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來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024-10-08

可控硅觸發(fā)器/板是驅(qū)動(dòng)晶閘管的移相型電力控制器,其部件采用高性能、高可靠性的單片機(jī)。輸出觸發(fā)脈沖具有極高的對(duì)稱性及穩(wěn)定性,且不隨環(huán)境溫度變化,使用中不需要對(duì)脈沖對(duì)稱度及限位進(jìn)行調(diào)整?,F(xiàn)場(chǎng)調(diào)試一般不需要示波器即可完成。接線簡(jiǎn)單,操作方便,可接受信:,手動(dòng)電位器10K,自帶限幅可調(diào)電位器,軟起時(shí)間可設(shè)定,功能多樣化。一般分為單相可控硅觸發(fā)板,三相可控硅觸發(fā)板。雙向可控硅觸發(fā)板等,輔助功能有:常用的開環(huán)觸發(fā)板比較多,有閉環(huán)的,含恒流,恒壓,限壓,限流,軟起動(dòng),限幅等。觸發(fā)類型上分:光電隔離型觸發(fā)板,脈沖變壓型觸發(fā)板,變壓器隔離型觸發(fā)板,還有模擬觸發(fā)電路型等。它可的應(yīng)用于工業(yè)各領(lǐng)域的電壓電流調(diào)節(jié),適用于電阻性負(fù)載、電感性負(fù)載、變壓器一次側(cè)及各種整流裝置等。*以鎳鉻、鐵鉻鋁、遠(yuǎn)紅外發(fā)熱元件及硅鉬棒、硅碳棒等為加熱元件的溫度控制。*鹽浴爐、工頻感應(yīng)爐、淬火爐、熔融玻璃的溫度加熱控制。*整流變壓器、調(diào)功機(jī)(純電感線圈)、電爐變壓器一次側(cè)、升磁/退磁調(diào)節(jié)、直流電機(jī)控制。*電壓、電流、功率、燈光(高壓鈉燈控制必須用穩(wěn)壓功能配套PID控制板)等無(wú)級(jí)平滑調(diào)節(jié)。硅PNP管和硅NPN管相應(yīng)的電流放大系數(shù)a1和a2隨其發(fā)射極電流的改變而急劇變化。重慶可控硅模塊哪家好

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圖1所示為一個(gè)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu),N+區(qū)稱為源區(qū),附于其上的電極稱為源極。N+區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū),附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P型區(qū)(包括P+和P一區(qū))(溝道在該區(qū)域形成),稱為亞溝道區(qū)(Subchannelregion)。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)(Draininjector),它是IGBT特有的功能區(qū),與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管,起發(fā)射極的作用,向漏極注入空穴,進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制,以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。IGBT的開關(guān)作用是通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道,給PNP晶體管提供基極電流,使IGBT導(dǎo)通。反之,加反向門極電壓消除溝道,切斷基極電流,使IGBT關(guān)斷。IGBT的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET基本相同,只需控制輸入極N一溝道MOSFET,所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET的溝道形成后,從P+基極注入到N一層的空穴(少子),對(duì)N一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制,減小N一層的電阻,使IGBT在高電壓時(shí),也具有低的通態(tài)電壓。IGBT和可控硅區(qū)別IGBT與晶閘管1.整流元件(晶閘管)簡(jiǎn)單地說(shuō):整流器是把單相或三相正弦交流電流通過(guò)整流元件變成平穩(wěn)的可調(diào)的單方向的直流電流。其實(shí)現(xiàn)條件主要是依靠整流管。重慶可控硅模塊哪家好雙向可控硅的特性曲線是由一、三兩個(gè)象限內(nèi)的曲線組合成的。

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TC=℃)------通態(tài)平均電流VTM=V-----------通態(tài)峰值電壓VDRM=V-------------斷態(tài)正向重復(fù)峰值電壓IDRM=mA-------------斷態(tài)重復(fù)峰值電流VRRM=V-------------反向重復(fù)峰值電壓IRRM=mA------------反向重復(fù)峰值電流IGT=mA------------門極觸發(fā)電流VGT=V------------門極觸發(fā)電壓執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):QB-02-091.晶閘管關(guān)斷過(guò)電壓(換流過(guò)電壓、空穴積蓄效應(yīng)過(guò)電壓)及保護(hù)晶閘管從導(dǎo)通到阻斷,線路電感(主要是變壓器漏感LB)釋放能量產(chǎn)生過(guò)電壓。由于晶閘管在導(dǎo)通期間,載流子充滿元件內(nèi)部,在關(guān)斷過(guò)程中,管子在反向作用下,正向電流下降到零時(shí),元件內(nèi)部殘存著載流子。這些載流子在反向電壓作用下瞬時(shí)出現(xiàn)較大的反向電流,使殘存的載流子迅速消失,這時(shí)反向電流減小即diG/dt極大,產(chǎn)生的感應(yīng)電勢(shì)很大,這個(gè)電勢(shì)與電源串聯(lián),反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上,可導(dǎo)致晶閘管反向擊穿。這就是關(guān)斷過(guò)電壓(換相過(guò)電壓)。數(shù)值可達(dá)工作電壓的5~6倍。保護(hù)措施:在晶閘管兩端并接阻容吸收電路。2.交流側(cè)過(guò)電壓及其保護(hù)由于交流側(cè)電路在接通或斷開時(shí)出現(xiàn)暫態(tài)過(guò)程,會(huì)產(chǎn)生操作過(guò)電壓。高壓合閘的瞬間,由于初次級(jí)之間存在分布電容,初級(jí)高壓經(jīng)電容耦合到次級(jí),出現(xiàn)瞬時(shí)過(guò)電壓。

并且在“BT”后加“A”或“B”來(lái)表示絕緣與非絕緣。組合成:“BTA”、“BTB”系列的雙向可控硅型號(hào),如:四象限/絕緣型/雙向可控硅:BTA06-600C、BTA12-600B、BTA16-600B、BTA41-600B等等;四象限/非絕緣/雙向可控硅:BTB06-600C、BTB12-600B、BTB16-600B、BTB41-600B等等;ST公司所有產(chǎn)品型號(hào)的后綴字母(型號(hào)一個(gè)字母)帶“W”的,均為“三象限雙向可控硅”。如“BW”、“CW”、“SW”、“TW”;型號(hào)如:BTB12-600BW、BTA26-700CW、BTA08-600SW、、、、等等。至于型號(hào)后綴字母的觸發(fā)電流,各個(gè)廠家的含義如下:PHILIPS公司:D=5mA,E=10mA,C=15mA,F(xiàn)=25mA,G=50mA,R=200uA或5mA,型號(hào)沒(méi)有后綴字母之觸發(fā)電流,通常為25-35mA;PHILIPS公司的觸發(fā)電流字母沒(méi)有統(tǒng)一的定義,以產(chǎn)品的封裝不同而不同。意法ST公司:TW=5mA,SW=10mA,CW=35mA,BW=50mA,C=25mA,B=50mA,H=15mA,T=15mA,注意:以上觸發(fā)電流均有一個(gè)上下起始誤差范圍,產(chǎn)品PDF文件中均有詳細(xì)說(shuō)明一般分為最小值/典型值/最大值,而非“=”一個(gè)參數(shù)值??煽毓枘芤院涟布?jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備。

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可控硅,又叫晶閘管,可控硅相當(dāng)于可以控制的二極管,當(dāng)控制極加一定的電壓時(shí),陰極和陽(yáng)極就導(dǎo)通了。可控硅和其它半導(dǎo)體器件一樣,其有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)。它的出現(xiàn),使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域,成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運(yùn)輸、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭(zhēng)相采用的元件。下面賢集網(wǎng)小編要具體為大家介紹一下可控硅的型號(hào)、特性、分類、使用規(guī)則、用途、主要參數(shù)、可控硅的不同幾個(gè)極的判別方法、雙向可控硅和單向可控硅的區(qū)別??煽毓璧男吞?hào)1、優(yōu)派克EUPECT系列可控硅、D系列二極管、DxS系列快速二極管;2、東芝TOSHIBASF系列可控硅、SG系列GTO;3、西門康SEMIKRONSKT系列可控硅,SKN、SKR系列二極管,SKNxF、SKRxF系列快速二極管;4、西碼WESTCODEN系列相控可控硅、R系列快速可控硅、SM系列快速二極管、SW系列普通二極管;5、美國(guó)IRST系列可控硅、SD系列二極管;6、意大利POSEICOAT系列相控可控硅;7、瑞士ABB5STP可控硅、5SDD二極管、5SGA系列GTO、5SDF快速二極管。可控硅的特性1、額定通態(tài)平均電流IT在一定條件下,陽(yáng)極---陰極間可以連續(xù)通過(guò)的50赫茲正弦半波電流的平均值。2、正向阻斷峰值電壓VPF在控制極開路未加觸發(fā)信號(hào)??煽毓鑿耐庑紊戏种饕新菪?、平板式和平底式三種,螺旋式的應(yīng)用較多。廣東哪里有可控硅模塊現(xiàn)價(jià)

在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下,允許通過(guò)陰極和陽(yáng)極的電流平均值。重慶可控硅模塊哪家好

措施:在三相變壓器次級(jí)星形中點(diǎn)與地之間并聯(lián)適當(dāng)電容,就可以明顯減小這種過(guò)電壓。與整流器并聯(lián)的其它負(fù)載切斷時(shí),因電源回路電感產(chǎn)生感應(yīng)電勢(shì)的過(guò)電壓。變壓器空載且電源電壓過(guò)零時(shí),初級(jí)拉閘,因變壓器激磁電流的突變,在次級(jí)感生出很高的瞬時(shí)電壓,這種電壓尖峰值可達(dá)工作電壓的6倍以上。交流電網(wǎng)遭雷擊或電網(wǎng)侵入干擾過(guò)電壓,即偶發(fā)性浪涌電壓,都必須加阻容吸收路進(jìn)行保護(hù)。3.直流側(cè)過(guò)電壓及保護(hù)當(dāng)負(fù)載斷開時(shí)或快熔斷時(shí),儲(chǔ)存在變壓器中的磁場(chǎng)能量會(huì)產(chǎn)生過(guò)電壓,顯然在交流側(cè)阻容吸收保護(hù)電路可以抑制這種過(guò)電壓,但由于變壓器過(guò)載時(shí)儲(chǔ)存的能量比空載時(shí)要大,還不能完全消除。措施:能常采用壓敏吸收進(jìn)行保護(hù)。4.過(guò)電流保護(hù)一般加快速熔斷器進(jìn)行保護(hù),實(shí)際上它不能保護(hù)可控硅,而是保護(hù)變壓器線圈。5.電壓、電流上升率的限制4.均流與晶閘管選擇均流不好,很容易燒壞元件。為了解決均流問(wèn)題,過(guò)去加均流電抗器,噪聲很大,效果也不好,一只一只進(jìn)行對(duì)比,擰螺絲松緊,很盲目,效果差,噪音大,耗能。我們采用的辦法是:用計(jì)算機(jī)程序軟件進(jìn)行動(dòng)態(tài)參數(shù)篩選匹配、編號(hào),裝配時(shí)按其號(hào)碼順序裝配,很間單。每一只元件上都刻有字,以便下更換時(shí)參考。重慶可控硅模塊哪家好