[1]維持電流I：是指晶閘管維持導通所必需的**小電流，一般為幾十到幾百毫安。IH與結(jié)溫有關(guān)，結(jié)溫越高，則I越小。擎住電流I：是晶閘管剛從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)并移除觸發(fā)信號后，能維持導通所需的**小電流。對同一晶閘管來說，通常I約為I的2～4倍。[1]浪涌電流I：浪涌電流是指由于電路異常情況引起的使結(jié)溫超過額定結(jié)溫的不重復性**大正向過載電流。斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt：是指在額定結(jié)溫、門極開路的情況下，不能使晶閘管從斷態(tài)到通態(tài)轉(zhuǎn)換的外加電壓**大上升率。通態(tài)電流臨界上升率di/dt：指在規(guī)定條件下，晶閘管能承受的**大通態(tài)電流上升率。如果di/dt過大，在晶閘管剛開通時會有很大的電流集中在門極附近的小區(qū)域內(nèi)，從而造成局部過熱而使晶閘管損壞。[1]觸發(fā)技術(shù)晶閘管觸發(fā)電路的作用是產(chǎn)生符合要求的門極觸發(fā)脈沖，使得晶閘管在需要時正常開通。晶閘管觸發(fā)電路必須滿足以下幾點要求：①觸發(fā)脈沖的寬度應足夠?qū)捠沟镁чl管可靠導通；②觸發(fā)脈沖應有足夠的幅度，對一些溫度較低的場合，脈沖電流的幅度應增大為器件**大觸發(fā)電流的3～5倍，脈沖的陡度也需要增加，一般需達1～2A/μs；③所提供的觸發(fā)脈沖應不超過晶閘管門極的電壓、電流和功率定額。根據(jù)晶閘管的工作特性，常見的應用就是現(xiàn)場用的不間斷應急燈。北京國產(chǎn)晶閘管模塊哪家好

這對晶閘管是非常危險的。開關(guān)引起的沖擊電壓分為以下幾類：（1）AC電源被切斷過電壓而產(chǎn)生例如，交流以及開關(guān)的開閉、交流側(cè)熔斷器的熔斷等引起的過電壓，這些系統(tǒng)過電壓問題由于我國變壓器內(nèi)部繞組的分布進行電容、漏抗造成的諧振控制回路、電容分壓等使過電壓數(shù)值為正常值的2至10多倍。一般地，開閉運動速度越來越快過電壓能力越高，在空載情況下可以斷開回路設計將會有更高的過電壓。（2）直流側(cè)產(chǎn)生的過電壓如果截止電路的電感很大或者截止電路的電流值很大，就會產(chǎn)生較大的過電壓。這種情況經(jīng)常出現(xiàn)在切斷負荷、導通晶閘管開路或快速熔斷器熔斷時，引起電流突變。（3）換相沖擊電壓包括換相過電壓和換相振蕩過電壓。換相過電壓是由于晶閘管的電流降為0時器件內(nèi)部各結(jié)層殘存載流子復合所產(chǎn)生的，所以又叫載流子積蓄效應引起的過電壓。換相過電壓之后，出現(xiàn)換相振蕩過電壓，它是由于電感、電容形成共振產(chǎn)生的振蕩電壓，其值與換相結(jié)束后的反向電壓有關(guān)。反向電壓越高，換相振蕩過電壓也越大。針對形成過電壓的不同原因，可以采取不同的抑制方法，如減少過電壓源，并使過電壓幅值衰減；抑制過電壓能量上升的速率，延緩已產(chǎn)生能量的消散速度，增加其消散的途徑。浙江進口晶閘管模塊現(xiàn)價晶閘管按其關(guān)斷速度可分為普通晶閘管和高頻（快速）晶閘管。

人們在制造工藝和結(jié)構(gòu)上采取了一些改進措施，做出了能適應于高頻應用的晶閘管，我們將它稱為快速晶閘管。它具有以下幾個特點。一、關(guān)斷時間（toff）短導通的晶閘管，當切斷正向電流時。并不能馬上“關(guān)斷”，這時如立即加上正向電壓，它還會繼續(xù)導通。從切斷正向電流直到控制極恢復控制能力需要的時間，叫做關(guān)斷時間。用t0仟表示。晶閘管的關(guān)斷過程，實際上是儲存載流子的消失過程。為了加速這種消失過程，制造快速晶閘管時采用了摻金工藝，把金摻到硅中減少基區(qū)少數(shù)載流子的壽命。硅中摻金量越多，t0仟越小，但摻金量過多會影響元件的其它性能。二、導通速度快．能耐較高的電流上升率（dI/dt）控制極觸發(fā)導通的晶閘管?？偸窃诳拷刂茦O的陰極區(qū)域首先導通，然后逐漸向外擴展，直到整個面積導通。大面積的晶閘管需要50～100微秒以上才能***積導通。初始導通面積小時，必須限制初始電流的上升速度，否則將發(fā)生局部過熱現(xiàn)象，影響元件的性能，甚至燒壞。高頻工作時這種現(xiàn)象更為嚴重。為此，仿造了集成電路的方法，在晶閘管同一硅片上做出一個放大觸發(fā)信號用的小晶閘管?？刂茦O觸發(fā)小晶閘管后，小晶閘管的初始導通電流將橫向經(jīng)過硅片流向主晶閘管陰極，觸發(fā)主晶閘管。

下面分別介紹利用萬用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發(fā)能力和關(guān)斷能力、估測關(guān)斷增益βoff的方法。判定GTO的電極將萬用表撥至R×1檔，測量任意兩腳間的電阻，*當黑表筆接G極，紅表筆接K極時，電阻呈低阻值，對其它情況電阻值均為無窮大。由此可迅速判定G、K極，剩下的就是A極。（此處指的模擬表，電子式萬用表紅表筆與電池正極相連，模擬表紅表筆與電池負極相連）光控晶閘管晶閘管光控晶閘管（LightTriggeredThyristor——LTT），又稱光觸發(fā)晶閘管。國內(nèi)也稱GK型光開關(guān)管，是一種光敏器件。1．光控晶閘管的結(jié)構(gòu)通常晶閘管有三個電極：控制極G、陽極A和陰極K。而光控晶閘管由于其控制信號來自光的照射，沒有必要再引出控制極，所以只有兩個電極（陽極A和陰極K）。但它的結(jié)構(gòu)與普通可控硅一樣，是由四層PNPN器件構(gòu)成。從外形上看，光控晶閘管亦有受光窗口，還有兩條管腳和殼體，酷似光電二極管。2．光控晶閘管的工作原理當在光控晶閘管的陽極加上正向電壓，陰極加上負向電壓時，控晶閘管可以等效成的電路。可推算出下式：Ia=Il/[1-（a1+a2）]式中，Il為光電二極管的光電流；Ia為光控晶閘管陽極電流，即光控晶閘管的輸出電流；a1、a2分別為BGl、BG2的電流放大系數(shù)。由上式可知。晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作。

具有單向?qū)щ娞匦裕枠OA與門極之間有兩個反極性串聯(lián)的PN結(jié)。因此，通過用萬用表的R×100或R×1kQ檔測量普通晶閘管各引腳之間的電阻值，即能確定三個電極。具體方法是：將萬用表黑表筆任接晶閘管某一極，紅表筆依次去觸碰另外兩個電極。若測量結(jié)果有一次阻值為幾千歐姆(kΩ)，而另一次阻值為幾百歐姆(Ω)，則可判定黑表筆接的是門極G。在阻值為幾百歐姆的測量中，紅表筆接的是陰極K，而在阻值為幾千歐姆的那次測量中，紅表筆接的是陽極A，若兩次測出的阻值均很大，則說明黑表筆接的不是門極G，應用同樣方法改測其他電極，直到找出三個電極為止。也可以測任兩腳之間的正、反向電阻，若正、反向電阻均接近無窮大，則兩極即為陽極A和陰極K，而另一腳即為門極G。普通晶閘管也可以根據(jù)其封裝形式來判斷出各電極。螺栓形普通晶閘管的螺栓一端為陽極A，較細的引線端為門極G，較粗的引線端為陰極K。平板形普通晶閘管的引出線端為門極G，平面端為陽極A，另一端為陰極K。金屬殼封裝(T0—3)的普通晶閘管，其外殼為陽極A。塑封(T0—220)的普通晶閘管的中間引腳為陽極A，且多與自帶散熱片相連。晶閘管觸發(fā)能力檢測：對于小功率(工作電流為5A以下)的普通晶閘管，可用萬用表R×1檔測量。有的三個腿一般長，從左至右，依次是陰極、陽極和門極。廣西國產(chǎn)晶閘管模塊銷售

當晶閘管承受正向陽極電壓時，為使晶閘管導通，必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用。北京國產(chǎn)晶閘管模塊哪家好

晶閘管陽極與陰極間表現(xiàn)出很大的電阻，處于截止狀態(tài)(稱為正向阻斷狀態(tài))，簡稱斷態(tài)。當陽極電壓上升到某一數(shù)值時，晶閘管突然由阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)化為導通狀態(tài)，簡稱通態(tài)。陽極這時的電壓稱為斷態(tài)不重復峰值電壓(UDSM)，或稱正向轉(zhuǎn)折電壓(UBO)。導通后，元件中流過較大的電流，其值主要由限流電阻(使用時由負載)決定。在減小陽極電源電壓或增加負載電阻時，陽極電流隨之減小，當陽極電流小于維持電流IH時，晶閘管便從導通狀態(tài)轉(zhuǎn)化為阻斷狀態(tài)。由圖可看出，當晶閘管控制極流過正向電流Ig時，晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓降低，Ig越大，轉(zhuǎn)折電壓越小，當Ig足夠大時，晶閘管正向轉(zhuǎn)折電壓很小，一加上正向陽極電壓，晶閘管就導通。實際規(guī)定，當晶閘管元件陽極與陰極之間加上6V直流電壓時，能使元件導通的控制極**小電流(電壓)稱為觸發(fā)電流(電壓)。在晶閘管陽極與陰極間加上反向電壓時，開始晶閘管處于反向阻斷狀態(tài)，只有很小的反向漏電流流過。當反向電壓增大到某一數(shù)值時，反向漏電流急劇增大，這時，所對應的電壓稱為反向不重復峰值電壓(URSM)，或稱反向轉(zhuǎn)折(擊穿)電壓(UBR)?？梢?，晶閘管的反向伏安特性與二極管反向特性類似。晶閘管晶閘管的開通和關(guān)斷的動態(tài)過程的物理過程較為復雜。北京國產(chǎn)晶閘管模塊哪家好