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磁控濺射由于其優(yōu)點(diǎn)應(yīng)用日趨增長(zhǎng),成為工業(yè)鍍膜生產(chǎn)中主要的技術(shù)之一,相應(yīng)的濺射技術(shù)與也取得了進(jìn)一步的發(fā)展。非平衡磁控濺射改善了沉積室內(nèi)等離子體的分布,提高了膜層質(zhì)量;中頻和脈沖磁控濺射可有效避免反應(yīng)濺射時(shí)的遲滯現(xiàn)象,消除靶中毒和打弧問(wèn)題,提高制備化合物薄膜的穩(wěn)定性和沉積速率;改進(jìn)的磁控濺射靶的設(shè)計(jì)可獲得較高的靶材利用率;高速濺射和自濺射為濺射鍍膜技術(shù)開(kāi)辟了新的應(yīng)用領(lǐng)域,具有誘人的成膜效率和經(jīng)濟(jì)效益,實(shí)驗(yàn)簡(jiǎn)單方便。真空鍍膜中離子鍍的鍍層有高硬度、高耐磨性。寧波真空鍍膜工藝
真空鍍膜的方法:真空蒸鍍法:電子束蒸發(fā)源利用燈絲發(fā)射的熱電子,經(jīng)加速陽(yáng)極加速,獲得動(dòng)能轟擊處于陽(yáng)極的蒸發(fā)材料,是蒸發(fā)材料加熱氣化,實(shí)現(xiàn)蒸發(fā)鍍膜。這種技術(shù)相對(duì)于蒸發(fā)鍍膜,可以制作高熔點(diǎn)和高純的薄膜,是高真空鍍鈦膜技術(shù)中是一種新穎的蒸鍍材料的熱源。高頻感應(yīng)蒸發(fā)源是利用蒸發(fā)材料在高頻電磁場(chǎng)的感應(yīng)下產(chǎn)生強(qiáng)大的渦流損失和磁滯損失,從而將鍍料金屬蒸發(fā)的蒸鍍技術(shù)。這種技術(shù)比電子束蒸發(fā)源蒸發(fā)速率更大,且蒸發(fā)源的溫度均勻穩(wěn)定。寧波真空鍍膜工藝真空鍍膜的操作規(guī)程:把零件放入酸洗或堿洗槽中時(shí),應(yīng)輕拿輕放,不得碰撞及濺出。
真空鍍膜:真空蒸鍍是在真空條件下,將鍍料靶材加熱并蒸發(fā),使大量的原子、分子氣化并離開(kāi)液體鍍料或離開(kāi)固體鍍料表面(或升華),并較終沉積在基體表面上的技術(shù)。在整個(gè)過(guò)程中,氣態(tài)的原子、分子在真空中會(huì)經(jīng)過(guò)很少的碰撞而直接遷移到基體,并沉積在基體表面形成薄膜。蒸發(fā)的方法包括電阻加熱,高頻感應(yīng)加熱,電子束、激光束、離子束高能轟擊鍍料等。真空蒸鍍是PVD法中使用較早的技術(shù)。將鍍料加熱到蒸發(fā)溫度并使之氣化,這種加熱裝置稱(chēng)為蒸發(fā)源。較常用的蒸發(fā)源是電阻蒸發(fā)源和電子束蒸發(fā)源,特殊用途的蒸發(fā)源有高頻感應(yīng)加熱、電弧加熱、輻射加熱、激光加熱蒸發(fā)源等。
磁控濺射包括很多種類(lèi)各有不同工作原理和應(yīng)用對(duì)象。但有一共同點(diǎn):利用磁場(chǎng)與電場(chǎng)交互作用,使電子在靶表面附近成螺旋狀運(yùn)行,從而增大電子撞擊氬氣產(chǎn)生離子的概率。所產(chǎn)生的離子在電場(chǎng)作用下撞向靶面從而濺射出靶材。靶源分平衡和非平衡式,平衡式靶源鍍膜均勻,非平衡式靶源鍍膜膜層和基體結(jié)合力強(qiáng)。平衡靶源多用于半導(dǎo)體光學(xué)膜,非平衡多用于磨損裝飾膜。磁控陰極按照磁場(chǎng)位形分布不同,大致可分為平衡態(tài)和非平衡磁控陰極。具體應(yīng)用需選擇不一樣的磁控設(shè)備類(lèi)型。蒸發(fā)物質(zhì)的分子被電子碰撞電離后以離子沉積在固體表面,稱(chēng)為離子鍍。
真空鍍膜的方法:化學(xué)氣相沉積:在等離子化學(xué)氣相沉積法中,等離子體中電子溫度高達(dá)104K,電子與氣相分子的碰撞可以促進(jìn)氣體分子的分解、化合、激發(fā)和電離過(guò)程,生成活性很高的各種化學(xué)基團(tuán),產(chǎn)生大量反應(yīng)活性物種而使整個(gè)反應(yīng)體系卻保持較低溫度。而普通的CVD法沉積溫度高(一般為1100℃),當(dāng)在鋼材表面沉積氮化鈦薄膜時(shí),由于溫度很高,致使膜層與基體間常有脆性相出現(xiàn),致使刀具的切削壽命降低。利用直流等離子化學(xué)氣相沉積法,在硬質(zhì)臺(tái)金上沉積TiN膜結(jié)構(gòu)與性能均勻。在真空鍍膜機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)正常情況下,開(kāi)動(dòng)真空鍍膜機(jī)時(shí),必須先開(kāi)水管,工作中應(yīng)隨時(shí)注意水壓。寧波真空鍍膜工藝
真空鍍膜離子鍍中不同的蒸發(fā)源與不同的電離或激發(fā)方式可以有多種不同的組合。寧波真空鍍膜工藝
真空鍍膜:技術(shù)優(yōu)點(diǎn):鍍層附著性能好:普通真空鍍膜時(shí),在工件表面與鍍層之間幾乎沒(méi)有連接的過(guò)渡層,好似截然分開(kāi)。而離子鍍時(shí),離子高速轟擊工件時(shí),能夠穿透工件表面,形成一種注入基體很深的擴(kuò)散層,離子鍍的界面擴(kuò)散深度可達(dá)四至五微米,對(duì)離子鍍后的試件作拉伸試驗(yàn)表明,一直拉到快要斷裂時(shí),鍍層仍隨基體金屬一起塑性延伸,無(wú)起皮或剝落現(xiàn)象發(fā)生,可見(jiàn)附著多么牢固,膜層均勻,致密。繞鍍能力強(qiáng):離子鍍時(shí),蒸發(fā)料粒子是以帶電離子的形式在電場(chǎng)中沿著電力線方向運(yùn)動(dòng),因而凡是有電場(chǎng)存在的部位,均能獲得良好鍍層,這比普通真空鍍膜只能在直射方向上獲得鍍層優(yōu)越得多。因此,這種方法非常適合于鍍復(fù)零件上的內(nèi)孔、凹槽和窄縫。等其他方法難鍍的部位。用普通真空鍍膜只能鍍直射表面,蒸發(fā)料粒子尤如攀登云梯一樣,只能順梯而上;而離子鍍則能均勻地繞鍍到零件的背面和內(nèi)孔中,帶電離子則好比坐上了直升飛機(jī),能夠沿著規(guī)定的航線飛抵其活動(dòng)半徑范圍內(nèi)的任何地方。寧波真空鍍膜工藝
廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所擁有面向半導(dǎo)體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領(lǐng)域,致力于打造***的公益性、開(kāi)放性、支撐性樞紐中心。平臺(tái)擁有半導(dǎo)體制備工藝所需的整套儀器設(shè)備,建立了一條實(shí)驗(yàn)室研發(fā)線和一條中試線,加工尺寸覆蓋2-6英寸(部分8英寸),同時(shí)形成了一支與硬件有機(jī)結(jié)合的專(zhuān)業(yè)人才隊(duì)伍。平臺(tái)當(dāng)前緊抓技術(shù)創(chuàng)新和公共服務(wù),面向國(guó)內(nèi)外高校、科研院所以及企業(yè)提供開(kāi)放共享,為技術(shù)咨詢、創(chuàng)新研發(fā)、技術(shù)驗(yàn)證以及產(chǎn)品中試提供支持。等多項(xiàng)業(yè)務(wù),主營(yíng)業(yè)務(wù)涵蓋微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)。公司目前擁有較多的高技術(shù)人才,以不斷增強(qiáng)企業(yè)重點(diǎn)競(jìng)爭(zhēng)力,加快企業(yè)技術(shù)創(chuàng)新,實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)。公司以誠(chéng)信為本,業(yè)務(wù)領(lǐng)域涵蓋微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù),我們本著對(duì)客戶負(fù)責(zé),對(duì)員工負(fù)責(zé),更是對(duì)公司發(fā)展負(fù)責(zé)的態(tài)度,爭(zhēng)取做到讓每位客戶滿意。一直以來(lái)公司堅(jiān)持以客戶為中心、微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)市場(chǎng)為導(dǎo)向,重信譽(yù),保質(zhì)量,想客戶之所想,急用戶之所急,全力以赴滿足客戶的一切需要。