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山西共濺射磁控濺射設(shè)備

來源: 發(fā)布時(shí)間:2022-03-03

磁控濺射就是在外加電場的兩極之間引入一個(gè)磁場。這個(gè)磁場使得電子受到洛倫茲力的束縛作用,其運(yùn)動(dòng)路線受到控制,因此大幅度增加了電子與Ar分子(原子)碰撞的幾率,提高了氣體分子的電離程度,從而使濺射效率得到很大的提升。濺射現(xiàn)象自發(fā)現(xiàn)以來己被普遍應(yīng)用在多種薄膜的制備中,如制備金屬、半導(dǎo)體、合金、氧化物以及化合物半導(dǎo)體等。磁控濺射包括很多種類。各有不同工作原理和應(yīng)用對象。但有一共同點(diǎn):利用磁場與電場交互作用,使電子在靶表面附近成螺旋狀運(yùn)行,從而增大電子撞擊氬氣產(chǎn)生離子的概率。所產(chǎn)生的離子在電場作用下撞向靶面從而濺射出靶材。磁控濺射在技術(shù)上可以分為直流(DC)磁控濺射、中頻(MF)磁控濺射、射頻(RF)磁控濺射。雙室磁控濺射沉積系統(tǒng)是帶有進(jìn)樣室的高真空多功能磁控濺射鍍膜設(shè)備。山西共濺射磁控濺射設(shè)備

山西共濺射磁控濺射設(shè)備,磁控濺射

磁控濺射的工作原理是指電子在電場E的作用下,在飛向基片過程中與氬原子發(fā)生碰撞,使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子;新電子飛向基片,Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶,并以高能量轟擊靶表面,使靶材發(fā)生濺射。在濺射粒子中,中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜,而產(chǎn)生的二次電子會(huì)受到電場和磁場作用,產(chǎn)生E(電場)×B(磁場)所指的方向漂移,簡稱E×B漂移,其運(yùn)動(dòng)軌跡近似于一條擺線。若為環(huán)形磁場,則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運(yùn)動(dòng),它們的運(yùn)動(dòng)路徑不只很長,而且被束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域內(nèi),并且在該區(qū)域中電離出大量的Ar來轟擊靶材,從而實(shí)現(xiàn)了高的沉積速率。隨著碰撞次數(shù)的增加,二次電子的能量消耗殆盡,逐漸遠(yuǎn)離靶表面,并在電場E的作用下較終沉積在基片上。由于該電子的能量很低,傳遞給基片的能量很小,致使基片溫升較低。湖南非金屬磁控濺射價(jià)格磁控濺射可以分為直流磁控濺射法和射頻磁控濺射法。

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磁控濺射包括很多種類,各有不同工作原理和應(yīng)用對象。但有一共同點(diǎn):利用磁場與電場交互作用,使電子在靶表面附近成螺旋狀運(yùn)行,從而增大電子撞擊氬氣產(chǎn)生離子的概率。所產(chǎn)生的離子在電場作用下撞向靶面從而濺射出靶材。磁控反應(yīng)濺射絕緣體看似容易,而實(shí)際操作困難。主要問題是反應(yīng)不光發(fā)生在零件表面,也發(fā)生在陽極,真空腔體表面以及靶源表面,從而引起滅火,靶源和工件表面起弧等。國外發(fā)明的孿生靶源技術(shù),很好的解決了這個(gè)問題。其原理是一對靶源互相為陰陽極,從而消除陽極表面氧化或氮化。

磁控濺射設(shè)備的主要用途:(1)各種功能性薄膜:如具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用的薄膜。例如,低溫沉積氮化硅減反射膜,以提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。(2)裝飾領(lǐng)域的應(yīng)用,如各種全反射膜及半透明膜等,如手機(jī)外殼,鼠標(biāo)等。(3)在微電子領(lǐng)域作為一種非熱式鍍膜技術(shù),主要應(yīng)用在化學(xué)氣相沉積(CVD)或金屬有機(jī)。(4)化學(xué)氣相沉積(CVD)生長困難及不適用的材料薄膜沉積,而且可以獲得大面積非常均勻的薄膜。(5)在光學(xué)領(lǐng)域:中頻閉合場非平衡磁控濺射技術(shù)也已在光學(xué)薄膜(如增透膜)、低輻射玻璃和透明導(dǎo)電玻璃等方面得到應(yīng)用。特別是透明導(dǎo)電玻璃普遍應(yīng)用于平板顯示器件、太陽能電池、微波與射頻屏蔽裝置與器件、傳感器等。(6)在機(jī)械加工行業(yè)中,表面功能膜、超硬膜,自潤滑薄膜的表面沉積技術(shù)自問世以來得到長足發(fā)展,能有效的提高表面硬度、復(fù)合韌性、耐磨損性和抗高溫化學(xué)穩(wěn)定性能,從而大幅度地提高涂層產(chǎn)品的使用壽命。用磁控靶源濺射金屬和合金很容易,點(diǎn)火和濺射很方便。

山西共濺射磁控濺射設(shè)備,磁控濺射

磁控濺射的優(yōu)點(diǎn):(1)操作易控。鍍膜過程,只要保持工作壓強(qiáng)、電功率等濺射條件相對穩(wěn)定,就能獲得比較穩(wěn)定的沉積速率。(2)沉積速率高。在沉積大部分的金屬薄膜,尤其是沉積高熔點(diǎn)的金屬和氧化物薄膜時(shí),如濺射鎢、鋁薄膜和反應(yīng)濺射TiO2、ZrO2薄膜,具有很高的沉積率。(3)基板低溫性。相對二極濺射或者熱蒸發(fā),磁控濺射對基板加熱少了,這一點(diǎn)對實(shí)現(xiàn)織物的上濺射相當(dāng)有利。(4)膜的牢固性好。濺射薄膜與基板有著極好的附著力,機(jī)械強(qiáng)度也得到了改善。反應(yīng)磁控濺射普遍應(yīng)用于化合物薄膜的大批量生產(chǎn)。湖南非金屬磁控濺射價(jià)格

真空磁控濺射鍍膜技術(shù)所鍍玻璃多用于建筑玻璃和汽車玻璃這兩大用處。山西共濺射磁控濺射設(shè)備

真空磁控濺射鍍膜技術(shù)所鍍玻璃多用于建筑玻璃和汽車玻璃這兩大用處。一般來說這些介質(zhì)膜多是氧化鋅、二氧化錫、二氧化鈦、二氧化硅之類的可鍍于玻璃上。真空磁控濺射鍍膜技術(shù)在車窗玻璃上的用處。用真空磁控濺射鍍膜設(shè)備可在車窗玻璃鍍涂二氧化鈦,這個(gè)鍍層可以賦予車窗自清潔效果,有一定的防霧、防露水的效用。磁控濺射工藝的主要優(yōu)點(diǎn)是可以使用反應(yīng)性或非反應(yīng)性鍍膜工藝來沉積這些材料的膜層,并且可以很好地控制膜層成分、膜厚、膜厚均勻性和膜層機(jī)械性能等。山西共濺射磁控濺射設(shè)備

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