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場(chǎng)效應(yīng)管(FET)是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,并以此命名,場(chǎng)效應(yīng)管[2]是常見的電子元件,屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高(10^8~10^9Ω)、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)。場(chǎng)效應(yīng)晶體管于1925年由Julius Edgar Lilienfeld和于1934年由Oskar Heil分別發(fā)明,但是實(shí)用的器件一直到1952年才被制造出來(結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管),1960年Dawan Kahng發(fā)明了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,從而大部分代替了JFET,對(duì)電子行業(yè)的發(fā)展有著深遠(yuǎn)的意義。場(chǎng)效應(yīng)管是一種重要的半導(dǎo)體器件,它利用電場(chǎng)效應(yīng)控制電流,實(shí)現(xiàn)電路的開關(guān)和放大功能。佛山多晶硅金場(chǎng)效應(yīng)管供應(yīng)商
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET):1、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的分類:結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管有兩種結(jié)構(gòu)形式,它們是N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管也具有三個(gè)電極,它們是:柵極;漏極;源極。電路符號(hào)中柵極的箭頭方向可理解為兩個(gè)PN結(jié)的正向?qū)щ姺较颉?、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理(以N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管為例),N溝道結(jié)構(gòu)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及符號(hào),由于PN結(jié)中的載流子已經(jīng)耗盡,故PN基本上是不導(dǎo)電的,形成了所謂耗盡區(qū),當(dāng)漏極電源電壓ED一定時(shí),如果柵極電壓越負(fù),PN結(jié)交界面所形成的耗盡區(qū)就越厚,則漏、源極之間導(dǎo)電的溝道越窄,漏極電流ID就愈??;反之,如果柵極電壓沒有那么負(fù),則溝道變寬,ID變大,所以用柵極電壓EG可以控制漏極電流ID的變化,就是說,場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件。佛山金屬場(chǎng)效應(yīng)管批發(fā)價(jià)格在選擇場(chǎng)效應(yīng)管時(shí),要考慮其成本效益,根據(jù)實(shí)際需求選擇合適的性價(jià)比產(chǎn)品。
絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管:1、絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(MOS管)的分類:絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管也有兩種結(jié)構(gòu)形式,它們是N溝道型和P溝道型。無論是什么溝道,它們又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種。2、它是由金屬、氧化物和半導(dǎo)體所組成,所以又稱為金屬—氧化物—半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管,簡(jiǎn)稱MOS場(chǎng)效應(yīng)管。3、絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理(以N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管為例)它是利用UGS來控制“感應(yīng)電荷”的多少,以改變由這些“感應(yīng)電荷”形成的導(dǎo)電溝道的狀況,然后達(dá)到控制漏極電流的目的。在制造管子時(shí),通過工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子,故在交界面的另一側(cè)能感應(yīng)出較多的負(fù)電荷,這些負(fù)電荷把高滲雜質(zhì)的N區(qū)接通,形成了導(dǎo)電溝道,即使在VGS=0時(shí)也有較大的漏極電流ID。當(dāng)柵極電壓改變時(shí),溝道內(nèi)被感應(yīng)的電荷量也改變,導(dǎo)電溝道的寬窄也隨之而變,因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。
場(chǎng)效應(yīng)管與雙極型晶體管比,它的體積小,重量輕,壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn),而且輸入回路的內(nèi)阻特別高,噪聲低、熱穩(wěn)定性好(因?yàn)閹缀踔焕枚嘧訉?dǎo)電)、防輻射能力強(qiáng)以及省電等優(yōu)點(diǎn),幾乎場(chǎng)效應(yīng)管占據(jù)的絕大部分市場(chǎng)。有利就有弊,而場(chǎng)效應(yīng)管的放大倍數(shù)要小于雙極型晶體管的放大倍數(shù)(原因后續(xù)詳解)。根據(jù)制作主要工藝主要分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(Junction Field Effect Transistor,JFET)和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOS管),下面來具體來看這兩種管子。場(chǎng)效應(yīng)管(FET)基礎(chǔ)知識(shí):名稱,場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor 縮寫(FET)),簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(junction FET-JFET),金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 (metal-oxide semiconductor FET,簡(jiǎn)稱MOS-FET),由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管,屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。與之對(duì)應(yīng)的是由兩種載流子參與導(dǎo)電的雙極型晶體管,三極管(BJT),屬于電流控制型半導(dǎo)體器件。JFET是一種可用作功率放大器或開關(guān)的場(chǎng)效應(yīng)管。
電機(jī)驅(qū)動(dòng):在電機(jī)控制系統(tǒng)中,場(chǎng)效應(yīng)管用于控制電機(jī)的啟動(dòng)、停止和速度調(diào)節(jié)。LED驅(qū)動(dòng):場(chǎng)效應(yīng)管用于LED驅(qū)動(dòng)電路中,提供恒流源以保證LED的穩(wěn)定亮度。場(chǎng)效應(yīng)管的這些應(yīng)用展示了其在現(xiàn)代電子技術(shù)中的多樣性和重要性。通過選擇合適的場(chǎng)效應(yīng)管類型和設(shè)計(jì)合適的電路,可以實(shí)現(xiàn)高效、可靠的電子系統(tǒng)。我們知道三極管全稱為半導(dǎo)體三極管,也稱雙極型晶體管、晶體三極管,是一種電流控制型半導(dǎo)體器件,其作用是把微弱信號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào), 也用作無觸點(diǎn)開關(guān)。場(chǎng)效應(yīng)管的特性可以通過外部電路的調(diào)整來滿足不同的應(yīng)用需求。紹興功耗低場(chǎng)效應(yīng)管
場(chǎng)效應(yīng)管具有高頻響應(yīng)特性,適用于高頻、高速電路,如雷達(dá)、衛(wèi)星通信等。佛山多晶硅金場(chǎng)效應(yīng)管供應(yīng)商
MOSFET應(yīng)用案例解析:開關(guān)電源應(yīng)用從定義上而言,這種應(yīng)用需要MOSFET定期導(dǎo)通和關(guān)斷。同時(shí),有數(shù)十種拓?fù)淇捎糜陂_關(guān)電源,這里考慮一個(gè)簡(jiǎn)單的例子。DC-DC電源中常用的基本降壓轉(zhuǎn)換器依靠?jī)蓚€(gè)MOSFET來執(zhí)行開關(guān)功能(下圖),這些開關(guān)交替在電感里存儲(chǔ)能量,然后把能量開釋給負(fù)載。目前,設(shè)計(jì)職員經(jīng)常選擇數(shù)百kHz乃至1 MHz以上的頻率,由于頻率越高,磁性元件可以更小更輕。開關(guān)電源中第二重要的MOSFET參數(shù)包括輸出電容、閾值電壓、柵極阻抗和雪崩能量。佛山多晶硅金場(chǎng)效應(yīng)管供應(yīng)商