穩(wěn)壓二極管和普通二極管結(jié)構(gòu)區(qū)別，穩(wěn)壓二極管和普通二極管在結(jié)構(gòu)上也有所不同。穩(wěn)壓二極管一般由三層不同類型的半導(dǎo)體材料組成，即P型半導(dǎo)體、N型半導(dǎo)體和Intrinsic型半導(dǎo)體。這種特殊結(jié)構(gòu)使得穩(wěn)壓二極管在反向電壓超過其工作電壓時，能夠迅速將反向電流增大，同時保持電壓恒定。這種特性使得穩(wěn)壓二極管能夠在電路中發(fā)揮穩(wěn)定的電壓支撐作用。而普通二極管則只有兩層半導(dǎo)體材料，即P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體。這種簡單結(jié)構(gòu)使得普通二極管在正向電壓下能夠?qū)ǎ诜聪螂妷合聞t截止。這種結(jié)構(gòu)使得普通二極管在開關(guān)電路和整流電路中能夠發(fā)揮良好的性能。在選型二極管時，需考慮反向擊穿電壓、反向恢復(fù)時間和較大耗散功率等參數(shù)。中山晶體二極管參數(shù)

變?nèi)荻O管： 變?nèi)荻O管是利用PN結(jié)的電容隨外加偏壓而變化這一特性制成的非線性電容元件，被普遍地用于參量放大器，電子調(diào)諧及倍頻器等微波電路中。瞬態(tài)電壓抑制二極管TVS： 一種固態(tài)二極管，專門用于ESD保護。TVS二極管是和被保護電路并聯(lián)的，當(dāng)瞬態(tài)電壓超過電路的正常工作電壓時，二極管發(fā)生雪崩，為瞬態(tài)電流提供通路，使內(nèi)部電路免遭超額電壓的擊穿。發(fā)光二極管LED： 用磷化鎵、磷砷化鎵材料制成，體積小，正向驅(qū)動發(fā)光。工作電壓低，工作電流小，發(fā)光均勻、壽命長、可發(fā)紅、黃、綠單色光。肇慶收音機二極管二極管使用過程中應(yīng)避免受潮、受震動和受高溫影響，以延長其使用壽命。

發(fā)光二極管，發(fā)光二極管名稱名稱為Light-emitting diode，簡稱LED。是一種常用的發(fā)光器件，通過電子與空穴復(fù)合釋放能量發(fā)光。發(fā)光二極管可高效地將電能轉(zhuǎn)化為光能，在現(xiàn)代社會具有普遍的用途，如照明、平板顯示、醫(yī)療器件等。發(fā)光二極管與普通二極管一樣是由一個PN結(jié)組成，也具有單向?qū)щ娦?。在PN結(jié)中注入的少數(shù)載流子與多數(shù)載流子復(fù)合時會把多余的能量以光的形式釋放出來，從而把電能直接轉(zhuǎn)換為光能，發(fā)光方向有正向、側(cè)向多種。發(fā)光二級管家族THT和SMT封裝的種類很多，插針的按照長正短負區(qū)分極性，貼片標有陰極線。

可以通過手動調(diào)節(jié)晶體表面上的導(dǎo)線，以獲得較佳的信號。這個較為麻煩的設(shè)備在20世紀20年代由熱離子二極管所取代。20世紀50年代，高純度的半導(dǎo)體材料出現(xiàn)。因為新出現(xiàn)的鍺二極管價格便宜，晶體收音機重新開始被大規(guī)模使用。貝爾實驗室還開發(fā)了鍺二極管微波接收器。20世紀40年代中后期，美國電話電報公司在美國四處新建的微波塔上開始應(yīng)用這種微波接收器，主要用于傳輸電話和網(wǎng)絡(luò)電視信號。不過貝爾實驗室并未研發(fā)出效果令人滿意的熱離子二極管微波接收器。在焊接二極管時，應(yīng)避免過高的溫度和過長的焊接時間，以防止熱損傷。

交流二極管（DIAC）、突波保護二極管、雙向觸發(fā)二極管，當(dāng)施加超過規(guī)定電壓（Break Over電壓，VBO）的電壓會開始導(dǎo)通使得端子之間的電壓降低的雙方向元件。用于電路的突波保護上。另，雖被稱為二極管，實際的構(gòu)造、動作原理都應(yīng)歸類為閘流管/可控硅整流器的復(fù)雜分類中。非線性電阻器，若超過一定電壓，電阻就會降低。是保護電路受到突波電壓傷害的雙向元件。通常由二氧化鋅的燒結(jié)體顆粒制成，當(dāng)作非線性電阻使用。雖然一般認為它的作用應(yīng)是由內(nèi)部眾多金屬氧化物顆粒間的肖特基接面二極管效應(yīng)而產(chǎn)生，但對外并不呈現(xiàn)二極管的特性，因此平常并不列在二極管分類之中。使用二極管時，需要注意正向電壓不超過其額定值，以避免損壞。南通二極管定制

二極管的優(yōu)勢在于其體積小、重量輕、功耗低，適用于各種電子設(shè)備中。中山晶體二極管參數(shù)

二極管的正向特性，當(dāng)外加正向電壓時，隨著電壓U的逐漸增加，電流I也增加。但在開始的一段，由于外加電壓很低。外電場不能克服PN結(jié)的內(nèi)電場，半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子不能順利通過阻擋層，所以這時的正向電流極?。ㄔ摱嗡鶎?yīng)的電壓稱為死區(qū)電壓，硅管的死區(qū)電壓約為0～0.5伏，鍺管的死區(qū)電壓約為0～0.2伏）。當(dāng)外加電壓超過死區(qū)電壓以后，外電場強于PN結(jié)的內(nèi)電場，多數(shù)載流子大量通過阻擋層，使正向電流隨電壓很快增長。即：當(dāng)V＞0，二極管處于正向特性區(qū)域。正向區(qū)又分為兩段：當(dāng)0＜V＜Vth時，正向電流為零，Vth稱為死區(qū)電壓或開啟電壓。當(dāng)V＞Vth時，開始出現(xiàn)正向電流，并按指數(shù)規(guī)律增長。中山晶體二極管參數(shù)