產(chǎn)品特性與用途二氧化鉿(HfO2)是一種具有較高介電常數(shù)的氧化物。作為一種介電材料，因其較高的介電常數(shù)值(~20)，較大的禁帶寬度(~5.5eV)，以及在硅基底上良好的穩(wěn)定性，HfO2被認(rèn)為是替代場效應(yīng)晶體管中傳統(tǒng)SiO2介電層的理想材料。如果互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體器件尺寸低于1μm，以二氧化硅為傳統(tǒng)柵介質(zhì)的技術(shù)會(huì)帶來芯片的發(fā)熱量增加、多晶硅損耗等一系列問題，隨著晶體管的尺寸縮小，二氧化硅介質(zhì)要求必須越來Chemicalbook越薄，但是漏電流的數(shù)值會(huì)因?yàn)榱孔有?yīng)的影響隨著二氧化硅介質(zhì)厚度的較小而急劇升高，所以急需一種更可行的物質(zhì)來取代二氧化硅作為柵介質(zhì)。二氧化鉿是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料，近來在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起極度的關(guān)注，由于它很可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO2)，以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO2/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸極限問題。生產(chǎn)方法當(dāng)加熱到高溫時(shí)鉿與氧直接化合生成氧化鉿。也可通過其硫酸鹽或草酸鹽經(jīng)灼燒而得。氧化鉿的穩(wěn)定性和反應(yīng)活性？吉林分析純氧化鉿

性質(zhì)氧化鉿為白色立方晶體，比重9.68。熔點(diǎn)2，758±25℃。沸點(diǎn)約5，400℃。單斜晶系的二氧化鉿在1，475～1，600℃足量氧氣氛中轉(zhuǎn)化為四方晶系。不溶于水和一般無機(jī)酸，但在氫氟酸中緩慢溶解?；瘜W(xué)反應(yīng)與熱的濃硫酸或酸式硫酸鹽作用形成硫酸鉿[ChemicalbookHf(SO4)2]，與碳混合后加熱通氯生成四氯化鉿(HfCl4)，與氟硅酸鉀作用生成氟鉿酸鉀(K2HfF6)，與碳在1，500℃以上作用形成碳化鉿HfC。制備氧化鉿可由鉿的碳化物、四氯化物、硫化物、硼化物、氮化物或水合氧化物直接高溫灼燒制取。應(yīng)用領(lǐng)域北京氧化鉿供應(yīng)氧化鉿的CAS登錄號(hào)是多少？

中文名稱:氧化鉿中文同義詞:氧化鉿(III);Hafnium(IV)鎜xide(99.998%-Hf)PURATREM;氧化鉿(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZR<1.5%;氧化鉿;氧化鉿,99.95%,(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICALLY<0.5%;氧化鉿,SPECTROGRAPHICGRADE,99.9%(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICALLY<50PPM;氧化鉿(IV),99.995%,(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICALLY<0.2%;氧化鉿,99.95%,(METALSChemicalbookBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICALLY英文名稱:HAFNIUMOXIDE英文同義詞:HAFNIUMOXIDE,99.99%;HafniuM(IV)oxide,99.99%,(traceMetalbasis);dioxohafniuM;HafniuM(IV)oxide,(traceMetalbasis);Hafnium(IV)oxidepowder,98%;Hafniumoxide/99.999%;HAFNIUMOXIDE,99.8%;HAFNIUMOXIDE,99.9%HAFNIUMOXIDE,99.9%HAFNIUMOXIDE,99.9%HAFNIUMOXIDE,99.9%

產(chǎn)品特性與用途二氧化鉿(HfO2)是一種具有較高介電常數(shù)的氧化物。作為一種介電材料，因其較高的介電常數(shù)值(~20)，較大的禁帶寬度(~5.5eV)，以及在硅基底上良好的穩(wěn)定性，HfO2被認(rèn)為是替代場效應(yīng)晶體管中傳統(tǒng)SiO2介電層的理想材料。如果互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體器件尺寸低于1μm，以二氧化硅為傳統(tǒng)柵介質(zhì)的技術(shù)會(huì)帶來芯片的發(fā)熱量增加、多晶硅損耗等一系列問題，隨著晶體管的尺寸縮小，二氧化硅介質(zhì)要求必須越來越薄，但是漏電流的數(shù)值會(huì)因?yàn)榱孔有hemicalbook應(yīng)的影響隨著二氧化硅介質(zhì)厚度的較小而急劇升高，所以急需一種更可行的物質(zhì)來取代二氧化硅作為柵介質(zhì)。二氧化鉿是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料，近來在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起極度的關(guān)注，由于它很可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO2)，以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO2/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸極限問題。用途為生產(chǎn)金屬鉿和鉿合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化劑。氧化鉿的毒理學(xué)數(shù)據(jù)？

應(yīng)用領(lǐng)域氧化鉿（HfO2）為鋯鉿分離的產(chǎn)物，目前只有美、法等國家在生產(chǎn)核級(jí)鋯時(shí)產(chǎn)生有氧化鉿。中國早期就已經(jīng)具備生產(chǎn)核級(jí)Zr，并生產(chǎn)少量氧化鉿的能力。但是產(chǎn)品數(shù)量稀少，價(jià)格昂貴。作為鉿的主要化學(xué)產(chǎn)品，通常用作光學(xué)鍍膜材料，很少量開始試用于高效集成電路，氧化鉿在**領(lǐng)域的應(yīng)用尚待開發(fā)。氧化鉿在光學(xué)鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用HfO2的熔點(diǎn)比較高、同時(shí)鉿原子的吸收截面較大Chemicalbook，捕獲中子的能力強(qiáng)，化學(xué)性質(zhì)特別穩(wěn)定，因此在原子能工業(yè)中具有非常大應(yīng)用的價(jià)值。自上世紀(jì)以來，光學(xué)鍍膜得到了很快的發(fā)展，HfO2在光學(xué)方面的特性已經(jīng)越來越適應(yīng)光學(xué)鍍膜技術(shù)的要求，所以HfO2在鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用也越來越***，特別是它對(duì)光有比較寬的透明波段，在光透過氧化鉿薄膜時(shí)，對(duì)光的吸收少，大部分通過折射透過薄膜，因此HfO2在光學(xué)鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用越來越被重視。生產(chǎn)方法當(dāng)加熱到高溫時(shí)鉿與氧直接化合生成氧化鉿。也可通過其硫酸鹽或草酸鹽經(jīng)灼燒而得。氧化鉿的折射率是多少？廣西氧化鉿代理價(jià)錢

氧化鉿的銷售價(jià)格是多少？吉林分析純氧化鉿

產(chǎn)品特點(diǎn)：白色粉末，有單斜、四方和立方三種晶體結(jié)構(gòu)。密度分別為10.3，10.1和9.68g/cm3。熔點(diǎn)2780~2920K。沸點(diǎn)5400K。氧化鉿 性質(zhì)熔點(diǎn) 2810 °C密度 9.68 g/mL at 25 °C(lit.)折射率 2.13 (1700 nm)熱膨脹系數(shù)5.8×10-6/℃。不溶于水、鹽酸和硝酸，可溶于濃硫酸和氟氫酸。由硫酸鉿、氯氧化鉿等化合物熱分解或水解制取。為生產(chǎn)金屬鉿和鉿合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化劑。產(chǎn)品應(yīng)用：二氧化鉿(HfO?)是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料，近來在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起極度的關(guān)注，由于它可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO?)，以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO?/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸極限問題。吉林分析純氧化鉿