MOS場效應(yīng)管電源開關(guān)電路，MOS場效應(yīng)管也被稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗盡型和增強(qiáng)型兩種。增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管可分為NPN型PNP型。NPN型通常稱為N溝道型，PNP型也叫P溝道型。對于N溝道的場效應(yīng)管其源極和漏極接在N型半導(dǎo)體上，同樣對于P溝道的場效應(yīng)管其源極和漏極則接在P型半導(dǎo)體上。場效應(yīng)管的輸出電流是由輸入的電壓（或稱電場）控制，可以認(rèn)為輸入電流極小或沒有輸入電流，這使得該器件有很高的輸入阻抗，同時這也是我們稱之為場效應(yīng)管的原因。場效應(yīng)管的可靠性較高，壽命長。上海強(qiáng)抗輻場效應(yīng)管

MOS管參數(shù)：功率MOSFET的一定較大額定值：注①：漏源較大電壓VDSS，可視為反向施加在體二極管兩端的電壓值，故只有一個方向。注②：柵源較大電壓VGSS，即施加在柵極電極與源極電極之間的電壓，由于柵極與P型半導(dǎo)體襯底中加了SiO2絕緣層，只要電壓一定值超過絕緣層耐壓均會擊穿，故有兩個方向“±”。注③：漏級較大電流ID與體二極管流過的反向漏級較大電流IDR（或稱為IS）一般規(guī)格書中數(shù)值一致，均為流過N型半導(dǎo)體與P型半導(dǎo)體襯底形成的PN結(jié)的較大電流。注④：ID（pulse）需要看施加電流的脈沖寬度，脈寬不一致的不能沿用規(guī)格書數(shù)據(jù)。注⑤：雪崩電流IAP同樣需要關(guān)注脈沖寬度。珠海絕緣柵場效應(yīng)管加工場效應(yīng)管是一種半導(dǎo)體器件，通過外部電場調(diào)節(jié)電導(dǎo)。

導(dǎo)通電阻（R_DS(on)）：場效應(yīng)管導(dǎo)通時的漏極與源極之間的電阻。它決定了電流通過器件時的壓降和功耗，較小的導(dǎo)通電阻意味著較低的功耗和較高的電流驅(qū)動能力。較大漏極電流（I_D(max)）：場效應(yīng)管能夠承受的較大電流，超過這個電流值可能會導(dǎo)致器件過熱、性能退化甚至長久損壞。較大漏極-源極電壓（V_DS(max)）：場效應(yīng)管能夠承受的較大電壓。超過這個電壓值可能會導(dǎo)致場效應(yīng)管的擊穿、熱損傷或其他形式的損壞。柵極電容（C_iss）：柵極與漏極之間的輸入電容。它影響了信號的傳輸速度和開關(guān)過程中的電荷存儲。

本文介紹N溝道增強(qiáng)型MOSFET場效應(yīng)管；（1）結(jié)構(gòu)，在一塊摻雜濃度較低的P型硅襯底上，制作兩個高摻雜濃度的N+區(qū)，并用金屬鋁引出兩個電極，分別作漏極d和源極s。然后在半導(dǎo)體表面覆蓋一層很薄的二氧化硅(SiO2)絕緣層，在漏——源極間的絕緣層上再裝上一個鋁電極,作為柵極g。襯底上也引出一個電極B，這就構(gòu)成了一個N溝道增強(qiáng)型MOS管。MOS管的源極和襯底通常是接在一起的(大多數(shù)管子在出廠前已連接好)。它的柵極與其它電極間是絕緣的。場效應(yīng)管的發(fā)展趨勢是向著高集成度、低功耗、高可靠性和多功能化方向發(fā)展。

結(jié)型場管腳識別，場效應(yīng)管的柵極相當(dāng)于晶體管的基極，源極和漏極分別對應(yīng)于晶體管的發(fā)射極和集電極。將萬用表置于R×1k檔，用兩表筆分別測量每兩個管腳間的正、反向電阻。當(dāng)某兩個管腳間的正、反向電阻相等，均為數(shù)KΩ時，則這兩個管腳為漏極D和源極S（可互換），余下的一個管腳即為柵極G。對于有4個管腳的結(jié)型場效應(yīng)管，另外一極是屏蔽極（使用中接地）。判定柵極，用萬用表黑表筆碰觸管子的一個電極，紅表筆分別碰觸另外兩個電極。若兩次測出的阻值都很大，說明均是反向電阻，該管屬于N溝道場效應(yīng)管，黑表筆接的也是柵極。制造工藝決定了場效應(yīng)管的源極和漏極是對稱的，可以互換使用，并不影響電路的正常工作，所以不必加以區(qū)分。源極與漏極間的電阻約為幾千歐。注意不能用此法判定絕緣柵型場效應(yīng)管的柵極。因?yàn)檫@種管子的輸入電阻極高，柵源間的極間電容又很小，測量時只要有少量的電荷，就可在極間電容上形成很高的電壓，容易將管子損壞。場效應(yīng)管驅(qū)動電路簡單，只需一個電壓信號即可實(shí)現(xiàn)控制，降低電路復(fù)雜度。廣州強(qiáng)抗輻場效應(yīng)管批發(fā)

場效應(yīng)管可以用作放大器，可以放大輸入信號的幅度。上海強(qiáng)抗輻場效應(yīng)管

場效應(yīng)晶體管：截止區(qū)：當(dāng) UGS 小于開啟電壓 UGSTH時，MOS 不導(dǎo)通?？勺冸娮鑵^(qū)：UDS 很小，I_DID 隨UDS 增大而增大。恒流區(qū)：UDS 變化，I_DID 變化很小。擊穿區(qū)：UDS 達(dá)到一定值時，MOS 被擊穿，I_DID 突然增大，如果沒有限流電阻，將被燒壞。過損耗區(qū)：功率較大，需要加強(qiáng)散熱，注意較大功率。場效應(yīng)管主要參數(shù)。場效應(yīng)管的參數(shù)很多，包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)，但普通運(yùn)用時主要關(guān)注以下一些重點(diǎn)參數(shù)：飽和漏源電流IDSS，夾斷電壓Up，（結(jié)型管和耗盡型絕緣柵管，或開啟電壓UT（加強(qiáng)型絕緣柵管）、跨導(dǎo)gm、漏源擊穿電壓BUDS、較大耗散功率PDSM和較大漏源電流IDSM。上海強(qiáng)抗輻場效應(yīng)管