微納加工技術(shù)具有高精度、科技含量高、產(chǎn)品附加值高等特點(diǎn)，能突顯一個(gè)國(guó)家工業(yè)發(fā)展水平，在推動(dòng)科技進(jìn)步、促進(jìn)產(chǎn)業(yè)發(fā)展、提升生活品質(zhì)等方面都發(fā)揮著重要作用。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所微納加工平臺(tái)，是國(guó)內(nèi)少數(shù)擁有完整半導(dǎo)體工藝鏈的研究平臺(tái)之一，可進(jìn)行鍍膜、光刻、刻蝕等工藝，加工尺寸覆蓋2-6英寸。微納加工平臺(tái)將面向國(guó)內(nèi)外科研機(jī)構(gòu)和企業(yè)提供全方面的開(kāi)放服務(wù)，對(duì)半導(dǎo)體材料與器件的深入研發(fā)給予全方面支持，能夠?yàn)閺V大科研單位和企業(yè)提供高質(zhì)量檔次服務(wù)。干法刻蝕能夠滿(mǎn)足亞微米/納米線寬制程技術(shù)的要求，且在微納加工技術(shù)中被大量使用。云南MEMS微納加工外協(xié)

電子束光刻技術(shù)是利用電子束在涂有電子抗蝕劑的晶片上直接描畫(huà)或投影復(fù)印圖形的技術(shù).電子抗蝕劑是一種對(duì)電子敏感的高分子聚合物，經(jīng)過(guò)電子束掃描過(guò)的電子抗蝕劑發(fā)生分子鏈重組，使曝光圖形部分的抗蝕劑發(fā)生化學(xué)性質(zhì)改變。經(jīng)過(guò)顯影和定影，獲得高分辨率的抗蝕劑曝光圖形。電子束光刻技術(shù)的主要工藝過(guò)程為涂膠、前烘、電子束曝光、顯影和堅(jiān)膜?，F(xiàn)代的電子束光刻設(shè)備已經(jīng)能夠制作小于10nm的精細(xì)線條結(jié)構(gòu)。電子束光刻設(shè)備也是制作光學(xué)掩膜版的重要工具。影響曝光精度的內(nèi)部工藝因素主要取決于電子束斑尺寸、掃描步長(zhǎng)、電子束流劑量和電子散射引起的鄰近效應(yīng)。江蘇半導(dǎo)體微納加工廠商光刻膠是微納加工中微細(xì)圖形加工的關(guān)鍵材料之一。

    高精度的微細(xì)結(jié)構(gòu)可以通過(guò)電子束直寫(xiě)或激光直寫(xiě)制作，這類(lèi)光刻技術(shù)，像“寫(xiě)字”一樣，通過(guò)控制聚焦電子束（光束）移動(dòng)書(shū)寫(xiě)圖案進(jìn)行曝光，具有很高的曝光精度，但這兩種方法制作效率極低，尤其在大面積制作方面捉襟見(jiàn)肘，目前直寫(xiě)光刻技術(shù)適用于小面積的微納結(jié)構(gòu)制作。近年來(lái)，三維浮雕微納結(jié)構(gòu)的需求越來(lái)越大，如閃耀光柵、菲涅爾透鏡、多臺(tái)階微光學(xué)元件等。據(jù)悉，蘋(píng)果公司新上市的手機(jī)產(chǎn)品中人臉識(shí)別模塊就采用了多臺(tái)階微光學(xué)元件，以及當(dāng)下如火如荼的無(wú)人駕駛技術(shù)中激光雷達(dá)光學(xué)系統(tǒng)也用到了復(fù)雜的微光學(xué)元件。這類(lèi)精密的微納結(jié)構(gòu)光學(xué)元件需采用灰度光刻技術(shù)進(jìn)行制作。直寫(xiě)技術(shù)，通過(guò)在光束移動(dòng)過(guò)程中進(jìn)行相應(yīng)的曝光能量調(diào)節(jié)，可以實(shí)現(xiàn)良好的灰度光刻能力。

       作為前沿加工技術(shù)，飛秒激光加工具有熱影響區(qū)小、與材料相互作用呈非線性過(guò)程、超出衍射極限的高分辨率加工等特點(diǎn)，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)各種材料的高質(zhì)量、高精度微納米加工和三維微納結(jié)構(gòu)制造。飛秒激光對(duì)材料的加工方式靈活多樣，既可實(shí)現(xiàn)增材、減材和等材制造，又能夠以激光直寫(xiě)和激光并行加工的方式制備微納結(jié)構(gòu)。其中，飛秒激光直寫(xiě)通常用于復(fù)雜、不規(guī)則的微納結(jié)構(gòu)加工，具有較高的空間分辨率、加工靈活性和自由度，然而鑒于其逐點(diǎn)加工的技術(shù)特點(diǎn)，加工效率較低；飛秒激光并行加工包括基于數(shù)字微鏡器件的光刻技術(shù)、空間光調(diào)制器和激光干涉加工等方法，具有較高的加工效率，但無(wú)法加工任意三維微結(jié)構(gòu)。飛秒激光加工方式各有優(yōu)缺點(diǎn)，可以根據(jù)應(yīng)用中的實(shí)際需求來(lái)選擇合適的加工技術(shù)。微納加工技術(shù)對(duì)現(xiàn)代的生活、生產(chǎn)產(chǎn)生了巨大的促進(jìn)作用，并催生了一批新興產(chǎn)業(yè)。

     在過(guò)去的50多年中，微納加工技術(shù)的進(jìn)步極大地促進(jìn)了微電子技術(shù)和光電子技術(shù)的發(fā)展。微電子技術(shù)的發(fā)展以超大規(guī)模集成電路為，集成度以每18個(gè)月翻一番的速度提高，使得以90nm為小電路尺寸的集成電路芯片已經(jīng)開(kāi)始批量生產(chǎn).以光刻與刻蝕為基礎(chǔ)的平面為加工技術(shù)已經(jīng)成為超大規(guī)模集成電路的技術(shù)，隨著電子束光刻技術(shù)和電感耦合等離子體(ICP)刻蝕技術(shù)的出現(xiàn)，平面微納加工工藝正在推動(dòng)以單電子器件與自旋電子器件為的新一代納米電子學(xué)的發(fā)展.微納加工技術(shù)對(duì)現(xiàn)代的生活、生產(chǎn)產(chǎn)生了巨大的促進(jìn)作用，并催生了一批新興產(chǎn)業(yè)。河北半導(dǎo)體微納加工外協(xié)

微納制造技術(shù)是指尺度為毫米、微米和納米量級(jí)的零件。云南MEMS微納加工外協(xié)

      光刻是微納加工技術(shù)中關(guān)鍵的工藝步驟，光刻的工藝水平?jīng)Q定產(chǎn)品的制程水平和性能水平。光刻的原理是在基底表面覆蓋一層具有高度光敏感性光刻膠，再用光線（一般是紫外光、深紫外光、極紫外光）透過(guò)光刻板照射在基底表面，被光線照射到的光刻膠會(huì)發(fā)生反應(yīng)。此后用顯影液洗去被照射/未被照射的光刻膠， 就實(shí)現(xiàn)了圖形從光刻板到基底的轉(zhuǎn)移。光刻膠分為正性光刻和負(fù)性光刻兩種基本工藝，區(qū)別在于兩者使用的光刻膠的類(lèi)型不同。負(fù)性光刻使用的光刻膠在曝光后會(huì)因?yàn)榻宦?lián)而變得不可溶解，并會(huì)固化，不會(huì)被溶劑洗掉，從而該部分硅片不會(huì)在后續(xù)流程中被腐蝕掉，負(fù)性光刻光刻膠上的圖形與掩模版上圖形相反。云南MEMS微納加工外協(xié)

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所專(zhuān)注技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品研發(fā)，發(fā)展規(guī)模團(tuán)隊(duì)不斷壯大。一批專(zhuān)業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)，是實(shí)現(xiàn)企業(yè)戰(zhàn)略目標(biāo)的基礎(chǔ)，是企業(yè)持續(xù)發(fā)展的動(dòng)力。公司業(yè)務(wù)范圍主要包括：微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)等。公司奉行顧客至上、質(zhì)量為本的經(jīng)營(yíng)宗旨，深受客戶(hù)好評(píng)。一直以來(lái)公司堅(jiān)持以客戶(hù)為中心、微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)市場(chǎng)為導(dǎo)向，重信譽(yù)，保質(zhì)量，想客戶(hù)之所想，急用戶(hù)之所急，全力以赴滿(mǎn)足客戶(hù)的一切需要。