微納制造技術(shù)的發(fā)展，同樣涉及到科研體系問題。嚴(yán)格意義上來說，科研分為三個領(lǐng)域，一個是基礎(chǔ)研究領(lǐng)域，一個是工程化應(yīng)用領(lǐng)域，一個是市場推廣領(lǐng)域。在發(fā)達(dá)國家的科研機(jī)制中。幾乎所有的基礎(chǔ)研究領(lǐng)域都是由國家或機(jī)構(gòu)直接或間接支持的。這種基礎(chǔ)研究較看重的是對于國家、民生或**的長遠(yuǎn)意義．而不是短期內(nèi)的投入與產(chǎn)出。因而致力于基礎(chǔ)研究的機(jī)構(gòu)或者人員。根本不用考慮研究的所謂“市場化”問題。而只是進(jìn)行基礎(chǔ)、理論的研究。另一方面。工程化應(yīng)用領(lǐng)域由專門的機(jī)構(gòu)或職能部門負(fù)責(zé)，這些部門從應(yīng)用領(lǐng)域、生產(chǎn)領(lǐng)域、制造領(lǐng)域抽調(diào)**、學(xué)者及相關(guān)專業(yè)人員，對基礎(chǔ)研究的市場應(yīng)用前景進(jìn)行分析，并提出可行性建議，末尾由市場或企業(yè)來進(jìn)行工程化應(yīng)用研究。末尾市場化推廣的問題自然是企業(yè)來做了。中國的高校和研究機(jī)構(gòu)，做純理念和純基礎(chǔ)的并不多，中國大多是工程性項(xiàng)目研究。其理想模式為高校、研究所、企業(yè)三結(jié)合狀態(tài)，各司其職，各負(fù)其責(zé)。微納技術(shù)是繼JT、生物之后。21世紀(jì)較具發(fā)展?jié)摿Φ母咝录夹g(shù)，是未來十年高增長的新興產(chǎn)業(yè)。高精度的微細(xì)結(jié)構(gòu)具有比較高的曝光精度，但這兩種方法制作效率極低。淄博電子微納加工

微納制造技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢統(tǒng)和其他綜合系統(tǒng)；納米生物學(xué)等。另一方面，微納技術(shù)的應(yīng)用領(lǐng)域也得到了比較大拓展。到目前為止。微納技術(shù)已經(jīng)被普遍應(yīng)用于****和民用產(chǎn)品。較主要的應(yīng)用如納米級機(jī)械加工、電子束和離子束加微納技術(shù)一般指微米、納米級Ａ技術(shù)、掃描隧道顯微加工技術(shù)等。100nm）的材料、設(shè)計(jì)、制造、測量、控我國微納制造技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀制和產(chǎn)品的研究、加工、制造以及應(yīng)用技由于受到基礎(chǔ)裝備、工藝技術(shù)、科研術(shù)。在基礎(chǔ)科研以及制造行業(yè)中，微納制經(jīng)費(fèi)、行業(yè)基礎(chǔ)等多方面因素的影響。我造技術(shù)的研究從其誕生之初就一直牢據(jù)行國的微納制造技術(shù)的研究與世界先進(jìn)水平業(yè)的杰出位置。淄博電子微納加工高精度的微細(xì)結(jié)構(gòu)通過控制聚焦電子束（光束）移動書寫圖案進(jìn)行曝光。

選擇比指的是在同一刻蝕條件下一種材料與另一種材料相比刻蝕速率快多少，它定義為被刻蝕材料的刻蝕速率與另一種材料的刻蝕速率的比?；緝?nèi)容：高選擇比意味著只刻除想要刻去的那一層材料。一個高選擇比的刻蝕工藝不刻蝕下面一層材料（刻蝕到恰當(dāng)?shù)纳疃葧r停止）并且保護(hù)的光刻膠也未被刻蝕。圖形幾何尺寸的縮小要求減薄光刻膠厚度。高選擇比在較先進(jìn)的工藝中為了確保關(guān)鍵尺寸和剖面控制是必需的。特別是關(guān)鍵尺寸越小，選擇比要求越高。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。

聚合物等溫微納米熱壓印技術(shù)同時適用于結(jié)晶型聚合物和非晶型聚合物，研究人員分別選用PP和PMMA作為兩類聚合物的象征，對較優(yōu)加工工藝及其內(nèi)在成型機(jī)理展開探索。結(jié)果表明，對PMMA等非晶型聚合物而言，模具溫度設(shè)定在Tg附近即可獲得成型效果優(yōu)異的微納結(jié)構(gòu)制品；在加工PP等結(jié)晶型聚合物時，模具溫度則應(yīng)設(shè)置在Tm以下40~60℃的溫度區(qū)間內(nèi)。利用聚合物等溫微納米熱壓印技術(shù)制得的微納結(jié)構(gòu)制品結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，微納結(jié)構(gòu)一致性高且成型效率高。目前，聚合物等溫微納米壓印方法的相關(guān)中心技術(shù)已申請國家發(fā)明專利和PCT國際專利。相信在全球范圍內(nèi)的微納制造技術(shù)研發(fā)大潮中，聚合物等溫微納米熱壓印技術(shù)的出現(xiàn)會為研究人員提供新的靈感和動力。微納加工包括光刻、磁控濺射、電子束蒸鍍、濕法腐蝕、干法腐蝕、表面形貌測量等。

真空鍍膜技術(shù)一般分為兩大類，即物理的氣相沉積技術(shù)和化學(xué)氣相沉積技術(shù)。物理的氣相沉積技術(shù)是指在真空條件下，利用各種物理方法，將鍍料氣化成原子、分子或使其離化為離子，直接沉積到基體表面上的方法。制備硬質(zhì)反應(yīng)膜大多以物理的氣相沉積方法制得，它利用某種物理過程，如物質(zhì)的熱蒸發(fā)，或受到離子轟擊時物質(zhì)表面原子的濺射等現(xiàn)象，實(shí)現(xiàn)物質(zhì)原子從源物質(zhì)到薄膜的可控轉(zhuǎn)移過程。物理的氣相沉積技術(shù)具有膜/基結(jié)合力好、薄膜均勻致密、薄膜厚度可控性好、應(yīng)用的靶材普遍、濺射范圍寬、可沉積厚膜、可制取成分穩(wěn)定的合金膜和重復(fù)性好等優(yōu)點(diǎn)。同時，物理的氣相沉積技術(shù)由于其工藝處理溫度可控制在500℃以下?；瘜W(xué)氣相沉積技術(shù)是把含有構(gòu)成薄膜元素的單質(zhì)氣體或化合物供給基體，借助氣相作用或基體表面上的化學(xué)反應(yīng)，在基體上制出金屬或化合物薄膜的方法，主要包括常壓化學(xué)氣相沉積、低壓化學(xué)氣相沉積和兼有CVD和PVD兩者特點(diǎn)的等離子化學(xué)氣相沉積等。在微納加工過程中，蒸發(fā)沉積和濺射沉積是典型的物理方法，主要用于沉積金屬單質(zhì)薄膜、合金薄膜、化合物等。唐山量子微納加工

光刻膠是微納加工中微細(xì)圖形加工的關(guān)鍵材料之一。淄博電子微納加工

微納制造技術(shù)是指尺度為毫米、微米和納米量級的零件，以及由這些零件構(gòu)成的部件或系統(tǒng)的設(shè)計(jì)、加工、組裝、集成與應(yīng)用技術(shù)。傳統(tǒng)“宏”機(jī)械制造技術(shù)已不能滿足這些“微”機(jī)械和“微”系統(tǒng)的高精度制造和裝配加工要求，必須研究和應(yīng)用微納制造的技術(shù)與方法。微納制造技術(shù)是微傳感器、微執(zhí)行器、微結(jié)構(gòu)和功能微納系統(tǒng)制造的基本手段和重要基礎(chǔ)。不同的表面微納結(jié)構(gòu)可以呈現(xiàn)出相應(yīng)的功能，隨著科技的發(fā)展，不同功能的微納結(jié)構(gòu)及器件將會得到更多的應(yīng)用。目前表面功能微納結(jié)構(gòu)及器件，諸如超材料、超表面等充滿“神奇”力量的結(jié)構(gòu)或器件，的發(fā)展仍受到微納加工技術(shù)的限制。因此，研究功能微納結(jié)構(gòu)及器件需要從微納結(jié)構(gòu)的加工技術(shù)方面進(jìn)行普遍深入的研究，提高微納加工技術(shù)的加工能力和效率是未來微納結(jié)構(gòu)及器件研究的重點(diǎn)方向。淄博電子微納加工