晶閘管的主要電參數(shù)有正向轉(zhuǎn)折電壓VBO、正向平均漏電流IFL、反向漏電流IRL、斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM、反向重復(fù)峰值電壓VRRM、正向平均壓降VF、通態(tài)平均電流IT、門(mén)極觸發(fā)電壓VG、門(mén)極觸發(fā)電流IG、門(mén)極反向電壓和維持電流IH等。(一)晶閘管正向轉(zhuǎn)折電壓VBO晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓VBO是指在額定結(jié)溫為100℃且門(mén)極(G)開(kāi)路的條件下,在其陽(yáng)極(A)與陰極(K)之間加正弦半波正向電壓、使其由關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)時(shí)所對(duì)應(yīng)的峰值電壓。(二)晶閘管斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM,是指晶閘管在正向阻斷時(shí),允許加在A、K(或T1、T2)極間比較大的峰值電壓。此電壓約為正向轉(zhuǎn)折電壓減去100V后的電壓值。(三)晶閘管通態(tài)平均電流IT通態(tài)平均電流IT,是指在規(guī)定環(huán)境溫度和標(biāo)準(zhǔn)散熱條件下,晶閘管正常工作時(shí)A、K(或T1、T2)極間所允許通過(guò)電流的平均值。(四)反向擊穿電壓VBR反向擊穿電壓是指在額定結(jié)溫下,晶閘管陽(yáng)極與陰極之間施加正弦半波反向電壓,當(dāng)其反向漏電電流急劇增加時(shí)反對(duì)應(yīng)的峰值電壓。(五)晶閘管反向重復(fù)峰值電壓VRRM反向重復(fù)峰值電壓VRRM,是指晶閘管在門(mén)極G斷路時(shí),允許加在A、K極間的比較大反向峰值電壓。此電壓約為反向擊穿電壓減去100V后的峰值電壓。。正高電氣講誠(chéng)信,重信譽(yù),多面整合市場(chǎng)推廣。泰安反并聯(lián)晶閘管模塊生產(chǎn)廠家
即俗稱底板是否帶電。絕緣型的模塊多用在交流焊機(jī)中,如應(yīng)用于點(diǎn)焊、電阻焊機(jī)中的晶閘管模塊MTX系列;應(yīng)用于CO2氣體保護(hù)焊機(jī)、WSM普通焊機(jī)等MTG系列模塊。各焊機(jī)應(yīng)用晶閘管模塊在下表中簡(jiǎn)述:整機(jī)種類使用模塊常見(jiàn)主回路形式電路特點(diǎn)S可控硅直流氬弧焊機(jī)MFG單相全波整流CO2氣保焊機(jī)MDG雙反星并聯(lián)(帶平衡電抗器)CO2氣保焊機(jī)MTG雙反星并聯(lián)(帶平衡電抗器)逆變焊機(jī)變頻器MDCMDQMDS單相或三相整流橋點(diǎn)焊機(jī)MTXMTC電子開(kāi)關(guān)三、CO2焊機(jī)**晶閘管MTG模塊:l模塊內(nèi)部電路圖:l焊機(jī)**MTG模塊特點(diǎn)簡(jiǎn)介:2MTG模塊是由三只共陽(yáng)極晶閘管封裝在一起的模塊化結(jié)構(gòu)組件。模塊內(nèi)管芯參數(shù)針對(duì)焊機(jī)特點(diǎn)專門(mén)設(shè)計(jì),額定結(jié)溫高、通態(tài)壓降低、通流和過(guò)載能力強(qiáng)動(dòng)態(tài)性能的一致性好、耐疲勞性強(qiáng),免除螺栓式晶閘管裝機(jī)前參數(shù)挑選和配對(duì)的難題,提高工效。2焊機(jī)目前正朝模塊化方向發(fā)展,而且由于裝配,調(diào)試,維修簡(jiǎn)單;整機(jī)裝置美觀大方等優(yōu)點(diǎn);能明顯地提升焊機(jī)品位,因此模塊應(yīng)用會(huì)越來(lái)越。l適用焊機(jī)典型主回路形式:適用于雙反星并聯(lián)帶平衡電抗器電路l焊機(jī)額定輸出電流對(duì)模塊的選擇:見(jiàn)下表焊機(jī)型號(hào)適用主回路焊機(jī)額定輸出電流MTGMTG。山東反并聯(lián)晶閘管模塊品牌正高電氣公司將以質(zhì)量的產(chǎn)品,完善的服務(wù)與尊敬的用戶攜手并進(jìn)!
1、過(guò)流保護(hù)如果想得到較安全的過(guò)流保護(hù),建議用戶優(yōu)先使用內(nèi)部帶過(guò)流保護(hù)作用的模塊。另外還可采用外接快速熔斷器、快速過(guò)電流繼電器、傳感器的方法??焖偃蹟嗥魇?*簡(jiǎn)單常用的方法,介紹如下:(1)快速熔斷器的選擇:①、熔斷器的額定電壓應(yīng)大于模塊輸入端電壓;②、熔斷器的額定電流應(yīng)為模塊標(biāo)稱輸入電流的,按照計(jì)算值選擇相同電流或稍大一點(diǎn)的熔斷器。模塊輸入、輸出電流的換算關(guān)系參考本本博客有關(guān)文章。用戶也可根據(jù)經(jīng)驗(yàn)和試驗(yàn)自行確定熔斷器的額定電流。(2)接線方法:快速熔斷器接在模塊的輸入端,負(fù)載接輸出端。2、過(guò)壓保護(hù)晶閘管承受過(guò)電壓的能力較差,當(dāng)元件承受的反向電壓超過(guò)其反向擊穿電壓時(shí),即使時(shí)間很短,也會(huì)造成元件反向擊穿損壞。如果正向電壓超過(guò)晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓,會(huì)引起晶閘管硬開(kāi)通,它不僅使電路工作失常,且多次硬開(kāi)通后元件正向轉(zhuǎn)折電壓要降低,甚至失去正向阻斷能力而損壞。因此必須采用過(guò)電壓保護(hù)措施用以晶閘管上可能出現(xiàn)的過(guò)電壓。模塊的過(guò)壓保護(hù),推薦采用阻容吸收和壓敏電阻兩種方式并用的保護(hù)措施。(1)阻容吸收回路晶閘管從導(dǎo)通到阻斷時(shí),和開(kāi)關(guān)電路一樣,因線路電感(主要是變壓器漏感LB)釋放能量會(huì)產(chǎn)生過(guò)電壓。
漏電流:指加一半標(biāo)稱直流電壓時(shí)測(cè)得的流過(guò)壓敏電阻的電流。由于壓敏電阻的通流容量大,殘壓低,過(guò)電壓能力強(qiáng);平時(shí)漏電流小,放電后不會(huì)有續(xù)流,元件的標(biāo)稱電壓等級(jí)多,便于用戶選擇;伏安特性是對(duì)稱的,可用于交、直流或正負(fù)浪涌;因此用途較廣。2、過(guò)電流保護(hù)由于半導(dǎo)體器件體積小、熱容量小,特別像晶閘管這類高電壓大電流的功率器件,結(jié)溫必須受到嚴(yán)格的控制,否則將遭至徹底損壞。當(dāng)晶閘管中流過(guò)大于額定值的電流時(shí),熱量來(lái)不及散發(fā),使得結(jié)溫迅速升高,**終將導(dǎo)致結(jié)層被燒壞。產(chǎn)生過(guò)電流的原因是多種多樣的,例如,變流裝置本身晶閘管損壞,觸發(fā)電路發(fā)生故障,控制系統(tǒng)發(fā)生故障等,以及交流電源電壓過(guò)高、過(guò)低或缺相,負(fù)載過(guò)載或短路,相鄰設(shè)備故障影響等。晶閘管過(guò)電流保護(hù)方法**常用的是快速熔斷器。由于普通熔斷器的熔斷特性動(dòng)作太慢,在熔斷器尚未熔斷之前晶閘管已被燒壞;所以不能用來(lái)保護(hù)晶閘管。正高電氣優(yōu)良的研發(fā)與生產(chǎn)團(tuán)隊(duì),專業(yè)的技術(shù)支撐。
晶閘管模塊的工作原理
在晶閘管模塊T的工作過(guò)程中,晶閘管模塊的陽(yáng)極A和陰極K與電源和負(fù)載相連,構(gòu)成晶閘管模塊的主電路。晶閘管模塊的柵極G和陰極K與控制可控硅的裝置相連,形成晶閘管模塊的控制電路。
從晶閘管模塊的內(nèi)部分析工作過(guò)程:
晶閘管模塊是一種四層三端器件。它有J1、J2和J3的三個(gè)pn結(jié)圖。中間的NP可分為PNP型三極管和NPN型三極管兩部分。
當(dāng)晶閘管模塊承載正向陽(yáng)極電壓時(shí),為了制造晶閘管模塊導(dǎo)體銅,承受反向電壓的pn結(jié)J2必須失去其阻擋作用。每個(gè)晶體管的集電極電流同時(shí)是另一個(gè)晶體管的基極電流。因此,當(dāng)有足夠的柵極電流Ig流入時(shí),兩個(gè)復(fù)合晶體管電路會(huì)形成較強(qiáng)的正反饋,從而導(dǎo)致兩個(gè)晶體管飽和導(dǎo)通,晶體管飽和導(dǎo)通。 正高電氣以誠(chéng)信為根本,以質(zhì)量服務(wù)求生存。河北可控硅集成調(diào)壓模塊價(jià)格
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產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過(guò)PNP管的發(fā)射結(jié),并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)。這樣強(qiáng)烈的正反饋過(guò)程迅速進(jìn)行。從圖3,當(dāng)a1和a2隨發(fā)射極電流增加而(a1+a2)≈1時(shí),式(1—1)中的分母1-(a1+a2)≈0,因此提高了晶閘管的陽(yáng)極電流Ia.這時(shí),流過(guò)晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定。晶閘管已處于正向?qū)顟B(tài)。式(1—1)中,在晶閘管導(dǎo)通后,1-(a1+a2)≈0,即使此時(shí)門(mén)極電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來(lái)的陽(yáng)極電流Ia而繼續(xù)導(dǎo)通。晶閘管在導(dǎo)通后,門(mén)極已失去作用。在晶閘管導(dǎo)通后,如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻,使陽(yáng)極電流Ia減小到維持電流IH以下時(shí),由于a1和a1迅速下降,當(dāng)1-(a1+a2)≈0時(shí),晶閘管恢復(fù)阻斷狀態(tài)??申P(guān)斷晶閘管GTO(GateTurn-OffThyristor)亦稱門(mén)控晶閘管。其主要特點(diǎn)為,當(dāng)門(mén)極加負(fù)向觸發(fā)信號(hào)時(shí)晶閘管能自行關(guān)斷。前已述及,普通晶閘管(SCR)靠門(mén)極正信號(hào)觸發(fā)之后,撤掉信號(hào)亦能維持通態(tài)。欲使之關(guān)斷,必須切斷電源,使正向電流低于維持電流IH,或施以反向電壓強(qiáng)近關(guān)斷。這就需要增加換向電路。不僅使設(shè)備的體積重量增大,而且會(huì)降低效率,產(chǎn)生波形失真和噪聲??申P(guān)斷晶閘管克服了上述缺點(diǎn)。泰安反并聯(lián)晶閘管模塊生產(chǎn)廠家
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