磁控濺射的優(yōu)點(diǎn)：（1）成膜致密、均勻。濺射的薄膜聚集密度普遍提高了。從顯微照片看，濺射的薄膜表面微觀形貌比較精致細(xì)密，而且非常均勻。（2）濺射的薄膜均具有優(yōu)異的性能。如濺射的金屬膜通常能獲得良好的光學(xué)性能、電學(xué)性能及某些特殊性能。（3）易于組織大批量生產(chǎn)。磁控源可以根據(jù)要求進(jìn)行擴(kuò)大，因此大面積鍍膜是容易實(shí)現(xiàn)的。再加上濺射可連續(xù)工作，鍍膜過程容易自動(dòng)控制，因此工業(yè)上流水線作業(yè)完全成為可能。（4）工藝環(huán)保。傳統(tǒng)的濕法電鍍會(huì)產(chǎn)生廢液、廢渣、廢氣，對(duì)環(huán)境造成嚴(yán)重的污染。不產(chǎn)生環(huán)境污染、生產(chǎn)效率高的磁控濺射鍍膜法則可較好解決這一難題。磁控濺射的優(yōu)點(diǎn)：基板低溫性。吉林非金屬磁控濺射原理

高速率磁控濺射本質(zhì)特點(diǎn)是產(chǎn)生大量的濺射粒子，導(dǎo)致較高的沉積速率。實(shí)驗(yàn)表明在較大的靶源密度在高速濺射，靶的濺射和局部蒸發(fā)同時(shí)發(fā)生，兩種過程的結(jié)合保證了較大的沉積速率（幾μm/min）并導(dǎo)致薄膜的結(jié)構(gòu)發(fā)生變化。與通常的磁控濺射比較，高速濺射和自濺射的特點(diǎn)在于較高的靶功率密度Wt=Pd/S>50Wcm-2，（Pd為磁控靶功率，S為靶表面積）。高速濺射有一定的限制，因此在特殊的環(huán)境才能保持高速濺射，如足夠高的靶源密度，靶材足夠的產(chǎn)額和濺射氣體壓力，并且要獲得較大氣體的離化率。較大限制高速沉積薄膜的是濺射靶的冷卻。江蘇單靶磁控濺射優(yōu)點(diǎn)磁控濺射是入射粒子和靶的碰撞過程。

影響磁控濺射鍍膜結(jié)果的因素：1、濺射功率的影響,在基體和涂層材料確定的情況下,工藝參數(shù)的選擇對(duì)于涂層生長速率和涂層質(zhì)量都有很大的影響.其中濺射功率的設(shè)定對(duì)這兩方面都有極大的影響.2、氣壓的影響,磁控濺射是在低氣壓下進(jìn)行高速濺射,為此需要提高氣體的離化率,使氣體形成等離子體.在保證濺射功率固定的情況下,分析氣壓對(duì)于磁控濺射的影響。磁控濺射鍍膜的產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn)：1、幾乎所有材料都可以通過磁控濺射沉積,而不論其熔化溫度如何;2、可以根據(jù)基材和涂層的要求縮放光源并將其放置在腔室中的任何位置;3、可以沉積合金和化合物的薄膜,同時(shí)保持與原始材料相似的組成。

磁控濺射鍍膜的產(chǎn)品特點(diǎn)：1、磁控濺射所利用的環(huán)狀磁場(chǎng)迫使二次電子跳欄式地沿著環(huán)狀磁場(chǎng)轉(zhuǎn)圈.相應(yīng)地,環(huán)狀磁場(chǎng)控制的區(qū)域是等離子體密度較高的部位.在磁控濺射時(shí),可以看見濺射氣體——?dú)鍤庠谶@部位發(fā)出強(qiáng)烈的淡藍(lán)色輝光,形成一個(gè)光環(huán).處于光環(huán)下的靶材是被離子轟擊較嚴(yán)重的部位,會(huì)濺射出一條環(huán)狀的溝槽.環(huán)狀磁場(chǎng)是電子運(yùn)動(dòng)的軌道,環(huán)狀的輝光和溝槽將其形象地表現(xiàn)了出來.磁控濺射靶的濺射溝槽一旦穿透靶材,就會(huì)導(dǎo)致整塊靶材報(bào)廢,所以靶材的利用率不高,一般低于40%;2、等離子體不穩(wěn)定。磁控濺射鍍膜的適用范圍：高級(jí)產(chǎn)品零/部件表面的裝飾鍍中的應(yīng)用。

磁控濺射鍍膜是現(xiàn)代工業(yè)中不可缺少的技術(shù)之一，磁控濺射鍍膜技術(shù)正普遍應(yīng)用于透明導(dǎo)電膜、光學(xué)膜、超硬膜、抗腐蝕膜、磁性膜、增透膜、減反膜以及各種裝飾膜，在**和國民經(jīng)濟(jì)生產(chǎn)中的作用和地位日益強(qiáng)大。鍍膜工藝中的薄膜厚度均勻性，沉積速率，靶材利用率等方面的問題是實(shí)際生產(chǎn)中十分關(guān)注的。解決這些實(shí)際問題的方法是對(duì)涉及濺射沉積過程的全部因素進(jìn)行整體的優(yōu)化設(shè)計(jì)，建立一個(gè)濺射鍍膜的綜合設(shè)計(jì)系統(tǒng)。薄膜厚度均勻性是檢驗(yàn)濺射沉積過程的較重要參數(shù)之一，因此對(duì)膜厚均勻性綜合設(shè)計(jì)的研究具有重要的理論和應(yīng)用價(jià)值。磁控濺射就是提高工作氣體的電離率和有效利用電子的能量。廣東雙靶材磁控濺射哪家能做

用磁控靶源濺射金屬和合金很容易，點(diǎn)火和濺射很方便。吉林非金屬磁控濺射原理

磁控濺射原理：電子在電場(chǎng)的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發(fā)生碰撞，電離出大量的氬離子和電子，電子飛向基片。氬離子在電場(chǎng)的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上成膜。二次電子在加速飛向基片的過程中受到磁場(chǎng)洛倫茲力的影響，被束縛在靠近靶面的等離子體區(qū)域內(nèi)，該區(qū)域內(nèi)等離子體密度很高，二次電子在磁場(chǎng)的作用下圍繞靶面作圓周運(yùn)動(dòng)，該電子的運(yùn)動(dòng)路徑很長。磁控濺射法是在高真空充入適量的氬氣，在陰極（柱狀靶或平面靶）和陽極（鍍膜室壁）之間施加幾百K直流電壓，在鍍膜室內(nèi)產(chǎn)生磁控型異常輝光放電，使氬氣發(fā)生電離。吉林非金屬磁控濺射原理