反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區(qū)內共價鍵結構，使價電子脫離共價鍵束縛，產生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區(qū)寬度較寬，不容易產生齊納擊穿。雪崩擊穿，另一種擊穿為雪崩擊穿。當反向電壓增加到較大數值時，外加電場使電子漂移速度加快，從而與共價鍵中的價電子相碰撞，把價電子撞出共價鍵，產生新的電子-空穴對。新產生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價電子，載流子雪崩式地增加，致使電流急劇增加，這種擊穿稱為雪崩擊穿。無論哪種擊穿，若對其電流不加限制，都可能造成PN結長久性損壞。二極管在電路中的位置和方向對電路功能有重要影響。深圳二極管價位

快恢復二極管英文名稱為Fast Recovery Diodes，簡稱FRD，是一種具有開關特性好、反向恢復時間短特點的半導體二極管，主要應用于開關電源、PWM脈寬調制器、變頻器等電子電路中，作為高頻整流二極管、續(xù)流二極管或阻尼二極管使用?？旎謴投O管的內部結構與普通PN結二極管不同，它屬于PIN結型二極管，即在P型硅材料與N型硅材料中間增加了基區(qū)I，構成PIN硅片。因基區(qū)很薄，反向恢復電荷很小，所以快恢復二極管的反向恢復時間較短，正向壓降較低，反向擊穿電壓（耐壓值）較高?？旎謴投O管的外形和普通二極管相同，原理圖和PCB庫的參照整流二極管。南通二極管二極管具有快速響應速度和較小的尺優(yōu)勢，適用于高頻電路。

反向偏置（Reverse Bias），在陽極側施加相對陰極負的電壓，就是反向偏置，所加電壓為反向偏置。這種情況下，因為N型區(qū)域被注入空穴，P型區(qū)域被注入電子，兩個區(qū)域內的主要載流子都變?yōu)椴蛔?，因此結合部位的耗盡層變得更寬，內部的靜電場也更強，擴散電位也跟著變大。這個擴散電位與外部施加的電壓互相抵銷，讓反向的電流更難以通過。更多的細節(jié)請參閱“PN結”條目。實際的元件雖然處于反向偏置狀態(tài)，也會有微小的反向電流（漏電流、漂移電流）通過。當反向偏置持續(xù)增加時，還會發(fā)生 隧道擊穿 或 雪崩擊穿 或 崩潰 ，發(fā)生急遽的電流增加。開始產生這種擊穿現象的（反向）電壓被稱為 擊穿電壓 。超過擊穿電壓以后反向電流急遽增加的區(qū)域被稱為 擊穿區(qū) （ 崩潰區(qū) ）。在擊穿區(qū)內，電流在較大的范圍內變化而二極管反向壓降變化較小。穩(wěn)壓二極管就利用這個區(qū)域的動作特性而制成，可以作為電壓源使用。

二極管的伏安特性，外加電壓P->N，大于勢壘電壓，二極管導通；外加電壓N->P，大于反向擊穿電壓，二極管擊穿。二極管的相關應用：1整流，整流,就是把交流電變?yōu)橹绷麟姷倪^程。利用具有單向導電特性的器件,可以把方向和大小交變的電流變換為直流電。（1）半波整流電路；（2）全波整流電路。需要特別指出的是，二極管作為整流元件,要根據不同的整流方式和負載大小加以選擇。如選擇不當,則或者不能安全工作,甚至燒了管子;或者大材小用,造成浪費。逆向擊穿時應避免超過較大額定反向電壓，以免損壞器件。

什么叫二極管？二極管分為哪幾種？二極管的主要參數有哪些？二極管基礎概念，二極管又稱晶體二極管,簡稱二極管(diode)，另外，還有早期的真空電子二極管；它是一種具有單向傳導電流的電子器件。在半導體二極管內部有一個PN結兩個引線端子，這種電子器件按照外加電壓的方向，具備單向電流的轉導性。一般來講，晶體二極管是一個由p型半導體和n型半導體燒結形成的p-n結界面。在其界面的兩側形成空間電荷層，構成自建電場。當外加電壓等于零時，由于p-n 結兩邊載流子的濃度差引起擴散電流和由自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)，這也是常態(tài)下的二極管特性。幾乎在所有的電子電路中，都要用到半導體二極管。二極管在電子行業(yè)中普遍應用，是現代電子設備不可或缺的組成部分。深圳二極管價位

在調試電路時，可以通過測量二極管的電壓和電流來判斷其工作狀態(tài)。深圳二極管價位

發(fā)光二極管，施加正向偏置，可以發(fā)光的二極管。由發(fā)光種類與特性又有紅外線二極管、各種顏色的可見光二極管、紫外線二極管等。激光二極管，當LED產生的光是帶寬極窄的同調光（Coherent Light）時，則稱為激光二極管。光電二極管，光線射入PN結，P區(qū)空穴、N區(qū)電子大量發(fā)生，產生電壓（光電效應）。借由測量此電壓或電流，可作為光感應器使用。有PN、PIN、肖特基、APD等類型。太陽電池也是利用此種效應。隧道二極管（Tunnel Diode）、江崎二極管（Esaki Diode）、透納二極管，由日本人江崎玲于奈于1957年發(fā)明。是利用量子穿隧效應的作用，會出現在一定偏置范圍內正向電壓增加時流通的電流量反而減少的“負電阻”的現象。這是較能耐受核輻射的半導體二極管。深圳二極管價位