而單向可控硅經(jīng)觸發(fā)后只能從其中陽極向陰極單方行為向?qū)ǎ圆捎每煽毓栌袉坞p向關(guān)系之分。電子生產(chǎn)中常用的SCR,單向MCR-100,雙向TLC336等雙向可控硅按象限來分,又分為四象三端雙向可控硅、三象限雙向可控硅;按包裝:一般分為半塑料包裝、外絕緣全塑料包裝;按觸發(fā)電流來分:分為微觸型、高靈敏度型、標(biāo)準(zhǔn)觸發(fā)型;按電壓分:常規(guī)工作電壓進行品種、高壓品種??煽毓璁a(chǎn)品由于它在電路應(yīng)用中的效率高、控制特性好、壽命長、體積小、功能強等優(yōu)點,自上個世紀(jì)六十長代以來,獲得了迅猛發(fā)展,并已形成了一門單獨的學(xué)科?!熬чl管交流技術(shù)”??煽毓璋l(fā)展到,在工藝上已經(jīng)非常成熟,質(zhì)量更好,收率有了很大的提高,并向高壓大電流發(fā)展??煽毓柙趹?yīng)用電路中的作用體現(xiàn)在:可控整流:如同二極管整流一樣,將交流整流為直流,并且在交流電壓不變的情況下,有效地控制直流輸出電壓的大小即可控整流,實現(xiàn)交流→可變直流之轉(zhuǎn)變;無觸點功率靜態(tài)開關(guān)(固態(tài)開關(guān)):作為功率開關(guān)元件,可控硅可以代替接觸器、繼電器用于開關(guān)頻率很高的場合。因此可控硅元件被廣應(yīng)用于各種電子設(shè)備和電子產(chǎn)品的電路中,多作可控整流、逆變、變頻、調(diào)壓、無觸點開關(guān)等用途。因為它可以像閘門一樣控制電流,所以稱之為“晶體閘流管”。貴州國產(chǎn)晶閘管模塊廠家現(xiàn)貨
定義/晶閘管編輯晶閘管導(dǎo)通條件為:加正向電壓且門極有觸發(fā)電流;其派生器件有:快速晶閘管,雙向晶閘管,逆導(dǎo)晶閘管,光控晶閘管等。它是一種大功率開關(guān)型半導(dǎo)體器件,在電路中用文字符號為“V”、“VT”表示(舊標(biāo)準(zhǔn)中用字母“SCR”表示)。晶閘管(Thyristor)是一種開關(guān)元件,能在高電壓、大電流條件下工作,并且其工作過程可以控制、被應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓、無觸點電子開關(guān)、逆變及變頻等電子電路中,是典型的小電流控制大電流的設(shè)備。1957年,美國通用電器公司開發(fā)出世界上***個晶閘管產(chǎn)品,并于1958年使其商業(yè)化。結(jié)構(gòu)/晶閘管編輯晶閘管它是由一個P-N-P-N四層(4layers)半導(dǎo)體構(gòu)成的,中間形成了三個PN結(jié)。分類/晶閘管編輯晶閘管按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通晶閘管(SCR)、雙向晶閘管(TRIAC)、逆導(dǎo)晶閘管(RCT)、門極關(guān)斷晶閘管(GTO)、BTG晶閘管、溫控晶閘管(TT國外,TTS國內(nèi))和光控晶閘管(LTT)等多種。晶閘管按其引腳和極性可分為二極晶閘管、三極晶閘管和四極晶閘管。晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類型。其中,金屬封裝晶閘管又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種。四川晶閘管模塊咨詢報價晶閘管T在工作過程中,它的陽極A和陰極K與電源和負載連接,組成晶閘管的主電路。
晶閘管陽極與陰極間表現(xiàn)出很大的電阻,處于截止?fàn)顟B(tài)(稱為正向阻斷狀態(tài)),簡稱斷態(tài)。當(dāng)陽極電壓上升到某一數(shù)值時,晶閘管突然由阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)化為導(dǎo)通狀態(tài),簡稱通態(tài)。陽極這時的電壓稱為斷態(tài)不重復(fù)峰值電壓(UDSM),或稱正向轉(zhuǎn)折電壓(UBO)。導(dǎo)通后,元件中流過較大的電流,其值主要由限流電阻(使用時由負載)決定。在減小陽極電源電壓或增加負載電阻時,陽極電流隨之減小,當(dāng)陽極電流小于維持電流IH時,晶閘管便從導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)化為阻斷狀態(tài)。由圖可看出,當(dāng)晶閘管控制極流過正向電流Ig時,晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓降低,Ig越大,轉(zhuǎn)折電壓越小,當(dāng)Ig足夠大時,晶閘管正向轉(zhuǎn)折電壓很小,一加上正向陽極電壓,晶閘管就導(dǎo)通。實際規(guī)定,當(dāng)晶閘管元件陽極與陰極之間加上6V直流電壓時,能使元件導(dǎo)通的控制極**小電流(電壓)稱為觸發(fā)電流(電壓)。在晶閘管陽極與陰極間加上反向電壓時,開始晶閘管處于反向阻斷狀態(tài),只有很小的反向漏電流流過。當(dāng)反向電壓增大到某一數(shù)值時,反向漏電流急劇增大,這時,所對應(yīng)的電壓稱為反向不重復(fù)峰值電壓(URSM),或稱反向轉(zhuǎn)折(擊穿)電壓(UBR)??梢?,晶閘管的反向伏安特性與二極管反向特性類似。晶閘管晶閘管的開通和關(guān)斷的動態(tài)過程的物理過程較為復(fù)雜。
5、其它要求(1)當(dāng)模塊控制變壓器負載時,如果變壓器空載,輸出電流可能會小于晶閘管芯片的擎住電流,導(dǎo)致回路中產(chǎn)生較大直流分量,嚴重時會燒掉保險絲。為了避免出現(xiàn)上述情況,可在模塊輸出端接一固定電阻,一般每相輸出電流不小于500mA(具體數(shù)據(jù)可根據(jù)試驗情況確定)。(2)小規(guī)格模塊主電極無螺釘緊固,極易掀起折斷,接線時應(yīng)注意避免外力或電纜重力將電極拉起折斷。(3)嚴禁將電纜銅線直接壓接在模塊電極上,以防止接觸不良產(chǎn)生附加發(fā)熱。(4)模塊不能當(dāng)作隔離開關(guān)使用。為保證安全,模塊輸入端前面需加空氣開關(guān)。(5)測量模塊工作殼溫時,測試點選擇靠近模塊底板中心的散熱器表面。可將散熱器表面以下橫向打一深孔至散熱器中心,把熱電偶探頭插到孔底。要求該測試點的溫度應(yīng)≤80℃。晶閘管智能模塊晶閘管智能模塊模塊參數(shù)編輯a)工作頻率f為50Hz;b)模塊輸入交流電壓VIN(RMS)范圍:額定電壓為220VAC時為170~250VAC、額定電壓為380VAC時為300~450VAC(輸入電壓低于或高于上述各規(guī)定值時,應(yīng)專門定做);c)三相交流輸出電壓不對稱度<6%;d)控制電源電壓12VDC;e)控制信號:VCON為0~10VDC;f)控制信號電流ICON≤1mA;g)輸出電壓溫度系數(shù)<。正向比較大阻斷電壓,是指門極開路時,允許加在陽極、陰極之間的比較大正向電壓。
晶閘管智能模塊模塊規(guī)格編輯晶閘管智能模塊注意事項編輯1、模塊電流規(guī)格的選取考慮到電網(wǎng)電壓的波動和負載在起動時一般都比其額定電流大幾倍,且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差,建議您在選取模塊電流規(guī)格時應(yīng)留出適當(dāng)裕量。推薦選擇如下:阻性負載:模塊標(biāo)稱電流應(yīng)為負載額定電流的2倍。感性負載:模塊標(biāo)稱電流應(yīng)為負載額定電流的3倍。2、導(dǎo)通角要求模塊在較小導(dǎo)通角時(即模塊高輸入電壓、低輸出電壓)輸出較大電流,這樣會使模塊嚴重發(fā)熱甚至燒毀。這是因為在非正弦波狀態(tài)下用普通儀表測出的電流值,不是有效值,所以,盡管儀表顯示的電流值并未超過模塊的標(biāo)稱值,但有效值會超過模塊標(biāo)稱值的幾倍。因此,要求模塊應(yīng)在較大導(dǎo)通角下(100度以上)工作。3、控制電源要求(1)電壓為DC12V±;紋波電壓≤30mV;輸出電流≥1A;(2)可以采用開關(guān)電源,也可采用線性電源(即變壓器整流式穩(wěn)壓電源)。開關(guān)電源外殼應(yīng)帶屏蔽罩。線性電源要求濾波電容必須≥2200μf/25V。(3)控制電源極性要求正確接入模塊控制端口,嚴禁反接。否則將燒壞模塊控制電路。4、使用環(huán)境要求(1)工作場所環(huán)境溫度范圍:-25℃~+45℃。(2)模塊周圍應(yīng)干燥、通風(fēng)、遠離熱源、無塵、無腐蝕性液體或氣體。其特點是在晶閘管的陽極與陰極之間反向并聯(lián)一只二極管,使陽極與陰極的發(fā)射結(jié)均呈短路狀態(tài)。四川晶閘管模塊咨詢報價
大功率晶閘管多采用金屬殼封裝,而中、小功率晶閘管則多采用塑封或陶瓷封裝。貴州國產(chǎn)晶閘管模塊廠家現(xiàn)貨
當(dāng)主回路電壓(或電流)減小到接近于零時,晶閘管關(guān)斷。工作過程/晶閘管編輯概述晶閘管是四層三端器件,它有J1、J2、J3三個PN結(jié)圖1,可以把它中間的NP分成兩部分,構(gòu)成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復(fù)合管,圖2晶閘管當(dāng)晶閘管承受正向陽極電壓時,為使晶閘管導(dǎo)通,必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用。圖2中每個晶體管的集電極電流同時就是另一個晶體管的基極電流。因此,兩個互相復(fù)合的晶體管電路,當(dāng)有足夠的門極電流Ig流入時,就會形成強烈的正反饋,造成兩晶體管飽和導(dǎo)通,晶體管飽和導(dǎo)通。設(shè)PNP管和NPN管的集電極電流相應(yīng)為Ic1和Ic2;發(fā)射極電流相應(yīng)為Ia和Ik;電流放大系數(shù)相應(yīng)為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik,設(shè)流過J2結(jié)的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和:Ia=Ic1+Ic2+Ic0或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若門極電流為Ig,則晶閘管陰極電流為Ik=Ia+Ig從而可以得出晶閘管陽極電流為:I=(Ic0+Iga2)/(1-(a1+a2))(1—1)式硅PNP管和硅NPN管相應(yīng)的電流放大系數(shù)a1和a2隨其發(fā)射極電流的改變而急劇變化如圖3所示。當(dāng)晶閘管承受正向陽極電壓,而門極未受電壓的情況下,式(1—1)中,Ig=0,(a1+a2)很小。貴州國產(chǎn)晶閘管模塊廠家現(xiàn)貨