導電溝道的形成：當vGS數(shù)值較小，吸引電子的能力不強時，漏——源極之間仍無導電溝道出現(xiàn)，如圖1(b)所示。vGS增加時，吸引到P襯底表面層的電子就增多，當vGS達到某一數(shù)值時，這些電子在柵極附近的P襯底表面便形成一個N型薄層，且與兩個N+區(qū)相連通，在漏——源極間形成N型導電溝道，其導電類型與P襯底相反，故又稱為反型層，如圖1(c)所示。vGS越大，作用于半導體表面的電場就越強，吸引到P襯底表面的電子就越多，導電溝道越厚，溝道電阻越小。場效應管是一種半導體器件，用于放大或開關電路中的信號。紹興結型場效應管

C-MOS場效應管（增強型MOS場效應管），電路將一個增強型P溝道MOS場效應管和一個增強型N溝道MOS場效應管組合在一起使用。當輸入端為低電平時，P溝道MOS場效應管導通，輸出端與電源正極接通。當輸入端為高電平時，N溝道MOS場效應管導通，輸出端與電源地接通。在該電路中，P溝道MOS場效應管和N溝道MOS場效應管總是在相反的狀態(tài)下工作，其相位輸入端和輸出端相反。通過這種工作方式我們可以獲得較大的電流輸出。同時由于漏電流的影響，使得柵壓在還沒有到0V，通常在柵極電壓小于1到2V時，MOS場效應管既被關斷。不同場效應管其關斷電壓略有不同。也正因為如此，使得該電路不會因為兩管同時導通而造成電源短路。紹興結型場效應管場效應管在功率電子領域具有重要作用，如變頻器、逆變器等，提高電能轉換效率。

馬達控制應用馬達控制應用是功率MOSFET大有用武之地的另一個應用領域。典型的半橋式控制電路采用2個MOSFET (全橋式則采用4個)，但這兩個MOSFET的關斷時間(死區(qū)時間)相等。對于這類應用，反向恢復時間(trr) 非常重要。在控制電感式負載(比如馬達繞組)時，控制電路把橋式電路中的MOSFET切換到關斷狀態(tài)，此時橋式電路中的另一個開關經(jīng)過MOSFET中的體二極管臨時反向傳導電流。于是，電流重新循環(huán)，繼續(xù)為馬達供電。當頭一個MOSFET再次導通時，另一個MOSFET二極管中存儲的電荷必須被移除，通過頭一個MOSFET放電，而這是一種能量的損耗，故trr 越短，這種損耗越小。

雪崩失效分析（電壓失效），底什么是雪崩失效呢，簡單來說MOSFET在電源板上由于母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等等系統(tǒng)電壓疊加在MOSFET漏源之間，導致的一種失效模式。簡而言之就是由于就是MOSFET漏源極的電壓超過其規(guī)定電壓值并達到一定的能量限度而導致的一種常見的失效模式。下面的圖片為雪崩測試的等效原理圖，做為電源工程師可以簡單了解下?？赡芪覀兘?jīng)常要求器件生產(chǎn)廠家對我們電源板上的MOSFET進行失效分析，大多數(shù)廠家都光給一個EAS.EOS之類的結論，那么到底我們怎么區(qū)分是否是雪崩失效呢，下面是一張經(jīng)過雪崩測試失效的器件圖，我們可以進行對比從而確定是否是雪崩失效。場效應管具有體積小、重量輕的優(yōu)點，便于在緊湊的電子設備中使用。

對比：場效應管與三極管的各自應用特點：1.場效應管的源極s、柵極g、漏極d分別對應于三極管的發(fā)射極e、基極b、集電極c，它們的作用相似。2.場效應管是電壓控制電流器件，由vGS控制iD，其放大系數(shù)gm一般較小，因此場效應管的放大能力較差；三極管是電流控制電流器件，由iB（或iE）控制iC。3.場效應管柵極幾乎不取電流（ig»0）；而三極管工作時基極總要吸取一定的電流。因此場效應管的柵極輸入電阻比三極管的輸入電阻高。4.場效應管是由多子參與導電；三極管有多子和少子兩種載流子參與導電，而少子濃度受溫度、輻射等因素影響較大，因而場效應管比晶體管的溫度穩(wěn)定性好、抗輻射能力強。在環(huán)境條件（溫度等）變化很大的情況下應選用場效應管。場效應管利用電場控制載流子的流動，通過改變柵極電壓，控制源極和漏極之間的電流。南京場效應管尺寸

場效應管的體積小，適合集成在微型電子設備中。紹興結型場效應管

開關時間：場效應管從完全關閉到完全導通（或相反）所需的時間。柵極驅動電路的設計對開關時間有明顯影響，同時寄生電容的大小也會影響開關時間，此外，器件的物理結構，也會影響開關速度。典型應用電路：開關電路：開關電路是指用于控制場效應管開通和關斷的電路。放大電路：場效應管因其高輸入阻抗和低噪聲特性，常用于音頻放大器、射頻放大器等模擬電路中。電源管理：在開關電源中，場效應管用于控制能量的存儲和釋放，實現(xiàn)高效的電壓轉換。紹興結型場效應管