閘管的好壞。測(cè)試內(nèi)容主要分三項(xiàng):1.檢查逆導(dǎo)性選擇萬(wàn)用表R×1檔,黑表筆接K極,紅表筆接A極(參見(jiàn)圖3(a)),電阻值應(yīng)為5~10Ω。若阻值為零,證明內(nèi)部二極管短路;電阻為無(wú)窮大,說(shuō)明二極管開路。2.測(cè)量正向直流轉(zhuǎn)折電壓V(BO)按照(b)圖接好電路,再按額定轉(zhuǎn)速搖兆歐表,使RCT正向擊穿,由直流電壓表上讀出V(BO)值。3.檢查觸發(fā)能力實(shí)例:使用500型萬(wàn)用表和ZC25-3型兆歐表測(cè)量一只S3900MF型逆導(dǎo)晶閘管。依次選擇R×1k、R×100、R×10和R×1檔測(cè)量A-K極間反向電阻,同時(shí)用讀取電壓法求出出內(nèi)部二極管的反向?qū)妷篤TR(實(shí)際是二極管正向電壓VF)。再用兆歐表和萬(wàn)用表500VDC檔測(cè)得V(BO)值。全部數(shù)據(jù)整理成表1。 同時(shí),開關(guān)損耗增大,使原件發(fā)熱加劇,因此,選用IGBT模塊時(shí)額定電流應(yīng)大于負(fù)載電流。青海優(yōu)勢(shì)IGBT模塊貨源充足
模塊電流規(guī)格的選取考慮到電網(wǎng)電壓的波動(dòng)和負(fù)載在起動(dòng)時(shí)一般都比其額定電流大幾倍。寧夏好的IGBT模塊
下面描述中的附圖**是本發(fā)明中記載的一些實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的一具體實(shí)施方式的平面示意圖。具體實(shí)施方式下面結(jié)合附圖所示的各實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明,但應(yīng)當(dāng)說(shuō)明的是,這些實(shí)施方式并非對(duì)本發(fā)明的限制,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員根據(jù)這些實(shí)施方式所作的功能、方法、或者結(jié)構(gòu)上的等效變換或替代,均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。如圖1所示,本發(fā)明的立式晶閘管模塊包括:外殼1、蓋板2、銅底板3、形成于所述蓋板2上的***接頭4、第二接頭5和第三接頭6、封裝于所述外殼1內(nèi)部的***晶閘管單元和第二晶閘管單元。其中,任一所述接頭均可與電力系統(tǒng)中一路電路相連接,并在晶閘管單元的控制下對(duì)所在電路進(jìn)行投切控制。所述***晶閘管單元包括:***壓塊7、***門極壓接式組件8、***導(dǎo)電片9、第二導(dǎo)電片10、瓷板11。其中,所述***壓塊7設(shè)置于所述***門極壓接式組件8上,并通過(guò)所述***門極壓接式組件8對(duì)所述***導(dǎo)電片9、第二導(dǎo)電片10、瓷板11施加壓合作用力,所述***導(dǎo)電片9、第二導(dǎo)電片10、瓷板11依次設(shè)置于所述銅底板3上。 寧夏好的IGBT模塊