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磁控濺射優(yōu)點(diǎn)

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2021-12-30

磁控濺射的優(yōu)點(diǎn):(1)成膜致密、均勻。濺射的薄膜聚集密度普遍提高了。從顯微照片看,濺射的薄膜表面微觀形貌比較精致細(xì)密,而且非常均勻。(2)濺射的薄膜均具有優(yōu)異的性能。如濺射的金屬膜通常能獲得良好的光學(xué)性能、電學(xué)性能及某些特殊性能。(3)易于組織大批量生產(chǎn)。磁控源可以根據(jù)要求進(jìn)行擴(kuò)大,因此大面積鍍膜是容易實(shí)現(xiàn)的。再加上濺射可連續(xù)工作,鍍膜過(guò)程容易自動(dòng)控制,因此工業(yè)上流水線作業(yè)完全成為可能。(4)工藝環(huán)保。傳統(tǒng)的濕法電鍍會(huì)產(chǎn)生廢液、廢渣、廢氣,對(duì)環(huán)境造成嚴(yán)重的污染。不產(chǎn)生環(huán)境污染、生產(chǎn)效率高的磁控濺射鍍膜法則可較好解決這一難題。磁控濺射是在低氣壓下進(jìn)行高速濺射,為此需要提高氣體的離化率。磁控濺射優(yōu)點(diǎn)

磁控濺射優(yōu)點(diǎn),磁控濺射

磁控濺射是由二極濺射基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái),在靶材表面建立與電場(chǎng)正交磁場(chǎng),解決了二極濺射沉積速率低,等離子體離化率低等問(wèn)題,成為鍍膜工業(yè)主要方法之一。磁控濺射與其它鍍膜技術(shù)相比具有如下特點(diǎn):可制備成靶的材料廣,幾乎所有金屬,合金和陶瓷材料都可以制成靶材;在適當(dāng)條件下多元靶材共濺射方式,可沉積配比精確恒定的合金;在濺射的放電氣氛中加入氧、氮或其它活性氣體,可沉積形成靶材物質(zhì)與氣體分子的化合物薄膜;通過(guò)精確地控制濺射鍍膜過(guò)程,容易獲得均勻的高精度的膜厚;通過(guò)離子濺射靶材料物質(zhì)由固態(tài)直接轉(zhuǎn)變?yōu)榈入x子態(tài),濺射靶的安裝不受限制,適合于大容積鍍膜室多靶布置設(shè)計(jì);濺射鍍膜速度快,膜層致密,附著性好等特點(diǎn),很適合于大批量,高效率工業(yè)生產(chǎn)。吉林高溫磁控濺射原理雙靶磁控濺射儀是一款高真空鍍膜設(shè)備。

磁控濺射優(yōu)點(diǎn),磁控濺射

磁控濺射鍍膜是現(xiàn)代工業(yè)中不可缺少的技術(shù)之一,磁控濺射鍍膜技術(shù)正普遍應(yīng)用于透明導(dǎo)電膜、光學(xué)膜、超硬膜、抗腐蝕膜、磁性膜、增透膜、減反膜以及各種裝飾膜,在**和國(guó)民經(jīng)濟(jì)生產(chǎn)中的作用和地位日益強(qiáng)大。鍍膜工藝中的薄膜厚度均勻性,沉積速率,靶材利用率等方面的問(wèn)題是實(shí)際生產(chǎn)中十分關(guān)注的。解決這些實(shí)際問(wèn)題的方法是對(duì)涉及濺射沉積過(guò)程的全部因素進(jìn)行整體的優(yōu)化設(shè)計(jì),建立一個(gè)濺射鍍膜的綜合設(shè)計(jì)系統(tǒng)。薄膜厚度均勻性是檢驗(yàn)濺射沉積過(guò)程的較重要參數(shù)之一,因此對(duì)膜厚均勻性綜合設(shè)計(jì)的研究具有重要的理論和應(yīng)用價(jià)值。

磁控濺射鍍膜的產(chǎn)品特點(diǎn):1、磁控濺射所利用的環(huán)狀磁場(chǎng)迫使二次電子跳欄式地沿著環(huán)狀磁場(chǎng)轉(zhuǎn)圈.相應(yīng)地,環(huán)狀磁場(chǎng)控制的區(qū)域是等離子體密度較高的部位.在磁控濺射時(shí),可以看見(jiàn)濺射氣體——?dú)鍤庠谶@部位發(fā)出強(qiáng)烈的淡藍(lán)色輝光,形成一個(gè)光環(huán).處于光環(huán)下的靶材是被離子轟擊較嚴(yán)重的部位,會(huì)濺射出一條環(huán)狀的溝槽.環(huán)狀磁場(chǎng)是電子運(yùn)動(dòng)的軌道,環(huán)狀的輝光和溝槽將其形象地表現(xiàn)了出來(lái).磁控濺射靶的濺射溝槽一旦穿透靶材,就會(huì)導(dǎo)致整塊靶材報(bào)廢,所以靶材的利用率不高,一般低于40%;2、等離子體不穩(wěn)定。磁控濺射成為鍍膜工業(yè)主要方法之一。

磁控濺射優(yōu)點(diǎn),磁控濺射

磁控濺射體系設(shè)備的穩(wěn)定性,對(duì)所生成的膜均勻性、成膜質(zhì)量、鍍膜速率等方面有很大的影響。磁控濺射體系設(shè)備的濺射品種有許多,按照運(yùn)用的電源分,能夠分為直流磁控濺射,射頻磁控濺射,中頻磁控濺射等等。濺射涂層開(kāi)始顯示出簡(jiǎn)略的直流二極管濺射。它的優(yōu)點(diǎn)是設(shè)備簡(jiǎn)略,但直流二極管濺射堆積速率低;為了堅(jiān)持自我約束的排放,它不能在低壓下進(jìn)行;它不能濺射絕緣材料。這樣的缺陷約束了它的運(yùn)用。在直流二極管濺射設(shè)備中添加熱陰極和輔佐陽(yáng)極可構(gòu)成直流三極管濺射。由添加的熱陰極和輔佐陽(yáng)極發(fā)生的熱電子增強(qiáng)了濺射氣體原子的電離作用,因而即便在低壓下也能夠進(jìn)行濺射。不然,能夠下降濺射電壓以進(jìn)行低壓濺射。在低壓條件下;放電電流也會(huì)添加,并且能夠不受電壓影響地單獨(dú)操控。在熱陰極之前添加電極(網(wǎng)格狀)以形成四極濺射裝置能夠穩(wěn)定放電??墒?,這些裝置難以獲得具有高濃度和低堆疊速度的等離子體區(qū)域,因而其尚未在工業(yè)中普遍運(yùn)用。磁控濺射的優(yōu)點(diǎn):操作易控。海南共濺射磁控濺射原理

磁控濺射設(shè)備的主要用途:裝飾領(lǐng)域的應(yīng)用,如各種全反射膜及半透明膜等,如手機(jī)外殼,鼠標(biāo)等。磁控濺射優(yōu)點(diǎn)

真空磁控濺射鍍膜工藝具備以下特點(diǎn):復(fù)合靶??芍谱鲝?fù)合靶鍍合金膜,目前,采用復(fù)合磁控靶濺射工藝已成功鍍上了Ta-Ti合金、(Tb-Dy)-Fe以及Gb-Co合金膜。復(fù)合靶的結(jié)構(gòu)有四種,分別是圓塊鑲嵌靶、方塊鑲嵌靶、小方塊鑲嵌靶以及扇形鑲嵌靶,其中以扇形鑲嵌靶結(jié)構(gòu)的使用效果為佳。磁控濺射是眾多獲得高質(zhì)量的薄膜技術(shù)當(dāng)中使用較普遍的一種鍍膜工藝,采用新型陰極使其擁有很高的靶材利用率和高沉積速率,該工藝不只用于單層膜的沉積,還可鍍制多層的薄膜,此外,還用于卷繞工藝中用于包裝膜、光學(xué)膜、貼膜等膜層鍍制。磁控濺射優(yōu)點(diǎn)