反應(yīng)磁控濺射普遍應(yīng)用于化合物薄膜的大批量生產(chǎn),這是因為:(1)反應(yīng)磁控濺射所用的靶材料(單元素靶或多元素靶)和反應(yīng)氣體(氧、氮、碳氫化合物等)純度很高,因而有利于制備高純度的化合物薄膜。(2)通過調(diào)節(jié)反應(yīng)磁控濺射中的工藝參數(shù),可以制備化學(xué)配比或非化學(xué)配比的化合物薄膜,通過調(diào)節(jié)薄膜的組成來調(diào)控薄膜特性。(3)反應(yīng)磁控濺射沉積過程中基板升溫較小,而且制膜過程中通常也不要求對基板進行高溫加熱,因此對基板材料的限制較少。(4)反應(yīng)磁控濺射適于制備大面積均勻薄膜,并能實現(xiàn)單機年產(chǎn)上百萬平方米鍍膜的工業(yè)化生產(chǎn)。磁控濺射主要用于在經(jīng)予處理的塑料、陶瓷等制品表面蒸鍍金屬薄膜、七彩膜仿金膜等。遼寧射頻磁控濺射
磁控濺射設(shè)備的主要用途:(1)各種功能性薄膜:如具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用的薄膜。例如,低溫沉積氮化硅減反射膜,以提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。(2)裝飾領(lǐng)域的應(yīng)用,如各種全反射膜及半透明膜等,如手機外殼,鼠標等。(3)在微電子領(lǐng)域作為一種非熱式鍍膜技術(shù),主要應(yīng)用在化學(xué)氣相沉積(CVD)或金屬有機。(4)化學(xué)氣相沉積(CVD)生長困難及不適用的材料薄膜沉積,而且可以獲得大面積非常均勻的薄膜。(5)在光學(xué)領(lǐng)域:中頻閉合場非平衡磁控濺射技術(shù)也已在光學(xué)薄膜(如增透膜)、低輻射玻璃和透明導(dǎo)電玻璃等方面得到應(yīng)用。特別是透明導(dǎo)電玻璃普遍應(yīng)用于平板顯示器件、太陽能電池、微波與射頻屏蔽裝置與器件、傳感器等。(6)在機械加工行業(yè)中,表面功能膜、超硬膜,自潤滑薄膜的表面沉積技術(shù)自問世以來得到長足發(fā)展,能有效的提高表面硬度、復(fù)合韌性、耐磨損性和抗高溫化學(xué)穩(wěn)定性能,從而大幅度地提高涂層產(chǎn)品的使用壽命。安徽雙靶磁控濺射步驟真空磁控濺射涂層技術(shù)與真空蒸發(fā)涂層技術(shù)相比有許多優(yōu)點。
非平衡磁控濺射離子轟擊在鍍膜前可以起到清洗工件的氧化層和其他雜質(zhì),活化工件表面的作用,同時在工件表面上形成偽擴散層,有助于提高膜層與工件表面之間的結(jié)合力。在鍍膜過程中,載能的帶電粒子轟擊作用可達到膜層的改性目的。比如,離子轟擊傾向于從膜層上剝離結(jié)合較松散的和凸出部位的粒子,切斷膜層結(jié)晶態(tài)或凝聚態(tài)的優(yōu)勢生長,從而生更致密,結(jié)合力更強,更均勻的膜層,并可以較低的溫度下鍍出性能優(yōu)良的鍍層。非平衡磁控濺射技術(shù)的運用,使平衡磁控濺射遇到的沉積致密、成分復(fù)雜薄膜的問題得以解決。
磁控濺射靶材的應(yīng)用領(lǐng)域:眾所周知,靶材材料的技術(shù)發(fā)展趨勢與下游應(yīng)用產(chǎn)業(yè)的薄膜技術(shù)發(fā)展趨勢息息相關(guān),隨著應(yīng)用產(chǎn)業(yè)在薄膜產(chǎn)品或元件上的技術(shù)改進,靶材技術(shù)也應(yīng)隨之變化。如Ic制造商.近段時間致力于低電阻率銅布線的開發(fā),預(yù)計未來幾年將大幅度取代原來的鋁膜,這樣銅靶及其所需阻擋層靶材的開發(fā)將刻不容緩。另外,近年來平面顯示器大幅度取代原以陰極射線管為主的電腦顯示器及電視機市場。亦將大幅增加ITO靶材的技術(shù)與市場需求。此外在存儲技術(shù)方面。高密度、大容量硬盤,高密度的可擦寫光盤的需求持續(xù)增加.這些均導(dǎo)致應(yīng)用產(chǎn)業(yè)對靶材的需求發(fā)生變化。下面我們將分別介紹靶材的主要應(yīng)用領(lǐng)域,以及這些領(lǐng)域靶材發(fā)展的趨勢。磁控濺射屬于輝光放電范疇,利用陰極濺射原理進行鍍膜。
高速率磁控濺射本質(zhì)特點是產(chǎn)生大量的濺射粒子,導(dǎo)致較高的沉積速率。實驗表明在較大的靶源密度在高速濺射,靶的濺射和局部蒸發(fā)同時發(fā)生,兩種過程的結(jié)合保證了較大的沉積速率(幾μm/min)并導(dǎo)致薄膜的結(jié)構(gòu)發(fā)生變化。與通常的磁控濺射比較,高速濺射和自濺射的特點在于較高的靶功率密度Wt=Pd/S>50Wcm-2,(Pd為磁控靶功率,S為靶表面積)。高速濺射有一定的限制,因此在特殊的環(huán)境才能保持高速濺射,如足夠高的靶源密度,靶材足夠的產(chǎn)額和濺射氣體壓力,并且要獲得較大氣體的離化率。較大限制高速沉積薄膜的是濺射靶的冷卻。磁控濺射是由二極濺射基礎(chǔ)上發(fā)展而來。福建多層磁控濺射處理
磁控濺射鍍膜就是在真空中利用荷能粒子轟擊靶表面,使被轟擊出的粒子沉積在基片上的技術(shù)。遼寧射頻磁控濺射
磁控濺射的工藝研究:1、系統(tǒng)參數(shù):工藝會受到很多參數(shù)的影響。其中,一些是可以在工藝運行期間改變和控制的;而另外一些則雖然是固定的,但是一般在工藝運行前可以在一定范圍內(nèi)進行控制。兩個重要的固定參數(shù)是:靶結(jié)構(gòu)和磁場。2、靶結(jié)構(gòu):每個單獨的靶都具有其自身的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和顆粒方向。由于內(nèi)部結(jié)構(gòu)的不同,兩個看起來完全相同的靶材可能會出現(xiàn)迥然不同的濺射速率。在鍍膜操作中,如果采用了新的或不同的靶,應(yīng)當特別注意這一點。如果所有的靶材塊在加工期間具有相似的結(jié)構(gòu),調(diào)節(jié)電源,根據(jù)需要提高或降低功率可以對它進行補償。在一套靶中,由于顆粒結(jié)構(gòu)不同,也會產(chǎn)生不同的濺射速率。這也需要在鍍膜期間加以注意。不過,這種情況只有通過更換靶材才能得到解決,這時候為了得到優(yōu)良的膜層,必須重新調(diào)整功率或傳動速度。因為速度對于產(chǎn)品是至關(guān)重要的,所以標準而且適當?shù)恼{(diào)整方法是提高功率。遼寧射頻磁控濺射
廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是一家服務(wù)型類企業(yè),積極探索行業(yè)發(fā)展,努力實現(xiàn)產(chǎn)品創(chuàng)新。公司致力于為客戶提供安全、質(zhì)量有保證的良好產(chǎn)品及服務(wù),是一家****企業(yè)。公司業(yè)務(wù)涵蓋微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù),價格合理,品質(zhì)有保證,深受廣大客戶的歡迎。廣東省半導(dǎo)體所以創(chuàng)造***產(chǎn)品及服務(wù)的理念,打造高指標的服務(wù),引導(dǎo)行業(yè)的發(fā)展。