20世紀初，由于無線電接收器探測器的需要，熱離子二極管（真空管）和固態(tài)二極管（半導體二極管）大約在相同的時間分別研發(fā)。直到20世紀50年代之前，真空管二極管在收音機中都更為常用。這是因為早期的點接觸式半導體二極管（貓須探測器）并不穩(wěn)定，并且那時大多數(shù)的收音機放大器都是由真空管制成，二極管可以直接放入其中。而且那時真空管整流器和充氣整流器處理一些高電壓、高電流整流任務的能力更是遠在半導體二極管（如硒整流器）之上。二極管的原理是基于PN結的特性，其中P區(qū)富含正電荷，N區(qū)富含負電荷。肇慶變容二極管檢查方法

正向偏置（Forward Bias），二極管的陽極側施加正電壓，陰極側施加負電壓，這樣就稱為正向偏置，所加電壓為正向偏置。如此N型半導體被注入電子，P型半導體被注入空穴。這樣一來，讓多數(shù)載流子過剩，耗盡層縮小、消滅，正負載流子在PN接合部附近結合并消滅。整體來看，電子從陰極流向陽極（電流則是由陽極流向陰極）。在這個區(qū)域，電流隨著偏置的增加也急遽地增加。伴隨著電子與空穴的再結合，兩者所帶有的能量轉變?yōu)闊幔ê凸猓┑男问奖环懦?。能讓正向電流通過的必要電壓被稱為開啟電壓，特定正向電流下二極管兩端的電壓稱為正向壓降。肇慶變容二極管工作原理硅二極管和鍺二極管的工作溫度范圍和耐壓能力不同，需要根據(jù)具體要求選擇。

點接觸式二極管，點接觸式二極管和下文所述的面接觸式二極管工作原理類似，不過構造較為簡單。主要結構即為一個由第三主族金屬制成的導電的頂端，和一塊與其相接觸的N型半導體。一些金屬會進入半導體，接觸面的這一小片區(qū)域就成為了P型半導體。長期流行的1N34鍺型二極管，目前還在無線電接收器中的檢波器中使用，并有時會在一些應用模擬電子的場合使用。整流動作，當二極管兩邊施加電壓時，耗盡區(qū)的寬度，PN結勢壘高低均會發(fā)生變化，導致二極管的電阻發(fā)生變化。

二極管特性及參數(shù)：1、二極管伏安特性，導通后分電壓值約為 0.7 V（硅管）或0.3V（鍺管）（LED 約為 1-2 V，電流 5-20 mA）。反向不導通，但如果達到反向擊穿電壓，那將導通（超過反向較大電壓可能燒壞）。正向電壓很小時不導通（0.5 V 以上時才導通）。2、主要參數(shù)：較大整流電流 I_FIF： 表示長期運行允許的較大正向平均電流，超出可能因結溫過高燒壞。較高反向工作電壓 U_RUR：允許施加的較大反向電壓，超出可能擊穿。（U_RUR 通常為擊穿電壓的一半）。反向電流 I_RIR： 未擊穿時的反向電流，越小導電性越好。較高工作頻率 f_MfM： 上線截止頻率。因結電容作用，超出可能不能很好體現(xiàn)的單向導電性。反向偏置時，PN結的耗盡區(qū)增大，導致電流截止。

二極管的反向特性：當外加反向電壓時，所加的反向電壓加強了內電場對多數(shù)載流子的阻擋，所以二極管中幾乎沒有電流通過。但是這時的外電場能促使少數(shù)載流子漂移，所以少數(shù)載流子形成很小的反向電流。由于少數(shù)載流子數(shù)量有限，只要加不大的反向電壓就可以使全部少數(shù)載流子越過PN結而形成反向飽和電流，繼續(xù)升高反向電壓時反向電流幾乎不再增大。當反向電壓增大到某一值（曲線中的D點）以后，反向電流會突然增大，這種現(xiàn)象叫反向擊穿，這時二極管失去單向導電性。所以一般二極管在電路中工作時，其反向電壓任何時候都必須小于其反向擊穿時的電壓。即：當V＜0時，二極管處于反向特性區(qū)域。由于二管有低成本、易于制造的特點，普遍應用于各種電子設備中。珠?？旎謴投O管現(xiàn)貨直發(fā)

二極管在電路中的位置和方向對電路功能有重要影響。肇慶變容二極管檢查方法

晶體二極管為一個由p型半導體和n型半導體形成的p-n結，在其界面處兩側形成空間電荷層，并建有自建電場。當不存在外加電壓時，由于p-n結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。 當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流I0。肇慶變容二極管檢查方法