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浙江優(yōu)勢(shì)IGBT模塊

來源: 發(fā)布時(shí)間:2024-11-02

    1使用扳手在電池端斷開蓄電池的負(fù)極電纜,一般來說,負(fù)極電纜是黑色的,并且連接的一端有“-”標(biāo)記,這也就保證了電力供應(yīng)將會(huì)被隔離。2定位調(diào)節(jié)器。往往是在頂部,或者是接近交流發(fā)電機(jī)的地方,并且形狀也是圓筒形。3從晶閘管模塊那里斷開連接的導(dǎo)線,一般的布線都是密封的預(yù)接線,并且通過織機(jī)將一端直接連接到交流發(fā)電機(jī),另一端連接到電池上的正極端子上,用扳手松開固定導(dǎo)線,用其他螺帽和導(dǎo)線代替。4找到固定晶閘管模塊放置的地方,用扳手將其擰松,并卸下,通常來說會(huì)有兩個(gè)螺栓,分別在調(diào)節(jié)器的兩側(cè),從發(fā)動(dòng)機(jī)艙拿出穩(wěn)壓器和電線。5在剛剛卸下的同一個(gè)地方定為晶閘管模塊,更換螺栓并將其擰緊,如果有不同規(guī)格的話,則要做出輕微的調(diào)整。6重新對(duì)交流發(fā)電機(jī)和電池連接電線,使用扳手更換蓄電池負(fù)極到電纜上電池的連線。 使用中當(dāng)IGBT模塊集電極電流增大時(shí),所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。浙江優(yōu)勢(shì)IGBT模塊

IGBT模塊

    智能功率模塊(IPM)是IntelligentPowerModule的縮寫,是一種先進(jìn)的功率開關(guān)器件,具有GTR(大功率晶體管)高電流密度、低飽和電壓和耐高壓優(yōu)點(diǎn),以及MOSFET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)高輸入阻抗、高開關(guān)頻率和低驅(qū)動(dòng)功率的優(yōu)點(diǎn)。而且IPM內(nèi)部集成了邏輯、控制、檢測(cè)和保護(hù)電路,使用起來方便,不*減小了系統(tǒng)的體積以及開發(fā)時(shí)間,也**增強(qiáng)了系統(tǒng)的可靠性,適應(yīng)了當(dāng)今功率器件的發(fā)展方向——模塊化、復(fù)合化和功率集成電路(PIC),在電力電子領(lǐng)域得到了越來越***的應(yīng)用。中文名智能功率模塊外文名IPM概念一種先進(jìn)的功率開關(guān)器件全稱IntelligentPowerModule目錄1IPM結(jié)構(gòu)2內(nèi)部功能機(jī)制3電路設(shè)計(jì)智能功率模塊IPM結(jié)構(gòu)編輯結(jié)構(gòu)概念I(lǐng)PM由高速、低功率的IGBT芯片和推薦的門級(jí)驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成,如圖1所示。其中,IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合,由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR,因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT)。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng),中大功率的IPM使用陶瓷絕緣。浙江優(yōu)勢(shì)IGBT模塊每個(gè)IGBT的額定電壓和電流分別為1.7kV和1.4kA。

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    1被廣泛應(yīng)用于工業(yè)行業(yè)中,對(duì)于一些專業(yè)的電力技術(shù)人員,都知道的來歷及各種分類。不過現(xiàn)在從事這一行的人越來越多,有的采購人員對(duì)這方面還不是很了解。有的客戶也經(jīng)常問起我們模塊的來歷。現(xiàn)在就為大家分享一下:2晶閘管誕生后,其結(jié)構(gòu)的改進(jìn)和工藝的**,為新器件的不斷出現(xiàn)提供了條件。1964年,雙向晶閘管在GE公司開發(fā)成功,應(yīng)用于調(diào)光和馬達(dá)控制;1965年,小功率光觸發(fā)晶閘管出現(xiàn),為其后出現(xiàn)的光耦合器打下了基礎(chǔ);60年代后期,大功率逆變晶閘管問世,成為當(dāng)時(shí)逆變電路的基本元件;1974年,逆導(dǎo)晶閘管和非對(duì)稱晶閘管研制完成。3普通晶閘廣泛應(yīng)用于交直流調(diào)速、調(diào)光、調(diào)溫等低頻(400Hz以下)領(lǐng)域,運(yùn)用由它所構(gòu)成的電路對(duì)電網(wǎng)進(jìn)行控制和變換是一種簡(jiǎn)便而經(jīng)濟(jì)的辦法。不過,這種裝置的運(yùn)行會(huì)產(chǎn)生波形畸變和降低功率因數(shù)、影響電網(wǎng)的質(zhì)量。目前水平為12kV/1kA和6500V/4000A。雙向晶閘可視為一對(duì)反并聯(lián)的普通晶閘管的集成,常用于交流調(diào)壓和調(diào)功電路中。正、負(fù)脈沖都可觸發(fā)導(dǎo)通,因而其控制電路比較簡(jiǎn)單。其缺點(diǎn)是換向能力差、觸發(fā)靈敏度低、關(guān)斷時(shí)間較長(zhǎng),其水平已超過2000V/500A。4光控晶閘是通過光信號(hào)控制晶閘管觸發(fā)導(dǎo)通的器件。

    不*使設(shè)備的體積重量增大,而且會(huì)降低效率,產(chǎn)生波形失真和噪聲??申P(guān)斷晶閘管克服了上述缺陷,它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點(diǎn),以具有自關(guān)斷能力,使用方便,是理想的高壓、大電流開關(guān)器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管(GTR),只是工作頻紡比GTR低。GTO已達(dá)到3000A、4500V的容量。大功率可關(guān)斷晶閘管已***用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域,顯示出強(qiáng)大的生命力??申P(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件,其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同,因此圖1*繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號(hào)。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導(dǎo)通原理相同,但二者的關(guān)斷原理及關(guān)斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導(dǎo)通之后即外于深度飽和狀態(tài),而GTO在導(dǎo)通后只能達(dá)到臨界飽和,所以GTO門極上加負(fù)向觸發(fā)信號(hào)即可關(guān)斷。GTO的一個(gè)重要參數(shù)就是關(guān)斷增益,βoff,它等于陽極**大可關(guān)斷電流IATM與門極**大負(fù)向電流IGM之比,有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍。βoff值愈大,說明門極電流對(duì)陽極電流的控制能力愈強(qiáng)。很顯然,βoff與昌盛的hFE參數(shù)頗有相似之處。 智能功率模塊是以IGBT為內(nèi)核的先進(jìn)混合集成功率部件,由高速低功耗管芯(IGBT)和優(yōu)化的門極驅(qū)動(dòng)電路。

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    不需要具體計(jì)算IAT、IG之值,只要讀出二者所對(duì)應(yīng)的表針正向偏轉(zhuǎn)格數(shù),即可迅速估測(cè)關(guān)斷增益值。晶體閘流管注意事項(xiàng)編輯(1)在檢查大功率GTO器件時(shí),建議在R×1檔外邊串聯(lián)一節(jié)′,以提高測(cè)試電壓和測(cè)試電流,使GTO可靠地導(dǎo)通。(2)要準(zhǔn)確測(cè)量GTO的關(guān)斷增益βoff,必須有**測(cè)試設(shè)備。但在業(yè)余條件下可用上述方法進(jìn)行估測(cè)。由于測(cè)試條件不同,測(cè)量結(jié)果*供參考,或作為相對(duì)比較的依據(jù)。逆導(dǎo)晶閘管RCT(Reverse-ConductingThyristir)亦稱反向?qū)ňчl管。其特點(diǎn)是在晶閘管的陽極與陰極之間反向并聯(lián)一只二極管,使陽極與陰極的發(fā)射結(jié)均呈短路狀態(tài)。由于這種特殊電路結(jié)構(gòu),使之具有耐高壓、耐高溫、關(guān)斷時(shí)間短、通態(tài)電壓低等優(yōu)良性能。例如,逆導(dǎo)晶閘管的關(guān)斷時(shí)間*幾微秒,工作頻率達(dá)幾十千赫,優(yōu)于快速晶閘管(FSCR)。該器件適用于開關(guān)電源、UPS不間斷電源中,一只RCT即可代替晶閘管和續(xù)流二極管各一只,不*使用方便,而且能簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)。逆導(dǎo)晶閘管的符號(hào)、等效電路如圖1(a)、(b)所示。其伏安特性見圖2。由圖顯見,逆導(dǎo)晶閘管的伏安特性具有不對(duì)稱性,正向特性與普通晶閘管SCR相同,而反向特性與硅整流管的正向特性相同(*坐標(biāo)位置不同)。 已有適用于高壓變頻器的有電壓型HV-IGBT,igct,電流型sgct等。浙江優(yōu)勢(shì)IGBT模塊

額定通態(tài)電流(IT)即比較大穩(wěn)定工作電流,俗稱電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。浙江優(yōu)勢(shì)IGBT模塊

    晶閘管一般指晶體閘流管晶閘管(Thyristor)是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱,又可稱做可控硅整流器,以前被簡(jiǎn)稱為可控硅;1957年美國通用電器公司開發(fā)出世界上***晶閘管產(chǎn)品,并于1958年使其商業(yè)化;晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),它有三個(gè)極:陽極,陰極和門極;晶閘管工作條件為:加正向電壓且門極有觸發(fā)電流;其派生器件有:快速晶閘管,雙向晶閘管,逆導(dǎo)晶閘管,光控晶閘管等。它是一種大功率開關(guān)型半導(dǎo)體器件,在電路中用文字符號(hào)為“V”、“VT”表示(舊標(biāo)準(zhǔn)中用字母“SCR”表示)。晶閘管具有硅整流器件的特性,能在高電壓、大電流條件下工作,且其工作過程可以控制、被***應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓、無觸點(diǎn)電子開關(guān)、逆變及變頻等電子電路中。中文名晶閘管外文名Thyristo目錄1種類2工作原理3工作條件4工作過程5注意事項(xiàng)6如何保護(hù)晶閘管晶體閘流管種類編輯(一)按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類晶閘管按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通晶閘管、雙向晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、門極關(guān)斷晶閘管(GTO)、BTG晶閘管、溫控晶閘管和光控晶閘管等多種。。 浙江優(yōu)勢(shì)IGBT模塊