5、其它要求(1)當(dāng)模塊控制變壓器負(fù)載時(shí),如果變壓器空載,輸出電流可能會(huì)小于晶閘管芯片的擎住電流,導(dǎo)致回路中產(chǎn)生較大直流分量,嚴(yán)重時(shí)會(huì)燒掉保險(xiǎn)絲。為了避免出現(xiàn)上述情況,可在模塊輸出端接一固定電阻,一般每相輸出電流不小于500mA(具體數(shù)據(jù)可根據(jù)試驗(yàn)情況確定)。(2)小規(guī)格模塊主電極無螺釘緊固,極易掀起折斷,接線時(shí)應(yīng)注意避免外力或電纜重力將電極拉起折斷。(3)嚴(yán)禁將電纜銅線直接壓接在模塊電極上,以防止接觸不良產(chǎn)生附加發(fā)熱。(4)模塊不能當(dāng)作隔離開關(guān)使用。為保證安全,模塊輸入端前面需加空氣開關(guān)。(5)測(cè)量模塊工作殼溫時(shí),測(cè)試點(diǎn)選擇靠近模塊底板中心的散熱器表面??蓪⑸崞鞅砻嬉韵聶M向打一深孔至散熱器中心,把熱電偶探頭插到孔底。要求該測(cè)試點(diǎn)的溫度應(yīng)≤80℃。晶閘管智能模塊晶閘管智能模塊模塊參數(shù)編輯a)工作頻率f為50Hz;b)模塊輸入交流電壓VIN(RMS)范圍:額定電壓為220VAC時(shí)為170~250VAC、額定電壓為380VAC時(shí)為300~450VAC(輸入電壓低于或高于上述各規(guī)定值時(shí),應(yīng)專門定做);c)三相交流輸出電壓不對(duì)稱度<6%;d)控制電源電壓12VDC;e)控制信號(hào):VCON為0~10VDC;f)控制信號(hào)電流ICON≤1mA;g)輸出電壓溫度系數(shù)<。塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。海南國產(chǎn)晶閘管模塊批發(fā)價(jià)
α和θ都是用來表示晶閘管在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或?qū)ń铅龋淖冐?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL,實(shí)現(xiàn)了可控整流。晶閘管晶體閘流管(英語:Thyristor),簡(jiǎn)稱晶閘管,指的是具有四層交錯(cuò)P、N層的半導(dǎo)體裝置。**早出現(xiàn)與主要的一種是硅控整流器(SiliconControlledRectifier,SCR),中國大陸通常簡(jiǎn)稱可控硅,又稱半導(dǎo)體控制整流器,是一種具有三個(gè)PN結(jié)的功率型半導(dǎo)體器件,為***代半導(dǎo)體電力電子器件的**。晶閘管的特點(diǎn)是具有可控的單向?qū)щ?,即與一般的二極管相比,可以對(duì)導(dǎo)通電流進(jìn)行控制。晶閘管具有以小電流(電壓)控制大電流(電壓)作用,并體積小、輕、功耗低、效率高、開關(guān)迅速等優(yōu)點(diǎn),***用于無觸點(diǎn)開關(guān)、可控整流、逆變、調(diào)光、調(diào)壓、調(diào)速等方面。發(fā)展歷史/晶閘管編輯半導(dǎo)體的出現(xiàn)成為20世紀(jì)現(xiàn)代物理學(xué)其中一項(xiàng)**重大的突破,標(biāo)志著電子技術(shù)的誕生。而由于不同領(lǐng)域的實(shí)際需要,促使半導(dǎo)體器件自此分別向兩個(gè)分支快速發(fā)展,其中一個(gè)分支即是以集成電路為**的微電子器件,特點(diǎn)為小功率、集成化,作為信息的檢出、傳送和處理的工具;而另一類就是電力電子器件,特點(diǎn)為大功率、快速化。1955年。海南國產(chǎn)晶閘管模塊批發(fā)價(jià)當(dāng)外加反向電壓超過其反向重復(fù)峰值電壓URRM一定值時(shí),晶閘管就會(huì)立即損壞。
從而實(shí)際強(qiáng)觸發(fā),加速了元件的導(dǎo)通,提高了耐電流上升率的能力。三、能耐較高的電壓上升率(dv/dt)晶閘管是由三個(gè)P—N結(jié)組成的。每個(gè)結(jié)相當(dāng)于一個(gè)電容器。結(jié)電壓急劇變化時(shí),就有很大的位移電流流過元件,它等效于控制極觸發(fā)電流的作用??赡苁咕чl管誤導(dǎo)通。這就是普通晶閘管不能耐高電壓上升率的原因。為了有效防止上述誤導(dǎo)通現(xiàn)象發(fā)生,快速晶閘管采取了短路發(fā)射結(jié)結(jié)構(gòu)。把陰極和控制極按一定幾何形狀短路。這樣一來,即使電壓上升率較高,晶閘管的電流放大系數(shù)仍幾乎為零,不致使晶閘管誤導(dǎo)通。只是在電壓上升率進(jìn)一步提高,結(jié)電容位移電流進(jìn)一步增大,在短路點(diǎn)上產(chǎn)生電壓降足夠大時(shí),晶閘管才能導(dǎo)通。具有短路發(fā)射結(jié)結(jié)構(gòu)的晶閘管,用控制極電流觸發(fā)時(shí),控制極電流首先也是從短路點(diǎn)流向陰極。只是當(dāng)控制極電流足夠大,在短路點(diǎn)電阻上的電壓降足夠大,PN結(jié)正偏導(dǎo)通電流時(shí),才同沒有短路發(fā)射結(jié)的元件一樣,可被觸發(fā)導(dǎo)通。因此,快速晶閘管的抗干擾能力較好??焖倬чl管的生產(chǎn)和應(yīng)用都進(jìn)展很快。目前,已有了電流幾百安培、耐壓1千余伏,關(guān)斷時(shí)間*為20微妙的大功率快速晶閘管,同時(shí)還做出了**高工作頻率可達(dá)幾十千赫茲供高頻逆變用的元件。
晶閘管智能模塊模塊規(guī)格編輯晶閘管智能模塊注意事項(xiàng)編輯1、模塊電流規(guī)格的選取考慮到電網(wǎng)電壓的波動(dòng)和負(fù)載在起動(dòng)時(shí)一般都比其額定電流大幾倍,且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差,建議您在選取模塊電流規(guī)格時(shí)應(yīng)留出適當(dāng)裕量。推薦選擇如下:阻性負(fù)載:模塊標(biāo)稱電流應(yīng)為負(fù)載額定電流的2倍。感性負(fù)載:模塊標(biāo)稱電流應(yīng)為負(fù)載額定電流的3倍。2、導(dǎo)通角要求模塊在較小導(dǎo)通角時(shí)(即模塊高輸入電壓、低輸出電壓)輸出較大電流,這樣會(huì)使模塊嚴(yán)重發(fā)熱甚至燒毀。這是因?yàn)樵诜钦也顟B(tài)下用普通儀表測(cè)出的電流值,不是有效值,所以,盡管儀表顯示的電流值并未超過模塊的標(biāo)稱值,但有效值會(huì)超過模塊標(biāo)稱值的幾倍。因此,要求模塊應(yīng)在較大導(dǎo)通角下(100度以上)工作。3、控制電源要求(1)電壓為DC12V±;紋波電壓≤30mV;輸出電流≥1A;(2)可以采用開關(guān)電源,也可采用線性電源(即變壓器整流式穩(wěn)壓電源)。開關(guān)電源外殼應(yīng)帶屏蔽罩。線性電源要求濾波電容必須≥2200μf/25V。(3)控制電源極性要求正確接入模塊控制端口,嚴(yán)禁反接。否則將燒壞模塊控制電路。4、使用環(huán)境要求(1)工作場(chǎng)所環(huán)境溫度范圍:-25℃~+45℃。(2)模塊周圍應(yīng)干燥、通風(fēng)、遠(yuǎn)離熱源、無塵、無腐蝕性液體或氣體。其派生器件有:快速晶閘管,雙向晶閘管,逆導(dǎo)晶閘管,光控晶閘管等。
圖簡(jiǎn)單地給出了晶閘管開通和關(guān)斷過程的電壓與電流波形。圖中開通過程描述的是晶閘管門極在坐標(biāo)原點(diǎn)時(shí)刻開始受到理想階躍觸發(fā)電流觸發(fā)的情況;而關(guān)斷過程描述的是對(duì)已導(dǎo)通的晶閘管,在外電路所施加的電壓在某一時(shí)刻突然由正向變?yōu)榉聪虻那闆r(如圖中點(diǎn)劃線波形)。開通過程晶閘管的開通過程就是載流子不斷擴(kuò)散的過程。對(duì)于晶閘管的開通過程主要關(guān)注的是晶閘管的開通時(shí)間t。由于晶閘管內(nèi)部的正反饋過程以及外電路電感的限制,晶閘管受到觸發(fā)后,其陽極電流只能逐漸上升。從門極觸發(fā)電流上升到額定值的10%開始,到陽極電流上升到穩(wěn)態(tài)值的10%(對(duì)于阻性負(fù)載相當(dāng)于陽極電壓降到額定值的90%),這段時(shí)間稱為觸發(fā)延遲時(shí)間t。陽極電流從10%上升到穩(wěn)態(tài)值的90%所需要的時(shí)間(對(duì)于阻性負(fù)載相當(dāng)于陽極電壓由90%降到10%)稱為上升時(shí)間t,開通時(shí)間t定義為兩者之和,即t=t+t通常晶閘管的開通時(shí)間與觸發(fā)脈沖的上升時(shí)間,脈沖峰值以及加在晶閘管兩極之間的正向電壓有關(guān)。[1]關(guān)斷過程處于導(dǎo)通狀態(tài)的晶閘管當(dāng)外加電壓突然由正向變?yōu)榉聪驎r(shí),由于外電路電感的存在,其陽極電流在衰減時(shí)存在過渡過程。陽極電流將逐步衰減到零,并在反方向流過反向恢復(fù)電流,經(jīng)過**大值I后,再反方向衰減。同時(shí)。晶閘管承受反向陽極電壓時(shí),不管門極承受何種電壓,晶閘管都處于反向阻斷狀態(tài)。吉林哪里有晶閘管模塊現(xiàn)價(jià)
晶閘管具有硅整流器件的特性,能在高電壓、大電流條件下工作。海南國產(chǎn)晶閘管模塊批發(fā)價(jià)
晶閘管(Thyristor)是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱,又被稱做可控硅整流器,以前被簡(jiǎn)稱為可控硅;1957年美國通用電氣公司開發(fā)出世界上第1款晶閘管產(chǎn)品,并于1958年將其商業(yè)化;晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),它有三個(gè)極:陽極,陰極和控制極;晶閘管具有硅整流器件的特性,能在高電壓、大電流條件下工作,且其工作過程可以控制、被廣泛應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓、無觸點(diǎn)電子開關(guān)、逆變及變頻等電子電路中。工作原理晶閘管在工作過程中,它的陽極(A)和陰極(K)與電源和負(fù)載連接,組成晶閘管的主電路,晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,組成晶閘管的控制電路。晶閘管為半控型電力電子器件,它的工作條件如下:1.晶閘管承受反向陽極電壓時(shí),不管門極承受何種電壓,晶閘管都處于反向阻斷狀態(tài)。2.晶閘管承受正向陽極電壓時(shí),在門極承受正向電壓的情況下晶閘管才導(dǎo)通。這時(shí)晶閘管處于正向?qū)顟B(tài),這就是晶閘管的閘流特性,即可控特性。3.晶閘管在導(dǎo)通情況下,只要有一定的正向陽極電壓,不論門極電壓如何,晶閘管保持導(dǎo)通,即晶閘管導(dǎo)通后,門極失去作用。門極只起觸發(fā)作用。4.晶閘管在導(dǎo)通情況下,當(dāng)主回路電壓(或電流)減小到接近于零時(shí),晶閘管關(guān)斷。海南國產(chǎn)晶閘管模塊批發(fā)價(jià)