晶閘管模塊基本的用途是可控整流。二極管整流電路中用晶閘管代替二極管,就可以形成可控整流電路。在正弦交流電壓U2的正半周內(nèi),如果vs的控制極不輸入觸發(fā)脈沖UG,vs仍不能接通。只有當(dāng)U2處于正半周時(shí),當(dāng)觸發(fā)脈沖UG施加到控制極時(shí),晶閘管才接通。現(xiàn)在,繪制其波形(圖4(c)和(d)),可以看到只有當(dāng)觸發(fā)脈沖UG到達(dá)時(shí),負(fù)載RL具有電壓UL輸出(波形上的陰影)。當(dāng)UG到達(dá)較早時(shí),晶閘管導(dǎo)通時(shí)間較早;UG到達(dá)較晚時(shí),晶閘管導(dǎo)通時(shí)間較晚。通過改變觸發(fā)脈沖Ug在控制極上的到達(dá)時(shí)間,可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均UL(陰影部分的面積)。在電工技術(shù)中,交流電的半周常被設(shè)定為180度,稱為電角。因此,在U2的每一個(gè)正半周期中,從零值到觸發(fā)脈沖到達(dá)時(shí)刻的電角稱為控制角α,每個(gè)正半周期中晶閘管導(dǎo)電的電角稱為導(dǎo)通角θ。顯然,α和θ都用來表示晶閘管在正向電壓半周內(nèi)的通斷范圍。通過改變控制角度0或?qū)ń莟heta,可通過改變負(fù)載上的脈沖直流電壓的平均ul來實(shí)現(xiàn)可控整流器。其派生器件有:快速晶閘管,雙向晶閘管,逆導(dǎo)晶閘管,光控晶閘管等。國產(chǎn)晶閘管模塊商家
從而實(shí)際強(qiáng)觸發(fā),加速了元件的導(dǎo)通,提高了耐電流上升率的能力。三、能耐較高的電壓上升率(dv/dt)晶閘管是由三個(gè)P—N結(jié)組成的。每個(gè)結(jié)相當(dāng)于一個(gè)電容器。結(jié)電壓急劇變化時(shí),就有很大的位移電流流過元件,它等效于控制極觸發(fā)電流的作用。可能使晶閘管誤導(dǎo)通。這就是普通晶閘管不能耐高電壓上升率的原因。為了有效防止上述誤導(dǎo)通現(xiàn)象發(fā)生,快速晶閘管采取了短路發(fā)射結(jié)結(jié)構(gòu)。把陰極和控制極按一定幾何形狀短路。這樣一來,即使電壓上升率較高,晶閘管的電流放大系數(shù)仍幾乎為零,不致使晶閘管誤導(dǎo)通。只是在電壓上升率進(jìn)一步提高,結(jié)電容位移電流進(jìn)一步增大,在短路點(diǎn)上產(chǎn)生電壓降足夠大時(shí),晶閘管才能導(dǎo)通。具有短路發(fā)射結(jié)結(jié)構(gòu)的晶閘管,用控制極電流觸發(fā)時(shí),控制極電流首先也是從短路點(diǎn)流向陰極。只是當(dāng)控制極電流足夠大,在短路點(diǎn)電阻上的電壓降足夠大,PN結(jié)正偏導(dǎo)通電流時(shí),才同沒有短路發(fā)射結(jié)的元件一樣,可被觸發(fā)導(dǎo)通。因此,快速晶閘管的抗干擾能力較好??焖倬чl管的生產(chǎn)和應(yīng)用都進(jìn)展很快。目前,已有了電流幾百安培、耐壓1千余伏,關(guān)斷時(shí)間*為20微妙的大功率快速晶閘管,同時(shí)還做出了**高工作頻率可達(dá)幾十千赫茲供高頻逆變用的元件。國產(chǎn)晶閘管模塊商家塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。
α和θ都是用來表示晶閘管在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或?qū)ń铅龋淖冐?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL,實(shí)現(xiàn)了可控整流。晶閘管晶體閘流管(英語:Thyristor),簡稱晶閘管,指的是具有四層交錯(cuò)P、N層的半導(dǎo)體裝置。**早出現(xiàn)與主要的一種是硅控整流器(SiliconControlledRectifier,SCR),中國大陸通常簡稱可控硅,又稱半導(dǎo)體控制整流器,是一種具有三個(gè)PN結(jié)的功率型半導(dǎo)體器件,為***代半導(dǎo)體電力電子器件的**。晶閘管的特點(diǎn)是具有可控的單向?qū)щ姡磁c一般的二極管相比,可以對導(dǎo)通電流進(jìn)行控制。晶閘管具有以小電流(電壓)控制大電流(電壓)作用,并體積小、輕、功耗低、效率高、開關(guān)迅速等優(yōu)點(diǎn),***用于無觸點(diǎn)開關(guān)、可控整流、逆變、調(diào)光、調(diào)壓、調(diào)速等方面。發(fā)展歷史/晶閘管編輯半導(dǎo)體的出現(xiàn)成為20世紀(jì)現(xiàn)代物理學(xué)其中一項(xiàng)**重大的突破,標(biāo)志著電子技術(shù)的誕生。而由于不同領(lǐng)域的實(shí)際需要,促使半導(dǎo)體器件自此分別向兩個(gè)分支快速發(fā)展,其中一個(gè)分支即是以集成電路為**的微電子器件,特點(diǎn)為小功率、集成化,作為信息的檢出、傳送和處理的工具;而另一類就是電力電子器件,特點(diǎn)為大功率、快速化。1955年。
定義/晶閘管編輯晶閘管導(dǎo)通條件為:加正向電壓且門極有觸發(fā)電流;其派生器件有:快速晶閘管,雙向晶閘管,逆導(dǎo)晶閘管,光控晶閘管等。它是一種大功率開關(guān)型半導(dǎo)體器件,在電路中用文字符號為“V”、“VT”表示(舊標(biāo)準(zhǔn)中用字母“SCR”表示)。晶閘管(Thyristor)是一種開關(guān)元件,能在高電壓、大電流條件下工作,并且其工作過程可以控制、被應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓、無觸點(diǎn)電子開關(guān)、逆變及變頻等電子電路中,是典型的小電流控制大電流的設(shè)備。1957年,美國通用電器公司開發(fā)出世界上***個(gè)晶閘管產(chǎn)品,并于1958年使其商業(yè)化。結(jié)構(gòu)/晶閘管編輯晶閘管它是由一個(gè)P-N-P-N四層(4layers)半導(dǎo)體構(gòu)成的,中間形成了三個(gè)PN結(jié)。分類/晶閘管編輯晶閘管按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通晶閘管(SCR)、雙向晶閘管(TRIAC)、逆導(dǎo)晶閘管(RCT)、門極關(guān)斷晶閘管(GTO)、BTG晶閘管、溫控晶閘管(TT國外,TTS國內(nèi))和光控晶閘管(LTT)等多種。晶閘管按其引腳和極性可分為二極晶閘管、三極晶閘管和四極晶閘管。晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類型。其中,金屬封裝晶閘管又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種。晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,組成晶閘管的控制電路。
⑿脈沖輸出:六路帶調(diào)制的觸發(fā)脈沖隔離輸出;脈沖寬度:2個(gè)20°寬脈沖列、間隔60°;脈沖調(diào)制頻率10KHZ;各相脈沖不對稱度:≤°;脈沖電流峰值:>800mA⒀PID動態(tài)響應(yīng)時(shí)間≤10ms,超調(diào)量≤1%。⒁有回零保護(hù)、軟起動、急停功能。⒂比較大外形尺寸:235㎜×180㎜×50㎜。三相晶閘管觸發(fā)板三相晶閘管觸發(fā)板應(yīng)用技術(shù)編輯◆獨(dú)有三相不平衡自動調(diào)整功能,有效提高電能利用效率?!粝冗M(jìn)的數(shù)字控制技術(shù),改善了電網(wǎng)功率因數(shù),可以有效節(jié)省用電量?!艟哂幸葡嘤|發(fā)與過零觸發(fā)雙重工作模式,撥動選擇開關(guān),即可輕松實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)換?!舳喾N控制信號輸入:DC4~20mA、DC0~10mA、DC1~5V、DC0~10V、開關(guān)量觸點(diǎn)?!暨m用于多種類型負(fù)載:恒阻性負(fù)載、變阻性負(fù)載、感性負(fù)載(變壓器一次側(cè))。◆具有完善的自我檢測,齊全的故障保護(hù)功能,確保安全穩(wěn)定運(yùn)行。◆輸入、輸出端口均采用光電隔離技術(shù),抗干擾能力強(qiáng),安全性能高?!敉ㄓ嵐δ軓?qiáng)大、標(biāo)準(zhǔn)ModbusRTU通信協(xié)議,方便聯(lián)機(jī)進(jìn)行網(wǎng)絡(luò)控制?!魞?nèi)置報(bào)警蜂鳴器,無須任何額外接線就能輕松實(shí)現(xiàn)音響報(bào)警。晶閘管具有硅整流器件的特性,能在高電壓、大電流條件下工作。國產(chǎn)晶閘管模塊商家
晶閘管的陽極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和。國產(chǎn)晶閘管模塊商家
[1]維持電流I:是指晶閘管維持導(dǎo)通所必需的**小電流,一般為幾十到幾百毫安。IH與結(jié)溫有關(guān),結(jié)溫越高,則I越小。擎住電流I:是晶閘管剛從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)并移除觸發(fā)信號后,能維持導(dǎo)通所需的**小電流。對同一晶閘管來說,通常I約為I的2~4倍。[1]浪涌電流I:浪涌電流是指由于電路異常情況引起的使結(jié)溫超過額定結(jié)溫的不重復(fù)性**大正向過載電流。斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt:是指在額定結(jié)溫、門極開路的情況下,不能使晶閘管從斷態(tài)到通態(tài)轉(zhuǎn)換的外加電壓**大上升率。通態(tài)電流臨界上升率di/dt:指在規(guī)定條件下,晶閘管能承受的**大通態(tài)電流上升率。如果di/dt過大,在晶閘管剛開通時(shí)會有很大的電流集中在門極附近的小區(qū)域內(nèi),從而造成局部過熱而使晶閘管損壞。[1]觸發(fā)技術(shù)晶閘管觸發(fā)電路的作用是產(chǎn)生符合要求的門極觸發(fā)脈沖,使得晶閘管在需要時(shí)正常開通。晶閘管觸發(fā)電路必須滿足以下幾點(diǎn)要求:①觸發(fā)脈沖的寬度應(yīng)足夠?qū)捠沟镁чl管可靠導(dǎo)通;②觸發(fā)脈沖應(yīng)有足夠的幅度,對一些溫度較低的場合,脈沖電流的幅度應(yīng)增大為器件**大觸發(fā)電流的3~5倍,脈沖的陡度也需要增加,一般需達(dá)1~2A/μs;③所提供的觸發(fā)脈沖應(yīng)不超過晶閘管門極的電壓、電流和功率定額。國產(chǎn)晶閘管模塊商家