亚洲日韩国产二区无码,亚洲av永久午夜在线观看红杏,日日摸夜夜添夜夜添无码免费视频,99精品国产丝袜在线拍国语

浙江醫(yī)療器械半導(dǎo)體器件加工方案

來源: 發(fā)布時(shí)間:2021-12-28

表面硅MEMS加工技術(shù)是在集成電路平面工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種MEMS工藝技術(shù)。它利用硅平面上不同材料的順序淀積和選擇腐蝕來形成各種微結(jié)構(gòu)。表面硅MEMS加工技術(shù)的基本思路是:先在基片上淀積一層稱為分離層的材料,然后在分離層上面淀積一層結(jié)構(gòu)層并加工成所需圖形。在結(jié)構(gòu)加工成型后,通過選擇腐蝕的方法將分離層腐蝕掉,使結(jié)構(gòu)材料懸空于基片之上,形成各種形狀的二維或三維結(jié)構(gòu)。表面硅MEMS加工工藝成熟,與IC工藝兼容性好,可以在單個(gè)直徑為幾十毫米的單晶硅基片上批量生成數(shù)百個(gè)MEMS裝置。在MOS場(chǎng)效應(yīng)管的制作工藝中,多晶硅是作為電極材料(柵極)用的,用多晶硅構(gòu)成電阻的結(jié)構(gòu)。浙江醫(yī)療器械半導(dǎo)體器件加工方案

浙江醫(yī)療器械半導(dǎo)體器件加工方案,半導(dǎo)體器件加工

半導(dǎo)體器件生產(chǎn)工藝說明:①鑄錠:首先需要加熱砂以分離一氧化碳和硅,重復(fù)該過程,直到獲得超高純電子級(jí)硅(EG-Si)。高純度硅熔化成液體,然后凝固成單晶固體形式,稱為“錠”,這是半導(dǎo)體制造的第一步。硅錠(硅柱)的制造精度非常高,達(dá)到納米級(jí)。②鑄錠切割:上一步完成后,需要用金剛石鋸將錠的兩端切掉,然后切成一定厚度的片。錠片的直徑?jīng)Q定了晶片的尺寸。更大更薄的晶圓可以分成更多的單元,這有助于降低生產(chǎn)成本。切割硅錠后,需要在切片上加上“平坦區(qū)域”或“縮進(jìn)”標(biāo)記,以便在后續(xù)步驟中以此為標(biāo)準(zhǔn)來設(shè)定加工方向。浙江微透鏡半導(dǎo)體器件加工廠商MEMS制造是基于半導(dǎo)體制造技術(shù)上發(fā)展起來的。

浙江醫(yī)療器械半導(dǎo)體器件加工方案,半導(dǎo)體器件加工

半導(dǎo)體硅片生產(chǎn)工藝:首先將多晶硅和摻雜劑放入單晶爐內(nèi)的石英坩堝中,將溫度升高至1420℃以上,得到熔融狀態(tài)的多晶硅。其中,通過調(diào)控放入摻雜劑的種類(B、P、As、Sb)及含量,可以得到不同導(dǎo)電類型及電阻率的硅片。待多晶硅溶液溫度穩(wěn)定之后,將籽晶緩慢下降放入硅熔體中(籽晶在硅融體中也會(huì)被熔化),然后將籽晶以一定速度向上提升進(jìn)行引晶過程。隨后通過縮頸操作,將引晶過程中產(chǎn)生的位錯(cuò)消除掉。當(dāng)縮頸至足夠長(zhǎng)度后,通過調(diào)整拉速和溫度使單晶硅直徑變大至目標(biāo)值,然后保持等徑生長(zhǎng)至目標(biāo)長(zhǎng)度。較后為了防止位錯(cuò)反延,對(duì)單晶錠進(jìn)行收尾操作,得到單晶錠成品,待溫度冷卻后取出。

單晶硅是從大自然豐富的硅原料中提純制造出多晶硅,再通過區(qū)熔或直拉法生產(chǎn)出區(qū)熔單晶或直拉單晶硅,進(jìn)一步形成硅片、拋光片、外延片等。直拉法生長(zhǎng)出的單晶硅,用在生產(chǎn)低功率的集成電路元件。而區(qū)熔法生長(zhǎng)出的單晶硅則主要用在高功率的電子元件。直拉法加工工藝:加料→熔化→縮頸生長(zhǎng)→放肩生長(zhǎng)→等徑生長(zhǎng)→尾部生長(zhǎng),長(zhǎng)完的晶棒被升至上爐室冷卻一段時(shí)間后取出,即完成一次生長(zhǎng)周期。懸浮區(qū)熔法加工工藝:先從上、下兩軸用夾具精確地垂直固定棒狀多晶錠。用電子轟擊、高頻感應(yīng)或光學(xué)聚焦法將一段區(qū)域熔化,使液體靠表面張力支持而不墜落。移動(dòng)樣品或加熱器使熔區(qū)移動(dòng)。這種方法不用坩堝,能避免坩堝污染,因而可以制備很純的單晶,也可采用此法進(jìn)行區(qū)熔??涛g還可分為濕法刻蝕和干法刻蝕。

浙江醫(yī)療器械半導(dǎo)體器件加工方案,半導(dǎo)體器件加工

光刻工藝的基本流程是首先是在晶圓(或襯底)表面涂上一層光刻膠并烘干。烘干后的晶圓被傳送到光刻機(jī)里面。光線透過一個(gè)掩模把掩模上的圖形投影在晶圓表面的光刻膠上,實(shí)現(xiàn)曝光,激發(fā)光化學(xué)反應(yīng)。對(duì)曝光后的晶圓進(jìn)行第二次烘烤,即所謂的曝光后烘烤,后烘烤使得光化學(xué)反應(yīng)更充分。較后,把顯影液噴灑到晶圓表面的光刻膠上,對(duì)曝光圖形顯影。顯影后,掩模上的圖形就被存留在了光刻膠上。涂膠、烘烤和顯影都是在勻膠顯影機(jī)中完成的,曝光是在光刻機(jī)中完成的。勻膠顯影機(jī)和光刻機(jī)一般都是聯(lián)機(jī)作業(yè)的,晶圓通過機(jī)械手在各單元和機(jī)器之間傳送。整個(gè)曝光顯影系統(tǒng)是封閉的,晶圓不直接暴露在周圍環(huán)境中,以減少環(huán)境中有害成分對(duì)光刻膠和光化學(xué)反應(yīng)的影響。硅晶棒在經(jīng)過研磨,拋光,切片后,形成硅晶圓片,也就是晶圓。黑龍江集成電路半導(dǎo)體器件加工設(shè)備

摻雜原子的注入所造成的晶圓損傷會(huì)被熱處理修復(fù),這稱為退火,溫度一般在1000℃左右。浙江醫(yī)療器械半導(dǎo)體器件加工方案

基于光刻工藝的微納加工技術(shù)主要包含以下過程:掩模(mask)制備、圖形形成及轉(zhuǎn)移(涂膠、曝光、顯影)、薄膜沉積、刻蝕、外延生長(zhǎng)、氧化和摻雜等。在基片表面涂覆一層某種光敏介質(zhì)的薄膜(抗蝕膠),曝光系統(tǒng)把掩模板的圖形投射在(抗蝕膠)薄膜上,光(光子)的曝光過程是通過光化學(xué)作用使抗蝕膠發(fā)生光化學(xué)作用,形成微細(xì)圖形的潛像,再通過顯影過程使剩余的抗蝕膠層轉(zhuǎn)變成具有微細(xì)圖形的窗口,后續(xù)基于抗蝕膠圖案進(jìn)行鍍膜、刻蝕等可進(jìn)一步制作所需微納結(jié)構(gòu)或器件。浙江醫(yī)療器械半導(dǎo)體器件加工方案