近年來研究者發(fā)現石墨烯由于它獨特的零帶隙結構，對所有波段的光都無選擇性的吸收，且具有超快的恢復時間和較高的損傷閾值。因此利用石墨烯獨特的非線性可飽和吸收特性將其制作成可飽和吸收體應用于調Q摻鉺光纖激光器、被動鎖模光纖激光器已經成為超快脈沖激光器研究領域的熱點。2009年，Bao等[82]人使用單層石墨烯作為鎖模光纖激光器的可飽和吸收體首先實現了通信波段的超短孤子脈沖輸出，脈沖寬度達到了756fs。他們證實了由于泡利阻塞原理，零帶隙材料石墨烯在強激光激發(fā)下可以容易的實現可飽和吸收，而且這種可飽和吸收是與頻率不相關的，即石墨烯作為可飽和吸收體可實現對所有波長的光都有可飽和吸收作用。氧化石墨可以通過用強氧化劑來處理石墨來制備。制造氧化石墨資料

配體交換作用即：氧化石墨烯上原有的配位體被溶液中的金屬離子所取代，并以配位鍵的形式生成不溶于水的配合物，**終通過簡單的過濾即可從溶液中去除。Tang等47對Fe與GO（質量比為1：7.5）復合及Fe與Mn（摩爾比為3∶1）復合的氧化石墨烯/鐵-錳復合材料（GO/Fe-Mn）進行了吸附研究，通過一系列的實驗表明，氧化石墨烯對Hg2+的吸附機理主要是配體交換作用，其比較大吸附量達到32.9mg/g。Hg2+可在水環(huán)境中形成Hg(OH)2，與鐵錳氧化物中的活性點位（如-OH）發(fā)生配體交換作用，從而將Hg(OH)2固定在氧化石墨烯/鐵-錳復合材料上，達到去除水環(huán)境中Hg2+的目的。氧化石墨烯經一定功能化處理后可發(fā)揮更大的性能優(yōu)勢，例如大比表面積、高敏感度和高選擇性等，這些特性對于氧化石墨烯作為吸附劑吸附水環(huán)境中的金屬離子有著重要的作用。制備氧化石墨性能石墨烯具有很好的電學性質，但氧化石墨本身卻是絕緣體(或是半導體)。

由于較低的毒性和良好的生物相容性，石墨烯材料在細胞成像方面**了一股研究熱潮。石墨烯及其衍生物本身具有特殊的平面結構和光學性質，或者經過熒光染料分子標記之后，可用于體外細胞與***光學成像[63-66]，使其在**顯像和***方面具有很大的應用前景。Dai課題組[67]***利用納米尺寸的聚乙二醇功能化氧化石墨烯(GO-PEG)的近紅外發(fā)光性質用于細胞成像。他們將抗體利妥昔單抗（anti-CD20）與納米GO-PEG共價結合形成納米GO-PEG-anti-CD20，然后將納米GO-PEG和納米GO-PEG-anti-CD20與B細胞或T細胞在培養(yǎng)液中4℃培養(yǎng)1h，培養(yǎng)液中納米GO-PEG的濃度大約為0.7mg/ml，結果發(fā)現B細胞淋巴瘤具有強熒光，而T淋巴母細胞的熒光強度則很弱。另外，通過對GO進行80℃熱處理17天后，再利用200W的超聲對GO溶液處理2h，得到的GO在紫外光(266–340nm)的照射下顯示出藍色熒光。

氧化石墨烯表面的-OH和-COOH等官能團含有孤對電子，可作為配位體與具有空的價電子軌道的金屬離子發(fā)生絡合反應，生成不溶于水的絡合物，從而有效去除溶液中的金屬離子。Madadrang等45制得乙二胺四乙酸/氧化石墨烯復合材料（EDTA-GO），通過研究發(fā)現其對金屬離子的吸附機制主要為絡合反應，即氧化石墨烯的表面官能團與水中的金屬離子反應形成復雜的絡合物，具體過程如圖8.7所示，由于形成的絡合物不溶于水，可通過沉淀等作用分離去除水中的金屬離子。將氧化石墨暴露在強脈沖光線下，例如氙氣燈也能得到石墨烯。

當前社會的快速發(fā)展造成了嚴重的重金屬離子污染，重金屬離子毒性大、分布廣、難降解，一旦進入生態(tài)環(huán)境，嚴重威脅人類的生命健康。目前，含重金屬離子廢水的處理方法主要有化學沉淀法、膜分離法、離子交換法、吸附法等等。而使用納米材料吸附重金屬離子成為當前科研人員的研究熱點。相對活性炭、碳納米管等碳基吸附材料，氧化石墨烯的比表面積更大，表面官能團（如羧基、環(huán)氧基、羥基等）更為豐富，具有很好的親水性，可以與金屬離子作用富集分離水相中的金屬離子；同時，氧化石墨烯片層可交聯(lián)極性小分子或聚合物制備出氧化石墨烯納米復合材料，吸附特性更加優(yōu)異。石墨原料片徑大小、純度高低等以及合成方法不同，因此導致所合成出來的GO片的大小有差異。制備氧化石墨性能

氧化石墨烯表面的-OH和-COOH等官能團含有孤對電子。制造氧化石墨資料

氧化石墨烯同時具有熒光發(fā)射和熒光淬滅特性，廣義而言，其自身已經可以作為一種傳感材料，在生物、醫(yī)學領域的應用充分說明了這一點。經過功能化的氧化石墨烯/還原氧化石墨烯在更加***的領域內得到了應用，特別在光探測、光學成像、新型光源、非線性器件等光電傳感相關領域有著豐富的應用。光電探測器是石墨烯問世后**早應用的領域之一。2009年,Xia等利用機械剝離的石墨烯制備出了***個石墨烯光電探測器（MGPD）[2]，如圖9.6，以1-3層石墨烯作為有源層，Ti/Pd/Au作源漏電極，Si作為背柵極并在其上沉淀300nm厚的SiO2，在電極和石墨烯的接觸面上因為功函數的不同，能帶會發(fā)生彎曲并產生內建電場。制造氧化石墨資料