GaN材料系列具有低的熱產(chǎn)生率和高的擊穿電場,是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前,隨著MBE技術(shù)在GaN材料應(yīng)用中的進展和關(guān)鍵薄膜生長技術(shù)的突破,成功地生長出了GaN多種異質(zhì)結(jié)構(gòu)。用GaN材料制備出了金屬場效應(yīng)晶體管(MESFET)、異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管(HFET)、調(diào)制摻雜場效應(yīng)晶體管(MODFET)等新型器件。調(diào)制摻雜的AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)具有高的電子遷移率(2000cm2/v·s)、高的飽和速度(1×107cm/s)、較低的介電常數(shù),是制作微波器件的優(yōu)先材料;GaN較寬的禁帶寬度(3.4eV)及藍寶石等材料作襯底,散熱性能好,有利于器件在大功率條件下工作。芯片封裝是利用陶瓷或者塑料封裝晶粒及配線形成集成電路。山西生物芯片半導(dǎo)體器件加工平臺
與采用其他半導(dǎo)體技術(shù)工藝的晶體管相比,氮化鎵晶體管的一個主要優(yōu)勢是其工作電壓和電流是其他晶體管的數(shù)倍。但是,這些優(yōu)勢也帶來了特殊的可靠性挑戰(zhàn)。其中挑戰(zhàn)之一就是因為柵極和電子溝道之間通常使用的氮化鋁鎵。氮化鋁和氮化鎵的晶格常數(shù)不同。當?shù)X在氮化鎵上生長時,其晶格常數(shù)被迫與氮化鎵相同,從而形成應(yīng)變。氮化鋁鎵勢壘層的鋁含量越高,晶格常數(shù)之間的不匹配越高,因此應(yīng)變也越高。然后,氮化鎵的壓電通過反壓電效應(yīng),在系統(tǒng)內(nèi)產(chǎn)生更大應(yīng)變。如果氮化鎵的壓電屬性產(chǎn)生電場,則反壓電效應(yīng)意味著一個電場總會產(chǎn)生機械應(yīng)變。這種壓電應(yīng)變增加了氮化鋁鎵勢壘層的晶格不匹配應(yīng)變。山西生物芯片半導(dǎo)體器件加工平臺半導(dǎo)體芯片封裝是指利用膜技術(shù)及細微加工技術(shù)。
半導(dǎo)體設(shè)備泛指用于生產(chǎn)各類半導(dǎo)體產(chǎn)品所需的生產(chǎn)設(shè)備,屬于半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈的關(guān)鍵支撐環(huán)節(jié)。半導(dǎo)體設(shè)備是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)先導(dǎo)者,芯片設(shè)計、晶圓制造和封裝測試等需在設(shè)備技術(shù)允許的范圍內(nèi)設(shè)計和制造,設(shè)備的技術(shù)進步又反過來推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。以半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中技術(shù)難度較高、附加值較大、工藝較為復(fù)雜的集成電路為例,應(yīng)用于集成電路領(lǐng)域的設(shè)備通??煞譃榍暗拦に囋O(shè)備(晶圓制造)和后道工藝設(shè)備(封裝測試)兩大類。其中的前道晶圓制造中的七大步驟分別為氧化/擴散,光刻,刻蝕,清洗,離子注入,薄膜生長,拋光。每個步驟用到的半導(dǎo)體設(shè)備具體如下:
MOS場效應(yīng)管的制作流程是:1.將硅單晶切成大圓片,并加以研磨、拋光。2.拋光后的片子經(jīng)仔細清洗后,熱生長一層二氧化硅層。(一次氧化)3.用光刻技術(shù)可除漏、源擴散窗口上的二氧化硅。(一次光刻)4.進行選擇性的雜質(zhì)擴散。5.去處所有二氧化硅,重新生長一層質(zhì)量良好的柵極二氧化硅層,并進行磷處理。(二次氧化+磷處理)6.刻除漏、源引線窗口上的二氧化硅。(二次光刻)7.在真空系統(tǒng)中蒸發(fā)鋁(鋁蒸發(fā))。8.反刻電極。9.進行合金。10.檢出性能良好的管芯,燒焊在管座上,鍵合引線。11.監(jiān)察質(zhì)量(中測)12.封上管帽,噴漆。13.總測。14.打印,包裝。表面硅MEMS加工技術(shù)是在集成電路平面工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種MEMS工藝技術(shù)。
表面硅MEMS加工工藝主要是以不同方法在襯底表面加工不同的薄膜,并根據(jù)需要事先在薄膜下面已確定的區(qū)域中生長分離層。這些都需要制膜工藝來完成。制膜的方法有很多,如蒸鍍、濺射等物理的氣相淀積法(PVD)、化學氣相淀積法(CVD)以及外延和氧化等。其中CVD是微電子加工技術(shù)中較常用的薄膜制作技術(shù)之一,它是在受控氣相條件下,通過氣體在加熱基板上反應(yīng)或分解使其生成物淀積到基板上形成薄膜。CVD技術(shù)可以分為常壓(APCVD)、低壓(LPCVD)、等離子體增強(PECVD)等不同技術(shù)。采用CVD所能制作的膜有多晶硅、單晶硅、非晶硅等半導(dǎo)體薄膜,氧化硅、氮化硅等絕緣體介質(zhì)膜,以及高分子膜和金屬膜等。由于在表面硅MEMS加工技術(shù)中較常用到的是多晶硅、氧化硅、氮化硅薄膜,而它們通常采用LPCVD或PECVD來制作。為了確保良好的導(dǎo)電性,金屬會在450℃熱處理后與晶圓表面緊密熔合。江西微透鏡半導(dǎo)體器件加工平臺
單晶硅是從大自然豐富的硅原料中提純制造出多晶硅,再通過區(qū)熔或直拉法生產(chǎn)出區(qū)熔單晶或直拉單晶硅。山西生物芯片半導(dǎo)體器件加工平臺
光刻是通過一系列生產(chǎn)步驟將晶圓表面薄膜的特定部分除去的工藝。在此之后,晶圓表面會留下帶有微圖形結(jié)構(gòu)的薄膜。被除去的部分可能形狀是薄膜內(nèi)的孔或是殘留的島狀部分。光刻生產(chǎn)的目標是根據(jù)電路設(shè)計的要求,生成尺寸精確的特征圖形,且在晶圓表面的位置要正確,而且與其他部件的關(guān)聯(lián)也正確。通過光刻過程,在晶圓片上保留特征圖形的部分。有時光刻工藝又被稱為Photomasking,Masking,Photolithography或Microlithography,是半導(dǎo)體制造工藝中較關(guān)鍵的。在光刻過程中產(chǎn)生的錯誤可造成圖形歪曲或套準不好,然后可轉(zhuǎn)化為對器件的電特性產(chǎn)生影響。山西生物芯片半導(dǎo)體器件加工平臺
廣東省科學院半導(dǎo)體研究所位于長興路363號,交通便利,環(huán)境優(yōu)美,是一家服務(wù)型企業(yè)。公司是一家****企業(yè),以誠信務(wù)實的創(chuàng)業(yè)精神、專業(yè)的管理團隊、踏實的職工隊伍,努力為廣大用戶提供***的產(chǎn)品。公司擁有專業(yè)的技術(shù)團隊,具有微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)等多項業(yè)務(wù)。廣東省半導(dǎo)體所自成立以來,一直堅持走正規(guī)化、專業(yè)化路線,得到了廣大客戶及社會各界的普遍認可與大力支持。