干法刻蝕種類(lèi)很多，包括光揮發(fā)、氣相腐蝕、等離子體腐蝕等。按照被刻蝕的材料類(lèi)型來(lái)劃分，干法刻蝕主要分成三種：金屬刻蝕、介質(zhì)刻蝕和硅刻蝕。介質(zhì)刻蝕是用于介質(zhì)材料的刻蝕，如二氧化硅。干法刻蝕優(yōu)點(diǎn)是：各向異性好，選擇比高，可控性、靈活性、重復(fù)性好，細(xì)線(xiàn)條操作安全，易實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化，無(wú)化學(xué)廢液，處理過(guò)程未引入污染，潔凈度強(qiáng)。干法刻蝕主要形式有純化學(xué)過(guò)程（如屏蔽式，下游式，桶式），純物理過(guò)程（如離子銑），物理化學(xué)過(guò)程，常用的有反應(yīng)離子刻蝕RIE，離子束輔助自由基刻蝕ICP等。微機(jī)電系統(tǒng)也叫做微電子機(jī)械系統(tǒng)、微系統(tǒng)、微機(jī)械等，指尺寸在幾毫米乃至更小的高科技裝置。吉林新材料半導(dǎo)體器件加工流程

半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間，利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來(lái)完成特定功能的電子器件，可用來(lái)產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信號(hào)和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換。半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體材料是硅、鍺或砷化鎵，可用作整流器、振蕩器、發(fā)光器、放大器、測(cè)光器等器材。為了與集成電路相區(qū)別，有時(shí)也稱(chēng)為分立器件。絕大部分二端器件（即晶體二極管）的基本結(jié)構(gòu)是一個(gè)PN結(jié)。半導(dǎo)體器件由于性能優(yōu)異、體積小、重量輕和功耗低等特性，在防空反導(dǎo)、電子戰(zhàn)等系統(tǒng)中已得到普遍的應(yīng)用。浙江微流控半導(dǎo)體器件加工退火是指加熱離子注入后的硅片，修復(fù)離子注入帶來(lái)的晶格缺陷的過(guò)程。

MEMS器件體積小，重量輕，耗能低，慣性小，諧振頻率高，響應(yīng)時(shí)間短。MEMS系統(tǒng)與一般的機(jī)械系統(tǒng)相比，不只體積縮小，而且在力學(xué)原理和運(yùn)動(dòng)學(xué)原理，材料特性、加工、測(cè)量和控制等方面都將發(fā)生變化。在MEMS系統(tǒng)中，所有的幾何變形是如此之小(分子級(jí))，以至于結(jié)構(gòu)內(nèi)應(yīng)力與應(yīng)變之間的線(xiàn)性關(guān)系(虎克定律)已不存在。MEMS器件中摩擦表面的摩擦力主要是由于表面之間的分子相互作用力引起的，而不是由于載荷壓力引起。MEMS器件以硅為主要材料。硅的強(qiáng)度、硬度和楊氏模量與鐵相當(dāng)。密度類(lèi)似于鋁，熱傳導(dǎo)率接近銅和鎢，因此MEMS器件機(jī)械電氣性能優(yōu)良。

在MOS場(chǎng)效應(yīng)管的制作工藝中，多晶硅是作為電極材料（柵極）用的，用多晶硅構(gòu)成電阻的結(jié)構(gòu)。它的薄層電阻值一般為30~200歐姆/方。當(dāng)用多晶硅作為大阻值電阻時(shí)，可另外再加上一次光刻，用離子注入較小劑量來(lái)得到，其阻值可達(dá)10千歐/方。MOS管電阻。由于多晶硅下面有厚的氧化層與電路隔離，其寄生電容大幅度減小，但多晶硅電阻的薄層電阻大小，除與離子注入劑量有關(guān)外，還與多晶硅的厚度，多晶硅淀積質(zhì)量等因素有關(guān)，因此，用于做精密電阻還是困難的。單晶拋光硅片加工流程：切斷：目的是切除單晶硅棒的頭部、尾部及超出客戶(hù)規(guī)格的部分。

用硅片制造晶片主要是制造晶圓上嵌入電子元件(如電晶體、電容、邏輯閘等)的電路，這是所需技術(shù)較復(fù)雜、投資較大的工藝。作為一個(gè)例子，單片機(jī)的加工工序多達(dá)幾百道，而且需要的加工設(shè)備也比較先進(jìn)，成本較高。盡管細(xì)節(jié)處理程序會(huì)隨著產(chǎn)品類(lèi)型和使用技術(shù)的改變而發(fā)生變化，但是它的基本處理步驟通常是晶圓片首先進(jìn)行適當(dāng)?shù)那逑?，然后?jīng)過(guò)氧化和沉淀處理，較后通過(guò)多次的微影、蝕刻和離子植入等步驟，較終完成了晶圓上電路的加工和制造。在MOS場(chǎng)效應(yīng)管的制作工藝中，多晶硅是作為電極材料（柵極）用的，用多晶硅構(gòu)成電阻的結(jié)構(gòu)。浙江微流控半導(dǎo)體器件加工

硅晶片清潔過(guò)程是半導(dǎo)體制造過(guò)程中的關(guān)鍵步驟。吉林新材料半導(dǎo)體器件加工流程

MEMS制造是基于半導(dǎo)體制造技術(shù)上發(fā)展起來(lái)的；它融合了擴(kuò)散、薄膜（PVD/CVD）、光刻、刻蝕（干法刻蝕、濕法腐蝕）等工藝作為前段制程，繼以減薄、切割、封裝與測(cè)試為后段，輔以精密的檢測(cè)儀器來(lái)嚴(yán)格把控工藝要求，來(lái)實(shí)現(xiàn)其設(shè)計(jì)要求。MEMS制程各工藝相關(guān)設(shè)備的極限能力又是限定器件尺寸的關(guān)鍵要素，且其相互之間的配套方能實(shí)現(xiàn)設(shè)備成本的較低；MEMS生產(chǎn)中的薄膜指通過(guò)蒸鍍、濺射、沉積等工藝將所需物質(zhì)覆蓋在基片的表層，根據(jù)其過(guò)程的氣相變化特性，可分為PVD與CVD兩大類(lèi)。吉林新材料半導(dǎo)體器件加工流程

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所位于長(zhǎng)興路363號(hào)，擁有一支專(zhuān)業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)。專(zhuān)業(yè)的團(tuán)隊(duì)大多數(shù)員工都有多年工作經(jīng)驗(yàn)，熟悉行業(yè)專(zhuān)業(yè)知識(shí)技能，致力于發(fā)展芯辰實(shí)驗(yàn)室,微納加工的品牌。公司堅(jiān)持以客戶(hù)為中心、面向半導(dǎo)體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領(lǐng)域，致力于打造***的公益性、開(kāi)放性、支撐性樞紐中心。平臺(tái)擁有半導(dǎo)體制備工藝所需的整套儀器設(shè)備，建立了一條實(shí)驗(yàn)室研發(fā)線(xiàn)和一條中試線(xiàn)，加工尺寸覆蓋2-6英寸（部分8英寸），同時(shí)形成了一支與硬件有機(jī)結(jié)合的專(zhuān)業(yè)人才隊(duì)伍。平臺(tái)當(dāng)前緊抓技術(shù)創(chuàng)新和公共服務(wù)，面向國(guó)內(nèi)外高校、科研院所以及企業(yè)提供開(kāi)放共享，為技術(shù)咨詢(xún)、創(chuàng)新研發(fā)、技術(shù)驗(yàn)證以及產(chǎn)品中試提供支持。市場(chǎng)為導(dǎo)向，重信譽(yù)，保質(zhì)量，想客戶(hù)之所想，急用戶(hù)之所急，全力以赴滿(mǎn)足客戶(hù)的一切需要。自公司成立以來(lái)，一直秉承“以質(zhì)量求生存，以信譽(yù)求發(fā)展”的經(jīng)營(yíng)理念，始終堅(jiān)持以客戶(hù)的需求和滿(mǎn)意為重點(diǎn)，為客戶(hù)提供良好的微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)，從而使公司不斷發(fā)展壯大。