MOS場效應(yīng)管電源開關(guān)電路，MOS場效應(yīng)管也被稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗盡型和增強(qiáng)型兩種。增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管可分為NPN型PNP型。NPN型通常稱為N溝道型，PNP型也叫P溝道型。對(duì)于N溝道的場效應(yīng)管其源極和漏極接在N型半導(dǎo)體上，同樣對(duì)于P溝道的場效應(yīng)管其源極和漏極則接在P型半導(dǎo)體上。場效應(yīng)管的輸出電流是由輸入的電壓（或稱電場）控制，可以認(rèn)為輸入電流極小或沒有輸入電流，這使得該器件有很高的輸入阻抗，同時(shí)這也是我們稱之為場效應(yīng)管的原因?；緢鲂?yīng)管的特點(diǎn)包括輸入電阻高、輸入電容低。上海源極場效應(yīng)管制造

場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場效應(yīng)管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者。肇慶MOS場效應(yīng)管市場價(jià)格場效應(yīng)管在靜態(tài)工作時(shí)功耗較低，有利于節(jié)能降耗。

場效應(yīng)管注意事項(xiàng)：（1）在安裝場效應(yīng)管時(shí)，注意安裝的位置要盡量避免靠近發(fā)熱元件；為了防管件振動(dòng)，有必要將管殼體緊固起來；管腳引線在彎曲時(shí)，應(yīng)當(dāng)大于根部尺寸5毫米處進(jìn)行，以防止彎斷管腳和引起漏氣等。（2）使用VMOS管時(shí)必須加合適的散熱器后。以VNF306為例，該管子加裝140×140×4（mm）的散熱器后，較大功率才能達(dá)到30W。（3）多管并聯(lián)后，由于極間電容和分布電容相應(yīng)增加，使放大器的高頻特性變壞，通過反饋容易引起放大器的高頻寄生振蕩。為此，并聯(lián)復(fù)合管管子一般不超過4個(gè)，而且在每管基極或柵極上串接防寄生振蕩電阻。

場效應(yīng)管的用途：一、場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。二、場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換。三、場效應(yīng)管可以用作可變電阻。四、場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。五、場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)。場效應(yīng)管在電子應(yīng)用中非常普遍，了解基礎(chǔ)知識(shí)之后我們接下來就可以運(yùn)用它做一些電子開發(fā)了。場效應(yīng)管是利用輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件。場效應(yīng)管又是單極型晶體管，即導(dǎo)電過程中幾乎只有一種載流子運(yùn)動(dòng)，類似金屬導(dǎo)電。場效應(yīng)管具有較高的耐熱性能，適用于高溫環(huán)境。

在近期的工作中，小編接觸到了之前不太熟悉的一種電子元器件——場效應(yīng)管，在查找相關(guān)資料時(shí)，經(jīng)常會(huì)看到另幾個(gè)元器件，比如mos管、二極管、三極管，網(wǎng)上甚至有種說法：場效應(yīng)管和mos管就是一種東西。這種說法當(dāng)然是不夠準(zhǔn)確的，為了能夠更好地認(rèn)識(shí)這幾種元器件，本文就給大家詳細(xì)科普一下！場效應(yīng)管，場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應(yīng)管，主要有兩種類型（junction FET-JFET）和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高（10^8～10^9Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者。場效應(yīng)管作為音頻放大器，具有低失真、高保真的特點(diǎn)，提升音質(zhì)效果。肇慶MOS場效應(yīng)管市場價(jià)格

場效應(yīng)管的可靠性較高，壽命長。上海源極場效應(yīng)管制造

電極，所有的FET都有柵極（gate）、漏極（drain）、源極（source）三個(gè)端，分別大致對(duì)應(yīng)BJT的基極（base）、集電極（collector）和發(fā)射極（emitter）。除JFET以外，所有的FET也有第四端，被稱為體（body）、基（base）、塊體（bulk）或襯底（substrate）。這個(gè)第四端可以將晶體管調(diào)制至運(yùn)行；在電路設(shè)計(jì)中，很少讓體端發(fā)揮大的作用，但是當(dāng)物理設(shè)計(jì)一個(gè)集成電路的時(shí)候，它的存在就是重要的。在圖中柵極的長度（length）L，是指源和漏的距離。寬度（width）是指晶體管的范圍，在圖中和橫截面垂直。通常情況下寬度比長度大得多。長度1微米的柵極限制較高頻率約為5GHz，0.2微米則是約30GHz。上海源極場效應(yīng)管制造