真空鍍膜：磁控濺射法：濺射鍍膜較初出現(xiàn)的是簡單的直流二極濺射，它的優(yōu)點是裝置簡單，但是直流二極濺射沉積速率低；為了保持自持放電，不能在低氣壓(<0。1Pa)下進行；不能濺射絕緣材料等缺點限制了其應用。磁控濺射是由二極濺射基礎上發(fā)展而來，在靶材表面建立與電場正交磁場，解決了二極濺射沉積速率低，等離子體離化率低等問題，成為目前鍍膜工業(yè)主要方法之一。磁控濺射與其它鍍膜技術相比具有如下特點：可制備成靶的材料廣，幾乎所有金屬，合金和陶瓷材料都可以制成靶材；在適當條件下多元靶材共濺射方式，可沉積配比精確恒定的合金；在濺射的放電氣氛中加入氧、氮或其它活性氣體，可沉積形成靶材物質(zhì)與氣體分子的化合物薄膜；通過精確地控制濺射鍍膜過程，容易獲得均勻的高精度的膜厚；通過離子濺射靶材料物質(zhì)由固態(tài)直接轉(zhuǎn)變?yōu)榈入x子態(tài)，濺射靶的安裝不受限制，適合于大容積鍍膜室多靶布置設計；濺射鍍膜速度快，膜層致密，附著性好等特點，很適合于大批量，高效率工業(yè)生產(chǎn)。近年來磁控濺射技術發(fā)展很快，具有代表性的方法有射頻濺射、反應磁控濺射、非平衡磁控濺射、脈沖磁控濺射、高速濺射等。PECVD當中沉積速率過快，會導致氧化硅薄膜速率過快，說明薄膜質(zhì)量比較差。東莞電子束蒸發(fā)真空鍍膜平臺

真空鍍膜的方法：真空蒸鍍法：電子束蒸發(fā)源利用燈絲發(fā)射的熱電子,經(jīng)加速陽極加速,獲得動能轟擊處于陽極的蒸發(fā)材料,是蒸發(fā)材料加熱氣化,實現(xiàn)蒸發(fā)鍍膜。這種技術相對于蒸發(fā)鍍膜,可以制作高熔點和高純的薄膜,是高真空鍍鈦膜技術中是一種新穎的蒸鍍材料的熱源。高頻感應蒸發(fā)源是利用蒸發(fā)材料在高頻電磁場的感應下產(chǎn)生強大的渦流損失和磁滯損失,從而將鍍料金屬蒸發(fā)的蒸鍍技術。這種技術比電子束蒸發(fā)源蒸發(fā)速率更大,且蒸發(fā)源的溫度均勻穩(wěn)定。河北真空鍍膜實驗室廣義的真空鍍膜還包括在金屬或非金屬材料表面真空蒸鍍聚合物等非金屬功能性薄膜。

廣義的真空鍍膜還包括在金屬或非金屬材料表面真空蒸鍍聚合物等非金屬功能性薄膜。在所有被鍍材料中，以塑料較為常見，其次，為紙張鍍膜。相對于金屬、陶瓷、木材等材料，塑料具有來源充足、性能易于調(diào)控、加工方便等優(yōu)勢，因此種類繁多的塑料或其他高分子材料作為工程裝飾性結(jié)構(gòu)材料，大量應用于汽車、家電、日用包裝、工藝裝飾等工業(yè)領域。但塑料材料大多存在表面硬度不高、外觀不夠華麗、耐磨性低等缺陷，如在塑料表面蒸鍍一層極薄的金屬薄膜，即可賦予塑料程亮的金屬外觀，合適的金屬源還可增加材料表面耐磨性能，拓寬了塑料的裝飾性和應用范圍。

等離子體化學氣相沉積法，利用了等離子體的活性來促進反應，使化學反應能在較低的溫度下進行。優(yōu)點是：反應溫度降低，沉積速率較快，成膜質(zhì)量好，不容易破裂。缺點是：設備投資大、對氣管有特殊要求。PECVD，等離子體化學氣相沉積法是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，使局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，兩種或多種氣體很容易發(fā)生反應，在襯底上沉積出所期待的薄膜。為了使化學反應能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應，因此，這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積。真空鍍膜機模具滲碳是為了提高模具的整體強韌性，即模具的工作表面具有高的強度和耐磨性。

真空鍍膜：真空濺射法：真空濺射法是物理的氣相沉積法中的后起之秀。隨著高純靶材料和高純氣體制備技術的發(fā)展，濺射鍍膜技術飛速發(fā)展，在多元合金薄膜的制備方面顯示出獨到之處。其原理為：稀薄的空氣在異常輝光放電產(chǎn)生的等離子體在電場的作用下，對陰極靶材料表面進行轟擊，把靶材料表面的分子、原子、離子及電子等濺射出來，被濺射出來的粒子帶有一定的動能，沿一定的方法射向基體表面，在基體表面形成鍍層。特點為：鍍膜層與基材的結(jié)合力強；鍍膜層致密、均勻；設備簡單，操作方便，容易控制。主要的濺射方法有直流濺射、射頻濺射、磁控濺射等。目前應用較多的是磁控濺射法。真空鍍膜是指在真空環(huán)境下，將某種金屬或金屬化合物以氣相的形式沉積到材料表面。佛山ITO鍍膜真空鍍膜平臺

各種真空鍍膜技術都需要有一個蒸發(fā)源或靶子。東莞電子束蒸發(fā)真空鍍膜平臺

磁控濺射的優(yōu)勢在于可根據(jù)靶材的性質(zhì)來選擇使用不同的靶電源進行濺射，靶電源分為射頻靶(RF)、直流靶(DC)、直流脈沖靶(DC Pluse)。其中射頻靶主要用于導電性較差的氧化物、陶瓷等介質(zhì)膜的濺射，也可以進行常規(guī)金屬材料濺射。直流靶只能用于導電性較好的金屬材料，而直流脈沖靶介于二者之間，可濺射硅、鍺等半導體材料。磁控濺射方向性要優(yōu)于電子束蒸發(fā)，但薄膜質(zhì)量，表面粗糙度等方面不如電子束蒸發(fā)。但磁控濺射可用于多種材料，使用范圍廣，電子束蒸發(fā)則只能用于金屬材料蒸鍍，且高熔點金屬，如W，Mo等的蒸鍍較為困難。所以磁控濺射常用于新型氧化物，陶瓷材料的鍍膜，電子束則用于對薄膜質(zhì)量較高的金屬材料。東莞電子束蒸發(fā)真空鍍膜平臺

廣東省科學院半導體研究所位于長興路363號，擁有一支專業(yè)的技術團隊。致力于創(chuàng)造高品質(zhì)的產(chǎn)品與服務，以誠信、敬業(yè)、進取為宗旨，以建芯辰實驗室,微納加工產(chǎn)品為目標，努力打造成為同行業(yè)中具有影響力的企業(yè)。公司以用心服務為重點價值，希望通過我們的專業(yè)水平和不懈努力，將面向半導體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領域，致力于打造高品質(zhì)的公益性、開放性、支撐性樞紐中心。平臺擁有半導體制備工藝所需的整套儀器設備，建立了一條實驗室研發(fā)線和一條中試線，加工尺寸覆蓋2-6英寸（部分8英寸），同時形成了一支與硬件有機結(jié)合的專業(yè)人才隊伍。平臺當前緊抓技術創(chuàng)新和公共服務，面向國內(nèi)外高校、科研院所以及企業(yè)提供開放共享，為技術咨詢、創(chuàng)新研發(fā)、技術驗證以及產(chǎn)品中試提供支持。等業(yè)務進行到底。自公司成立以來，一直秉承“以質(zhì)量求生存，以信譽求發(fā)展”的經(jīng)營理念，始終堅持以客戶的需求和滿意為重點，為客戶提供良好的微納加工技術服務，真空鍍膜技術服務，紫外光刻技術服務，材料刻蝕技術服務，從而使公司不斷發(fā)展壯大。