中文名稱:氧化鉿分子式:HfO?英文名稱:Hafnium(IV)oxide英文別名:Hafniumoxideoffwhitepowder;Hafniumdioxide;Hafniumoxidesinteredlumps;Hafnium(IV)鎜xide(99.998%-Hf)PURATREM;Hafniumoxide;hafnium(+4)cation;oxygen(-2)anion;dioxohafniumEINECS:235-013-2分子量:210.4888應用領域氧化鉿（HfO2）為鋯鉿分離的產(chǎn)物，目前只有美、法等國家在生產(chǎn)核級鋯時產(chǎn)生有氧化鉿。中國早期就已經(jīng)具備生產(chǎn)核級Zr，并生產(chǎn)少量氧化鉿的能力。但是產(chǎn)品數(shù)量稀少，價格昂貴。作為鉿的主要化學產(chǎn)品，通常用作光學鍍膜材料，很少量開始試用于高效集成電路，氧化鉿在**領域的應用尚待開發(fā)。氧化鉿在光學鍍膜領域的應用HfO2的熔點比較高、同時鉿原子的吸收截面較大Chemicalbook，捕獲中子的能力強，化學性質(zhì)特別穩(wěn)定，因此在原子能工業(yè)中具有非常大應用的價值。自上世紀以來，光學鍍膜得到了很快的發(fā)展，HfO2在光學方面的特性已經(jīng)越來越適應光學鍍膜技術的要求，所以HfO2在鍍膜領域的應用也越來越***，特別是它對光有比較寬的透明波段，在光透過氧化鉿薄膜時，對光的吸收少，大部分通過折射透過薄膜，因此HfO2在光學鍍膜領域的應用越來越被重視。氧化鉿的分子量是多少？河南氧化鉿市價

氧化鉿物理化學性質(zhì)密度9.68熔點2812oC分子式HfO2分子量210.48900精確質(zhì)量211.93600PSA34.14000外觀性狀粉末折射率2.13(1700nm)儲存條件常溫密閉，陰涼通風干燥穩(wěn)定性常溫常壓下穩(wěn)定避免的物料酸計算化學1、氫鍵供體數(shù)量：12、氫鍵受體數(shù)量：23、可旋轉(zhuǎn)化學鍵數(shù)量：04、拓撲分子極性表面積（TPSA）：34.15、重原子數(shù)量：36、表面電荷：07、復雜度：18.38、同位素原子數(shù)量：09、確定原子立構中心數(shù)量：010、不確定原子立構中心數(shù)量：011、確定化學鍵立構中心數(shù)量：012、不確定化學鍵立構中心數(shù)量：013、共價鍵單元數(shù)量：1。新疆氧化鉿的安全風險氧化鉿的物理化學性質(zhì)？

應用領域氧化鉿（HfO2）為鋯鉿分離的產(chǎn)物，目前只有美、法等國家在生產(chǎn)核級鋯時產(chǎn)生有氧化鉿。中國早期就已經(jīng)具備生產(chǎn)核級Zr，并生產(chǎn)少量氧化鉿的能力。但是產(chǎn)品數(shù)量稀少，價格昂貴。作為鉿的主要化學產(chǎn)品，通常用作光學鍍膜材料，很少量開始試用于高效集成電路，氧化鉿在**領域的應用尚待開發(fā)。氧化鉿在光學鍍膜領域的應用HfO2的熔點比較高、同時鉿原子的吸收截面較大Chemicalbook，捕獲中子的能力強，化學性質(zhì)特別穩(wěn)定，因此在原子能工業(yè)中具有非常大應用的價值。自上世紀以來，光學鍍膜得到了很快的發(fā)展，HfO2在光學方面的特性已經(jīng)越來越適應光學鍍膜技術的要求，所以HfO2在鍍膜領域的應用也越來越***，特別是它對光有比較寬的透明波段，在光透過氧化鉿薄膜時，對光的吸收少，大部分通過折射透過薄膜，因此HfO2在光學鍍膜領域的應用越來越被重視。生產(chǎn)方法當加熱到高溫時鉿與氧直接化合生成氧化鉿。也可通過其硫酸鹽或草酸鹽經(jīng)灼燒而得。

產(chǎn)品特性與用途二氧化鉿(HfO2)是一種具有較高介電常數(shù)的氧化物。作為一種介電材料，因其較高的介電常數(shù)值(~20)，較大的禁帶寬度(~5.5eV)，以及在硅基底上良好的穩(wěn)定性，HfO2被認為是替代場效應晶體管中傳統(tǒng)SiO2介電層的理想材料。如果互補金屬氧化物半導體器件尺寸低于1μm，以二氧化硅為傳統(tǒng)柵介質(zhì)的技術會帶來芯片的發(fā)熱量增加、多晶硅損耗等一系列問題，隨著晶體管的尺寸縮小，二氧化硅介質(zhì)要求必須越來越薄，但是漏電流的數(shù)值會因為量子效Chemicalbook應的影響隨著二氧化硅介質(zhì)厚度的較小而急劇升高，所以急需一種更可行的物質(zhì)來取代二氧化硅作為柵介質(zhì)。二氧化鉿是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料，近來在工業(yè)界特別是微電子領域被引起極度的關注，由于它很可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO2)，以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO2/Si結構的發(fā)展的尺寸極限問題。用途為生產(chǎn)金屬鉿和鉿合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化劑。氧化鉿的化學性質(zhì)有哪些？

氧化鉿用途與合成方法物理性質(zhì)氧化鉿（HfO2）是白色晶體粉末。純氧化鉿以三種形式存在，一種是無定型狀態(tài)，另外兩種為晶體。在＜400℃煅燒氫氧化鉿、氧氯化鉿等不穩(wěn)定的化合物時，可以得到無定型氧化鉿。將其氧化鉿繼續(xù)加熱至450~480℃，開始轉(zhuǎn)化為單斜晶體，繼續(xù)加熱至1000~1650℃發(fā)生晶格常數(shù)逐步增加的趨勢，并轉(zhuǎn)化為4個氧化鉿分子的單體。當1700~Chemicalbook1865℃時開始轉(zhuǎn)化為四方晶系。向氧化鉿中添加少量氧化鎂、氧化鈣、氧化錳等氧化鉿，在1500℃以上可以形成面心立方晶格的固溶體。如向氧化鉿中加8%~20%氧化鈣，則晶格常數(shù)α相應從0.5082nm增加至0.5098nm。若添加的量達到形成CaHfO3時，則晶體結構轉(zhuǎn)化為菱形晶系。單斜晶體氧化鉿的密度為9.68g/cm3，熔點3031K，沸點5673K。氧化鉿結構1氧化鉿的折射率是多少？正規(guī)氧化鉿作用用途

氧化鉿的 共價鍵單元數(shù)量？河南氧化鉿市價

常用名氧化鉿英文名hafniumoxideCAS號12055-23-1分子量210.48900密度9.68沸點N/A分子式HfO2熔點2812oCMSDS閃點N/A。

氧化鉿用途用于光譜分析及催化劑體系，耐熔材料。儲存條件常溫密閉，陰涼通風干燥穩(wěn)定性常溫常壓下穩(wěn)定避免的物料酸計算化學1、氫鍵供體數(shù)量：12、氫鍵受體數(shù)量：23、可旋轉(zhuǎn)化學鍵數(shù)量：04、拓撲分子極性表面積（TPSA）：34.15、重原子數(shù)量：36、表面電荷：07、復雜度：18.38、同位素原子數(shù)量：09、確定原子立構中心數(shù)量：010、不確定原子立構中心數(shù)量：011、確定化學鍵立構中心數(shù)量：012、不確定化學鍵立構中心數(shù)量：013、共價鍵單元數(shù)量：1 河南氧化鉿市價