光刻是集成電路制造中利用光學(xué)-化學(xué)反應(yīng)原理和化學(xué)、物理刻蝕方法，將電路圖形傳遞到單晶表面或介質(zhì)層上，形成有效圖形窗口或功能圖形的工藝技術(shù)。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，光刻技術(shù)傳遞圖形的尺寸限度縮小了2～3個(gè)數(shù)量級(jí)（從毫米級(jí)到亞微米級(jí)），已從常規(guī)光學(xué)技術(shù)發(fā)展到應(yīng)用電子束、X射線、微離子束、激光等新技術(shù)；使用波長已從4000埃擴(kuò)展到0.1埃數(shù)量級(jí)范圍。光刻技術(shù)成為一種精密的微細(xì)加工技術(shù)。光刻也是平面型晶體管和集成電路生產(chǎn)中的一個(gè)主要工藝。是對(duì)半導(dǎo)體晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)進(jìn)行開孔，以便進(jìn)行雜質(zhì)的定域擴(kuò)散的一種加工技術(shù)。一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對(duì)準(zhǔn)曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕、檢測等工序。從硅圓片制成一個(gè)一個(gè)的半導(dǎo)體器件，按大工序可分為前道工藝和后道工藝。福建生物芯片半導(dǎo)體器件加工工廠

在MOS場效應(yīng)管的制作工藝中，多晶硅是作為電極材料（柵極）用的，用多晶硅構(gòu)成電阻的結(jié)構(gòu)。它的薄層電阻值一般為30~200歐姆/方。當(dāng)用多晶硅作為大阻值電阻時(shí)，可另外再加上一次光刻，用離子注入較小劑量來得到，其阻值可達(dá)10千歐/方。MOS管電阻。由于多晶硅下面有厚的氧化層與電路隔離，其寄生電容大幅度減小，但多晶硅電阻的薄層電阻大小，除與離子注入劑量有關(guān)外，還與多晶硅的厚度，多晶硅淀積質(zhì)量等因素有關(guān)，因此，用于做精密電阻還是困難的。山西新能源半導(dǎo)體器件加工費(fèi)用光刻的優(yōu)點(diǎn)是它可以精確地控制形成圖形的形狀、大小，此外它可以同時(shí)在整個(gè)芯片表面產(chǎn)生外形輪廓。

干法刻蝕又分為三種：物理性刻蝕、化學(xué)性刻蝕、物理化學(xué)性刻蝕。其中物理性刻蝕又稱為濺射刻蝕。很明顯，該濺射刻蝕靠能量的轟擊打出原子的過程和濺射非常相像。（想象一下，如果有一面很舊的土墻，用足球用力踢過去，可能就會(huì)有墻面的碎片從中剝離）這種極端的刻蝕方法方向性很強(qiáng)，可以做到各向異性刻蝕，但不能進(jìn)行選擇性刻蝕。化學(xué)性刻蝕利用等離子體中的化學(xué)活性原子團(tuán)與被刻蝕材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而實(shí)現(xiàn)刻蝕目的。由于刻蝕的中心還是化學(xué)反應(yīng)（只是不涉及溶液的氣體狀態(tài)），因此刻蝕的效果和濕法刻蝕有些相近，具有較好的選擇性，但各向異性較差。

光刻機(jī)又名：掩模對(duì)準(zhǔn)曝光機(jī)，曝光系統(tǒng)，光刻系統(tǒng)等，是制造芯片的中心裝備。它采用類似照片沖印的技術(shù)，把掩膜版上的精細(xì)圖形通過光線的曝光印制到硅片上。光刻膠是光刻工藝中較關(guān)鍵材料，國產(chǎn)替代需求緊迫。光刻工藝是指在光照作用下，借助光刻膠將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到基片上的技術(shù)，在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，隨著集成電路線寬縮小、集成度大為提升，光刻工藝技術(shù)難度大幅提升，成為延續(xù)摩爾定律的關(guān)鍵技術(shù)之一。同時(shí)，器件和走線的復(fù)雜度和密集度大幅度提升，高級(jí)制程關(guān)鍵層次需要兩次甚至多次曝光來實(shí)現(xiàn)。其中，光刻膠的質(zhì)量和性能是影響集成電路性能、成品率及可靠性的關(guān)鍵因素。退火爐是半導(dǎo)體器件制造中使用的一種工藝設(shè)備。

MEMS采用類似集成電路(IC)的生產(chǎn)工藝和加工過程，用硅微加工工藝在一硅片上可同時(shí)制造成百上千個(gè)微型機(jī)電裝置或完整的MEMS。使MEMS有極高的自動(dòng)化程度，批量生產(chǎn)可大幅度降低生產(chǎn)成本;而且地球表層硅的含量為2%。幾乎取之不盡，因此MEMS產(chǎn)品在經(jīng)濟(jì)性方面更具競爭力。MEMS可以把不同功能、不同敏感方向或制動(dòng)方向的多個(gè)傳感器或執(zhí)行器集成于一體，或形成微傳感器陣列和微執(zhí)行器陣列。甚至把多種功能的器件集成在一起，形成復(fù)雜的微系統(tǒng)。微傳感器、微執(zhí)行器和微電子器件的集成可制造出高可靠性和穩(wěn)定性的微型機(jī)電系統(tǒng)。光刻工藝是半導(dǎo)體器件制造工藝中的一個(gè)重要步驟。貴州超表面半導(dǎo)體器件加工公司

用硅片制造晶片主要是制造晶圓上嵌入電子元件(如電晶體、電容、邏輯閘等)的電路。福建生物芯片半導(dǎo)體器件加工工廠

光刻機(jī)的主要性能指標(biāo)有：支持基片的尺寸范圍，分辨率、對(duì)準(zhǔn)精度、曝光方式、光源波長、光強(qiáng)均勻性、生產(chǎn)效率等。分辨率是對(duì)光刻工藝加工可以達(dá)到的較細(xì)線條精度的一種描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制,所以與光源、光刻系統(tǒng)、光刻膠和工藝等各方面的限制。對(duì)準(zhǔn)精度是在多層曝光時(shí)層間圖案的定位精度。曝光方式分為接觸接近式、投影式和直寫式。曝光光源波長分為紫外、深紫外和極紫外區(qū)域，光源有汞燈，準(zhǔn)分子激光器等。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。福建生物芯片半導(dǎo)體器件加工工廠