值得注意的是，隨著電子技術的不斷發(fā)展，穩(wěn)壓二極管和普通二極管也在不斷升級和優(yōu)化。新型的穩(wěn)壓二極管具有更高的精度和更低的功耗，能夠滿足更高要求的電路應用；而新型普通二極管則具有更快的響應速度和更高的可靠性，能夠更好地適應復雜的電路環(huán)境。總之，穩(wěn)壓二極管和普通二極管作為電子工程中常用的元件，它們在功能、結構、電性能和應用場景等方面都存在著明顯的差異。了解這些差異有助于我們更好地選擇和使用這兩種元件，從而構建出穩(wěn)定、可靠的電路系統(tǒng)。同時，隨著技術的不斷進步，我們可以期待這兩種元件在未來能夠發(fā)揮更加出色的性能，為電子工程領域的發(fā)展做出更大的貢獻。正確連接二極管時，應注意極性避免反接。有機發(fā)光二極管

二極管特性及參數(shù)：1、二極管伏安特性，導通后分電壓值約為 0.7 V（硅管）或0.3V（鍺管）（LED 約為 1-2 V，電流 5-20 mA）。反向不導通，但如果達到反向擊穿電壓，那將導通（超過反向較大電壓可能燒壞）。正向電壓很小時不導通（0.5 V 以上時才導通）。2、主要參數(shù)：較大整流電流 I_FIF： 表示長期運行允許的較大正向平均電流，超出可能因結溫過高燒壞。較高反向工作電壓 U_RUR：允許施加的較大反向電壓，超出可能擊穿。（U_RUR 通常為擊穿電壓的一半）。反向電流 I_RIR： 未擊穿時的反向電流，越小導電性越好。較高工作頻率 f_MfM： 上線截止頻率。因結電容作用，超出可能不能很好體現(xiàn)的單向導電性。廣州點接觸型二極管尺寸在選型二極管時，需考慮反向擊穿電壓、反向恢復時間和較大耗散功率等參數(shù)。

普通二極管是由一個PN結構成的半導體器件，即將一個PN結加一兩條電極引線做成管芯，并用管殼封裝而成。P型區(qū)的引出線稱為正極或陽極，N型區(qū)的引出線稱為負極或陰極，如圖1所示。普通二極管有硅管或鍺管兩種，它們的正向導通電壓（PN結電壓）差別較大，鍺管為0.2～0.3V，硅管為0.6～0.7V。點接觸型二極管，點接觸型二極管是由一根很細的金屬觸絲(如三價元素鋁)和一塊半導體(如鍺)的表面接觸，然后在正方向通過很大的瞬時電流，使觸絲和半導體牢固地熔接在一起，三價金屬與鍺結合構成PN結，并做出相應的電極引線，外加管殼密封而成。金屬絲為正極，半導體薄片為負極。

二極管的反向性，外加反向電壓不超過一定范圍時，通過二極管的電流是少數(shù)載流子漂移運動所形成反向電流。由于反向電流很小，二極管處于截止狀態(tài)。這個反向電流又稱為反向飽和電流或漏電流，二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。擊穿，外加反向電壓超過某一數(shù)值時，反向電流會突然增大，這種現(xiàn)象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時二極管失去單向導電性。如果二極管沒有因電擊穿而引起過熱，則單向導電性不一定會被長久破壞，在撤除外加電壓后，其性能仍可恢復，否則二極管就損壞了。因而使用時應避免二極管外加的反向電壓過高。二極管有正向導通和反向截止的特性，用于整流、限流、保護和變頻等電路中。

二極管是否損壞如何判斷：反向擊穿電壓的檢測，二極管反向擊穿電壓（耐壓值）可以用晶體管直流參數(shù)測試表測量。其方法是：測量二極管時，應將測試表的“NPN/PNP”選擇鍵設置為NPN狀態(tài)，再將被測二極管的正極接測試表的“C”插孔內，負極插入測試表的“e”插孔，然后按下“V（BR）”鍵，測試表即可指示出二極管的反向擊穿電壓值。也可用兆歐表和萬用表來測量二極管的反向擊穿電壓、測量時被測二極管的負極與兆歐表的正極相接，將二極管的正極與兆歐表的負極相連，同時用萬用表（置于合適的直流電壓檔）監(jiān)測二極管兩端的電壓。搖動兆歐表手柄（應由慢逐漸加快），待二極管兩端電壓穩(wěn)定而不再上升時，此電壓值即是二極管的反向擊穿電壓。二極管在電子設備中常用于信號調節(jié)，如調整音頻或視頻信號的幅度。有機發(fā)光二極管

二極管還可用于電子系統(tǒng)中的保護電路，防止過電壓損壞其他元件。有機發(fā)光二極管

接面電壓，當二極管的P-N結處于正向偏置時，必須有相當?shù)碾妷罕挥脕碡炌ê谋M區(qū)，導致形成一反向的電壓源，此電壓源的電壓就稱為障壁電壓，硅二極管的障壁電壓約0.6V～0.7V，鍺二極管的障壁電壓約0.3～0.4V。種類：依照材料及發(fā)展年代分類：二極真空管；鍺二極管；硒二極管；硅二極管；砷化鎵二極管。依照應用及特性分類：PN結二極管（PN Diode），施加正向偏置，利用半導體中PN接合的整流性質，是較基本的半導體二極管，常見應用于整流方面以及與電感并聯(lián)保護其他元件用。細節(jié)請參照PN結的條目。有機發(fā)光二極管