共燒技術(shù)(陶瓷粉料和金屬電極共燒)，MLCC元件結(jié)構(gòu)很簡(jiǎn)單，由陶瓷介質(zhì)、內(nèi)電極金屬層和外電極三層金屬層構(gòu)成。MLCC是由多層陶瓷介質(zhì)印刷內(nèi)電極漿料，疊合共燒而成。為此，不可避免地要解決不同收縮率的陶瓷介質(zhì)和內(nèi)電極金屬如何在高溫?zé)珊蟛粫?huì)分層、開(kāi)裂，即陶瓷粉料和金屬電極共燒問(wèn)題。共燒技術(shù)就是解決這一難題的關(guān)鍵技術(shù)，掌握好的共燒技術(shù)可以生產(chǎn)出更薄介質(zhì)(2μm以下)、更高層數(shù)(1000層以上)的MLCC。當(dāng)前日本公司在MLCC燒結(jié)設(shè)備技術(shù)方面早于其它各國(guó)，不僅有各式氮?dú)夥崭G爐(鐘罩爐和隧道爐)，而且在設(shè)備自動(dòng)化、精度方面有明顯的優(yōu)勢(shì)。陶瓷介質(zhì)電容器的絕緣體材料主要使用陶瓷。鉭電容器

在開(kāi)關(guān)電源輸出端用的濾波電容，與工頻電路中選用的濾波電容并不一樣，在工頻電路中用作濾波的普通電解電容器，其上的脈動(dòng)電壓頻率只有100Hz，充放電時(shí)間是毫秒數(shù)量級(jí)，為獲得較小的脈動(dòng)系數(shù)，需要的電容量高達(dá)數(shù)十萬(wàn)微法，因而一般低頻用普通鋁電解電容器制造目標(biāo)是以提高電容量為主，電容器的電容量、損耗角正切值以及漏電流是鑒別其優(yōu)劣的主要參數(shù)。在開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源中作為輸出濾波用的電解電容器，由于大多數(shù)的開(kāi)關(guān)電源工作在方波或矩形波的狀態(tài)，含有及其豐富的高次諧波電壓與電流，其上鋸齒波電壓的頻率高達(dá)數(shù)十千赫，甚至數(shù)十兆赫，它的要求和低頻應(yīng)用時(shí)不同，電容量并不是主要指標(biāo)，衡量它好壞的則是它的阻抗頻率特性。廣東高頻電容電容的本質(zhì)：兩個(gè)相互靠近的導(dǎo)體，中間夾一層不導(dǎo)電的絕緣介質(zhì)，這就構(gòu)成了電容器。

一般來(lái)說(shuō)，它是一個(gè)去耦電容?；蛘邤?shù)字電路通斷時(shí)，對(duì)電源影響很大，造成電源波動(dòng)，需要用電容去耦。通常，容量是芯片開(kāi)關(guān)頻率的倒數(shù)。如果頻率為1MHz，選擇1/1M，即1uF。你可以拿一個(gè)大一點(diǎn)的。比較好有芯片和去耦電容，電源處應(yīng)該有，用的量還是蠻大的。在一般設(shè)計(jì)中，提到通常使用0.1uF和10uF、2.2uF和47uF進(jìn)行電源去耦。在實(shí)際應(yīng)用中如何選擇它們？根據(jù)不同的功率輸出或后續(xù)電路？通常并聯(lián)兩個(gè)電容就夠了，但在某些電路中并聯(lián)更多的電容可能會(huì)更好。不同電容值的電容器并聯(lián)可以在很寬的頻率范圍內(nèi)保證較低的交流阻抗。在運(yùn)算放大器的電源抑制(PSR)能力下降的頻率范圍內(nèi)，電源旁路尤為重要。電容可以補(bǔ)償放大器PSR的下降。在很寬的頻率范圍內(nèi)，這種低阻路徑可以保證噪聲不進(jìn)入芯片。

什么是MLCC片式多層陶瓷電容器(Multi-layerCeramicCapacitor簡(jiǎn)稱MLCC)是電子整機(jī)中主要的被動(dòng)貼片元件之一，它誕生于上世紀(jì)60年代，較早由美國(guó)公司研制成功，后來(lái)在日本公司(如村田Murata、TDK、太陽(yáng)誘電等)迅速發(fā)展及產(chǎn)業(yè)化，至今依然在全球MLCC領(lǐng)域保持優(yōu)勢(shì)，主要表現(xiàn)為生產(chǎn)出MLCC具有高可靠、高精度、高集成、高頻率、智能化、低功耗、大容量、小型化和低成本等特點(diǎn)。MLCC—簡(jiǎn)稱片式電容器，是由印好電極（內(nèi)電極）的陶瓷介質(zhì)膜片以錯(cuò)位的方式疊合起來(lái)，經(jīng)過(guò)一次性高溫?zé)Y(jié)形成陶瓷芯片，再在芯片的兩端封上金屬層（外電極），從而形成一個(gè)類似獨(dú)石的結(jié)構(gòu)體，故也叫獨(dú)石電容器。MLCC的結(jié)構(gòu)主要包括三大部分：陶瓷介質(zhì)，內(nèi)電極，外電極。

MLCC(多層陶瓷電容器)是片式多層陶瓷電容器的縮寫(xiě)。它是由印刷電極(內(nèi)電極)交錯(cuò)疊放的陶瓷介質(zhì)膜片組成，然后通過(guò)一次高溫?zé)Y(jié)形成陶瓷芯片，再在芯片兩端密封金屬層(外電極)，從而形成單片結(jié)構(gòu)，也稱單片電容器。電容的定義：電容的本質(zhì)兩個(gè)相互靠近的導(dǎo)體，中間夾著一層不導(dǎo)電的絕緣介質(zhì)，構(gòu)成一個(gè)電容器。當(dāng)在電容器的兩個(gè)極板之間施加電壓時(shí)，電容器將存儲(chǔ)電荷。電容大?。弘娙萜鞯碾娙菰跀?shù)值上等于一塊導(dǎo)電板上的電荷量與兩塊板之間的電壓之比。電容器電容的基本單位是法拉(f)。在電路圖中，字母C通常用來(lái)表示容性元件。有三種方法可以增大電容：使用高介電常數(shù)的介質(zhì)。增加板間面積。減小板間距離。陶瓷電容容量從0.5pF起步，可以做到100uF，并且根據(jù)電容封裝（尺寸）的不同，容量也會(huì)不同。鉭電容器

鋁電解電容，常見(jiàn)的電性能測(cè)試包括：電容量，損耗角正切，漏電流，額定工作電壓，阻抗等等。鉭電容器

鋁電解電容器是一種非常常見(jiàn)的電容器。鋁電解電容器應(yīng)用普遍：濾波；旁路功能；耦合效應(yīng)；沖擊波吸收；消除噪音；相移；下臺(tái)，以此類推。對(duì)于鋁電解電容器，常見(jiàn)的電性能測(cè)試有電容、損耗角正切、漏電流、額定工作電壓、阻抗等。失效分析案例中，有很多是關(guān)于鋁電解電容器失效的案例。鋁電解電容器常見(jiàn)的失效機(jī)理有哪些？1.泄漏在正常使用環(huán)境下，經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的密封，可能會(huì)發(fā)生泄漏。一般來(lái)說(shuō)，溫度升高、振動(dòng)或密封缺陷都可能加速密封性能的惡化。漏電導(dǎo)致電容減小，等效串聯(lián)電阻增大，功耗相應(yīng)增大。泄漏使工作電解液減少，失去修復(fù)陽(yáng)極氧化膜介質(zhì)的能力，從而失去自愈功能。此外，由于電解液呈酸性，泄漏的電解液會(huì)污染和腐蝕電容器和印刷電路板周?chē)钠渌?。鉭電容器

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