20世紀(jì)初，由于無線電接收器探測器的需要，熱離子二極管（真空管）和固態(tài)二極管（半導(dǎo)體二極管）大約在相同的時(shí)間分別研發(fā)。直到20世紀(jì)50年代之前，真空管二極管在收音機(jī)中都更為常用。這是因?yàn)樵缙诘狞c(diǎn)接觸式半導(dǎo)體二極管（貓須探測器）并不穩(wěn)定，并且那時(shí)大多數(shù)的收音機(jī)放大器都是由真空管制成，二極管可以直接放入其中。而且那時(shí)真空管整流器和充氣整流器處理一些高電壓、高電流整流任務(wù)的能力更是遠(yuǎn)在半導(dǎo)體二極管（如硒整流器）之上。二極管的正向壓降較小，有助于減少能量損耗。中山續(xù)流二極管廠家供應(yīng)

晶體二極管分類如下：1、點(diǎn)接觸型二極管，點(diǎn)接觸型二極管是在鍺或硅材料的單晶片上壓觸一根金屬針后，再通過電流法而形成的。因此，其PN結(jié)的靜電容量小，適用于高頻電路。但是，與面結(jié)型相比較，點(diǎn)接觸型二極管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大電流和整流。因?yàn)闃?gòu)造簡單，所以價(jià)格便宜。對(duì)于小信號(hào)的檢波、整流、調(diào)制、混頻和限幅等一般用途而言，它是應(yīng)用范圍較廣的類型。2、外延型二極管，用外延面長的過程制造PN結(jié)而形成的二極管。制造時(shí)需要非常高超的技術(shù)。因能隨意地控制雜質(zhì)的不同濃度的分布，故適宜于制造高靈敏度的變?nèi)荻O管。中山整流二極管生產(chǎn)廠家正向偏置時(shí)，二極管內(nèi)部的PN結(jié)被擊穿，形成低電阻通道。

二極管是否損壞如何判斷：（1）極性的判別，將萬用表置于R×100檔或R×1k檔，兩表筆分別接二極管的兩個(gè)電極，測出一個(gè)結(jié)果后，對(duì)調(diào)兩表筆，再測出一個(gè)結(jié)果。兩次測量的結(jié)果中，有一次測量出的阻值較大（為反向電阻），一次測量出的阻值較?。檎螂娮瑁?。在阻值較小的一次測量中，黑表筆接的是二極管的正極，紅表筆接的是二極管的負(fù)極。溫度對(duì)二極管的性能有較大的影響，溫度升高時(shí)，反向電流將呈指數(shù)規(guī)律增加，如硅二極管溫度每增加8℃，反向電流將約增加一倍；鍺二極管溫度每增加12℃，反向電流大約增加一倍。另外，溫度升高時(shí)，二極管的正向壓降將減小，每增加1℃，正向壓降VD大約減小2 mV，即具有負(fù)的溫度系數(shù)。

二極管工作原理：二極管=PN結(jié)+馬甲兒，在半導(dǎo)體性能被發(fā)現(xiàn)后，二極管成為了世界上頭一種半導(dǎo)體器件，目前較常見的結(jié)構(gòu)是，在PN結(jié)上加上引線和封裝，就成為一個(gè)二極管，甚至可以說二極管實(shí)際上就是由一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成的，因此二極管工作原理約等于PN的工作原理，小編從源頭講講二極管（PN結(jié)）到底是怎么來的？二極管工作原理：二極管PN節(jié)的好哥倆：P型半導(dǎo)體、N型半導(dǎo)體，我們一般根據(jù)導(dǎo)電能力（電阻率）的不同將物體來劃分導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體。更通俗地講，完全純凈的、不含雜質(zhì)的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。主要常見表示有硅、鍺這兩種元素的單晶體結(jié)構(gòu)。但實(shí)際半導(dǎo)體不能一定的純凈，這類半導(dǎo)體稱為雜質(zhì)半導(dǎo)體。齊納二極管是一種高頻器件，具有低阻抗、低電壓下的快速響應(yīng)。

變?nèi)荻O管：變?nèi)荻O管英文名稱為Varactor Diodes，又稱可變電抗二極管，是利用PN結(jié)反偏時(shí)結(jié)電容大小隨外加電壓而變化的特性制成的。反偏電壓增大時(shí)結(jié)電容減小、反之結(jié)電容增大，變?nèi)荻O管的電容量一般較小，其較大值為幾十pF到幾百pF，較大電容與較小電容之比約為5:1。它主要在高頻電路中用作自動(dòng)調(diào)諧、調(diào)頻、調(diào)相等、例如在電視接收機(jī)的調(diào)諧回路中作可變電容。變?nèi)荻O管的外形與普通二極管相同，原理圖的封裝在K極會(huì)有兩根豎線的標(biāo)記。二極管在保護(hù)電路中扮演著重要角色，能有效防止電路過壓或過流。激光二極管供應(yīng)商

二極管具有快速開關(guān)特性，適用于高頻電路。中山續(xù)流二極管廠家供應(yīng)

二極管反向區(qū)也分兩個(gè)區(qū)域：當(dāng)VBR＜V＜0時(shí)，反向電流很小，且基本不隨反向電壓的變化而變化，此時(shí)的反向電流也稱反向飽和電流IS。當(dāng)V≥VBR時(shí)，反向電流急劇增加，VBR稱為反向擊穿電壓。在反向區(qū)，硅二極管和鍺二極管的特性有所不同。硅二極管的反向擊穿特性比較硬、比較陡，反向飽和電流也很??；鍺二極管的反向擊穿特性比較軟，過渡比較圓滑，反向飽和電流較大。從擊穿的機(jī)理上看，硅二極管若|VBR|≥7 V時(shí)，主要是雪崩擊穿；若VBR≤4 V則主要是齊納擊穿，當(dāng)在4 V～7 V之間兩種擊穿都有，有可能獲得零溫度系數(shù)點(diǎn)。中山續(xù)流二極管廠家供應(yīng)