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重慶光刻外協(xié)

來源: 發(fā)布時(shí)間:2023-02-21

光刻是平面型晶體管和集成電路生產(chǎn)中的一個(gè)主要工藝。是對半導(dǎo)體晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)進(jìn)行開孔,以便進(jìn)行雜質(zhì)的定域擴(kuò)散的一種加工技術(shù)。一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準(zhǔn)曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕、檢測等工序。硅片清洗烘干方法:濕法清洗+去離子水沖洗+脫水烘焙(熱板150~250C,1~2分鐘,氮?dú)獗Wo(hù))目的:a、除去表面的污染物(顆粒、有機(jī)物、工藝殘余、可動(dòng)離子);b、除去水蒸氣,使基底表面由親水性變?yōu)樵魉?,增?qiáng)表面的黏附性(對光刻膠或者是HMDS-〉六甲基二硅胺烷)。光刻是將掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移到涂有光致抗蝕劑(或稱光刻膠)的襯底上。重慶光刻外協(xié)

重慶光刻外協(xié),光刻

對于國產(chǎn)光刻膠來說,今年的九月是極為特殊的一個(gè)月份。9月23日,發(fā)改委聯(lián)合工信部、科技部、財(cái)政部共同發(fā)布了《關(guān)于擴(kuò)大戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)投資培育壯大新增長點(diǎn)增長極的指導(dǎo)意見》,《意見》提出,加快新材料產(chǎn)業(yè)強(qiáng)弱項(xiàng),具體涉及加快在光刻膠、大尺寸硅片、電子封裝材料等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破。而在《意見》還未發(fā)布之前,部分企業(yè)已經(jīng)聞聲先動(dòng)了。除了幾家企業(yè)加大投資、研發(fā)國產(chǎn)光刻膠之外,還有兩家企業(yè)通過購買光刻機(jī)的方式,開展光刻膠的研發(fā)。光刻膠產(chǎn)業(yè),尤其是較優(yōu)光刻膠一直是日本企業(yè)所把持,這已不是什么鮮為人知的信息了。重慶光刻外協(xié)接觸式曝光和非接觸式曝光的區(qū)別,在于曝光時(shí)掩模與晶片間相對關(guān)系是貼緊還是分開。

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光刻膠要有極好的穩(wěn)定性和一致性,如果質(zhì)量稍微出點(diǎn)問題,損失將會(huì)是巨大的。去年2月,某半導(dǎo)體代工企業(yè)因?yàn)楣饪棠z的原因?qū)е戮A污染,報(bào)廢十萬片晶圓,直接導(dǎo)致5.5億美元的賬面損失。除了以上原因外,另一個(gè)重要原因是,經(jīng)過幾十年的發(fā)展,光刻膠已經(jīng)是一個(gè)相當(dāng)成熟且固化的產(chǎn)業(yè)。2010年光刻膠的**出現(xiàn)井噴,2013年之后,相關(guān)專利的申請已經(jīng)開始銳減。市場較小,技術(shù)壁壘又高,這意味著對于企業(yè)來說,發(fā)展光刻膠性價(jià)比不高,即便研發(fā)成功一款光刻膠,也要面臨較長的認(rèn)證周期,需要與下游企業(yè)建立合作關(guān)系。

動(dòng)態(tài)噴灑法:隨著硅片尺寸越來越大,靜態(tài)涂膠已經(jīng)不能滿足較新的硅片加工需求。相對靜態(tài)旋轉(zhuǎn)法而言,動(dòng)態(tài)噴灑法在光刻膠對硅片進(jìn)行澆注的時(shí)刻就開始以低速旋轉(zhuǎn)幫助光刻膠進(jìn)行較初的擴(kuò)散。這種方法可以用較少量的光刻膠形成更均勻的光刻膠鋪展,較終以高速旋轉(zhuǎn)形成滿足厚薄與均勻度要求的光刻膠膜。集成電路的制程工藝水平按已由微米級、亞微米級、深亞微米級進(jìn)入到納米級階段。集成電路線寬不斷縮小的趨勢,對包括光刻在內(nèi)的半導(dǎo)體制程工藝提出了新的挑戰(zhàn)。光刻技術(shù)是借用照相技術(shù)、平板印刷技術(shù)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的半導(dǎo)體關(guān)鍵工藝技術(shù)。

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每顆芯片誕生之初,都要經(jīng)過光刻機(jī)的雕刻,精度要達(dá)到頭發(fā)絲的千分之一,如今,全世界能夠生產(chǎn)光刻機(jī)的國家只有四個(gè),中國成為了其中的一員,實(shí)現(xiàn)了從無到有的突破。光刻機(jī)又被稱為:掩模對準(zhǔn)曝光機(jī)、曝光系統(tǒng)、光刻系統(tǒng)等。常用的光刻機(jī)是掩模對準(zhǔn)光刻,所以它被稱為掩模對準(zhǔn)系統(tǒng)。它指的是通過將硅晶片表面上的膠整平,然后將掩模上的圖案轉(zhuǎn)移到光刻膠,將器件或電路結(jié)構(gòu)暫時(shí)“復(fù)制”到硅晶片上的過程。它不是簡單的激光器,但它的曝光系統(tǒng)基本上使用的是復(fù)雜的紫外光源。光刻機(jī)是芯片制造的中心設(shè)備之一,根據(jù)用途可分為幾類:光刻機(jī)生產(chǎn)芯片;有光刻機(jī)包裝;還有一款投影光刻機(jī)用在LED制造領(lǐng)域。光刻膠是一種有機(jī)化合物,它被紫外光曝光后,在顯影溶液中的溶解度會(huì)發(fā)生變化。重慶光刻外協(xié)

在完成圖形的曝光后,用激光曝光硅片邊緣,然后在顯影或特殊溶劑中溶解。重慶光刻外協(xié)

敏感度決定了光刻膠上產(chǎn)生一個(gè)良好的圖形所需一定波長光的較小能量值。抗蝕性決定了光刻膠作為覆蓋物在后續(xù)刻蝕或離子注入工藝中,不被刻蝕或抗擊離子轟擊,從而保護(hù)被覆蓋的襯底。光刻膠依據(jù)不同的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行分類:按照化學(xué)反應(yīng)和顯影的原理,光刻膠可分為正性光刻膠和負(fù)性光刻膠。如果顯影時(shí)未曝光部分溶解于顯影液,形成的圖形與掩膜版相反,稱為負(fù)性光刻膠;如果顯影時(shí)曝光部分溶解于顯影液,形成的圖形與掩膜版相同,稱為正性光刻膠。根據(jù)感光樹脂的化學(xué)結(jié)構(gòu)來分類,光刻膠可以分為光聚合型、光分解型和光交聯(lián)型三種類別。重慶光刻外協(xié)