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半導(dǎo)體光刻加工

來源: 發(fā)布時間:2023-03-02

通過調(diào)整光刻膠的配方,滿足差異化的應(yīng)用需求,是光刻膠制造商較中心的技術(shù)。質(zhì)量控制技術(shù):由于用戶對光刻膠的穩(wěn)定性、一致性要求高,包括不同批次間的一致性,通常希望對感光靈敏度、膜厚的一致性保持在較高水平,因此,光刻膠生產(chǎn)商不僅*要配臵齊全的測試儀器,還需要建立一套嚴(yán)格的QA體系以保證產(chǎn)品的質(zhì)量穩(wěn)定。原材料技術(shù):光刻膠是一種經(jīng)過嚴(yán)格設(shè)計的復(fù)雜、精密的配方產(chǎn)品,由成膜劑、光敏劑、溶劑和添加劑等不同性質(zhì)的原料,通過不同的排列組合,經(jīng)過復(fù)雜、精密的加工工藝而制成。因此,光刻膠原材料的品質(zhì)對光刻膠的質(zhì)量起著關(guān)鍵作用。對于半導(dǎo)體化學(xué)化學(xué)試劑的純度,際半導(dǎo)體設(shè)備和材料組織(SEMI)制定了國際統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn),光刻涂膠四周呈現(xiàn)放射性條紋,主要可能的原因是光刻膠有顆粒、襯底未清洗干凈。半導(dǎo)體光刻加工

半導(dǎo)體光刻加工,光刻

堅(jiān)膜,以提高光刻膠在離子注入或刻蝕中保護(hù)下表面的能力;進(jìn)一步增強(qiáng)光刻膠與硅片表面之間的黏附性;進(jìn)一步減少駐波效應(yīng)(StandingWaveEffect)。常見問題:a、烘烤不足(Underbake)。減弱光刻膠的強(qiáng)度(抗刻蝕能力和離子注入中的阻擋能力);降低小孔填充能力(GapfillCapabilityfortheneedlehole);降低與基底的黏附能力。b、烘烤過度(Overbake)。引起光刻膠的流動,使圖形精度降低,分辨率變差。另外還可以用深紫外線(DUV,DeepUltra-Violet)堅(jiān)膜。使正性光刻膠樹脂發(fā)生交聯(lián)形成一層薄的表面硬殼,增加光刻膠的熱穩(wěn)定性。在后面的等離子刻蝕和離子注入(125~200C)工藝中減少因光刻膠高溫流動而引起分辨率的降低。佛山光刻外協(xié)光刻技術(shù)是借用照相技術(shù)、平板印刷技術(shù)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的半導(dǎo)體關(guān)鍵工藝技術(shù)。

半導(dǎo)體光刻加工,光刻

光刻膠的技術(shù)壁壘包括配方技術(shù),質(zhì)量控制技術(shù)和原材料技術(shù)。配方技術(shù)是光刻膠實(shí)現(xiàn)功能的中心,質(zhì)量控制技術(shù)能夠保證光刻膠性能的穩(wěn)定性而***的原材料則是光刻膠性能的基礎(chǔ)。配方技術(shù):由于光刻膠的下游用戶是半導(dǎo)體制造商,不同的客戶會有不同的應(yīng)用需求,同一個客戶也有不同的光刻應(yīng)用需求。一般一塊半導(dǎo)體芯片在制造過程中需要進(jìn)行10-50道光刻過程,由于基板不同、分辨率要求不同、蝕刻方式不同等,不同的光刻過程對光刻膠的具體要求也不一樣,即使類似的光刻過程,不同的廠商也會有不同的要求。針對以上不同的應(yīng)用需求,光刻膠的品種非常多,這些差異主要通過調(diào)整光刻膠的配方來實(shí)現(xiàn)。

根據(jù)曝光方式的不同,光刻機(jī)主要分為接觸式,接近式以及投影式三種。接觸式光刻機(jī),曝光時,光刻版壓在涂有光刻膠的襯底上,優(yōu)點(diǎn)是設(shè)備簡單,分辨率高,沒有衍射效應(yīng),缺點(diǎn)是光刻版與涂有光刻膠的晶圓片直接接觸,每次接觸都會在晶圓片和光刻版上產(chǎn)生缺陷,降低光刻版使用壽命,成品率低。接近式光刻機(jī),光刻版與光刻膠有一個很小的縫隙,因?yàn)楣饪贪媾c襯底沒有接觸,缺陷減少,優(yōu)點(diǎn)是避免晶圓片與光刻版直接接觸,缺陷少,缺點(diǎn)是分辨率低,存在衍射效應(yīng)。投影式曝光,一般光學(xué)系統(tǒng)將掩模版上的圖像縮小4x或5x倍,聚焦并與硅片上已有的圖形對準(zhǔn)后曝光,每次曝光一小部分,曝完一個圖形后,硅片移動到下一個曝光位置繼續(xù)對準(zhǔn)曝光,這種曝光方式分辨率比較高,但不產(chǎn)生缺陷。光刻機(jī)又被稱為:掩模對準(zhǔn)曝光機(jī)、曝光系統(tǒng)、光刻系統(tǒng)等。

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對于國產(chǎn)光刻膠來說,今年的九月是極為特殊的一個月份。9月23日,發(fā)改委聯(lián)合工信部、科技部、財政部共同發(fā)布了《關(guān)于擴(kuò)大戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)投資培育壯大新增長點(diǎn)增長極的指導(dǎo)意見》,《意見》提出,加快新材料產(chǎn)業(yè)強(qiáng)弱項(xiàng),具體涉及加快在光刻膠、大尺寸硅片、電子封裝材料等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破。而在《意見》還未發(fā)布之前,部分企業(yè)已經(jīng)聞聲先動了。除了幾家企業(yè)加大投資、研發(fā)國產(chǎn)光刻膠之外,還有兩家企業(yè)通過購買光刻機(jī)的方式,開展光刻膠的研發(fā)。光刻膠產(chǎn)業(yè),尤其是較優(yōu)光刻膠一直是日本企業(yè)所把持,這已不是什么鮮為人知的信息了。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。接觸式光刻機(jī)的掩模版包括了要復(fù)制到襯底上的所有芯片陣列圖形。廣州數(shù)字光刻

光刻膠是微電子技術(shù)中微細(xì)圖形加工的關(guān)鍵材料之一。半導(dǎo)體光刻加工

光刻是平面型晶體管和集成電路生產(chǎn)中的一個主要工藝。是對半導(dǎo)體晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)進(jìn)行開孔,以便進(jìn)行雜質(zhì)的定域擴(kuò)散的一種加工技術(shù)。一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準(zhǔn)曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕、檢測等工序。硅片清洗烘干方法:濕法清洗+去離子水沖洗+脫水烘焙(熱板150~250C,1~2分鐘,氮?dú)獗Wo(hù))目的:a、除去表面的污染物(顆粒、有機(jī)物、工藝殘余、可動離子);b、除去水蒸氣,使基底表面由親水性變?yōu)樵魉?,增?qiáng)表面的黏附性(對光刻膠或者是HMDS-〉六甲基二硅胺烷)。半導(dǎo)體光刻加工

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所目前已成為一家集產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)、銷售相結(jié)合的服務(wù)型企業(yè)。公司成立于2016-04-07,自成立以來一直秉承自我研發(fā)與技術(shù)引進(jìn)相結(jié)合的科技發(fā)展戰(zhàn)略。本公司主要從事微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)領(lǐng)域內(nèi)的微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)等產(chǎn)品的研究開發(fā)。擁有一支研發(fā)能力強(qiáng)、成果豐碩的技術(shù)隊(duì)伍。公司先后與行業(yè)上游與下游企業(yè)建立了長期合作的關(guān)系。芯辰實(shí)驗(yàn)室,微納加工集中了一批經(jīng)驗(yàn)豐富的技術(shù)及管理專業(yè)人才,能為客戶提供良好的售前、售中及售后服務(wù),并能根據(jù)用戶需求,定制產(chǎn)品和配套整體解決方案。我們本著客戶滿意的原則為客戶提供微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)產(chǎn)品售前服務(wù),為客戶提供周到的售后服務(wù)。價格低廉優(yōu)惠,服務(wù)周到,歡迎您的來電!