正向偏置（Forward Bias），二極管的陽極側(cè)施加正電壓，陰極側(cè)施加負電壓，這樣就稱為正向偏置，所加電壓為正向偏置。如此N型半導(dǎo)體被注入電子，P型半導(dǎo)體被注入空穴。這樣一來，讓多數(shù)載流子過剩，耗盡層縮小、消滅，正負載流子在PN接合部附近結(jié)合并消滅。整體來看，電子從陰極流向陽極（電流則是由陽極流向陰極）。在這個區(qū)域，電流隨著偏置的增加也急遽地增加。伴隨著電子與空穴的再結(jié)合，兩者所帶有的能量轉(zhuǎn)變?yōu)闊幔ê凸猓┑男问奖环懦?。能讓正向電流通過的必要電壓被稱為開啟電壓，特定正向電流下二極管兩端的電壓稱為正向壓降。二極管應(yīng)存放在防潮、防塵等環(huán)境中，避免影響性能。東莞家用電器二極管檢查方法

半導(dǎo)體二極管的參數(shù)包括較大整流電流IF、反向擊穿電壓VBR、較大反向工作電壓VRM、反向電流IR、較高工作頻率fmax和結(jié)電容Cj等。幾個主要的參數(shù)介紹如下：1、較大整流電流IF：是指管子長期運行時，允許通過的較大正向平均電流。因為電流通過PN結(jié)要引起管子發(fā)熱，電流太大，發(fā)熱量超過限度，就會使PN結(jié)燒壞。例如2APl較大整流電流為16mA。2、反向擊穿電壓VBR：指管子反向擊穿時的電壓值。擊穿時，反向電流劇增，二極管的單向?qū)щ娦员黄茐模踔烈蜻^熱而燒壞。一般手冊上給出的較高反向工作電壓約為擊穿電壓的一半，以確保管子安全運行。例如2APl較高反向工作電壓規(guī)定為2OV， 而反向擊穿電壓實際上大于40V。江門家用電器二極管尺寸二極管在電子領(lǐng)域的應(yīng)用極為普遍，是現(xiàn)代電子技術(shù)中不可或缺的關(guān)鍵器件之一。

二極管是一種具有單向?qū)щ姷亩似骷须娮佣O管和晶體二極管之分，電子二極管現(xiàn)已很少見到，比較常見和常用的多是晶體二極管。二極管的單向?qū)щ娞匦?，幾乎在所有的電子電路中，都要用到半?dǎo)體二極管，它在許多的電路中起著重要的作用，它是誕生較早的半導(dǎo)體器件之一，其應(yīng)用也非常普遍。二極管的管壓降：硅二極管（不發(fā)光類型）正向管壓降0.7V，鍺管正向管壓降為0.3V，發(fā)光二極管正向管壓降會隨不同發(fā)光顏色而不同。主要有三種顏色，具體壓降參考值如下：紅色發(fā)光二極管的壓降為2.0--2.2V，黃色發(fā)光二極管的壓降為1.8—2.0V，綠色發(fā)光二極管的壓降為3.0—3.2V，正常發(fā)光時的額定電流約為20mA。

1874年，德國物理學(xué)家卡爾·布勞恩在卡爾斯魯厄理工學(xué)院發(fā)現(xiàn)了晶體的整流能力。因此1906年開發(fā)出的頭一代二極管——“貓須二極管”是由方鉛礦等礦物晶體制成的。早期的二極管還包含了真空管，真空管二極管具有兩個電極 ，一個陽極和一個熱式陰極。在半導(dǎo)體性能被發(fā)現(xiàn)后，二極管成為了世界上頭一種半導(dǎo)體器件。現(xiàn)如今的二極管大多是使用硅來生產(chǎn)，鍺等其它半導(dǎo)體材料有時也會用到。目前較常見的結(jié)構(gòu)是，一個半導(dǎo)體性能的結(jié)芯片通過PN結(jié)連接到兩個電終端。二極管的優(yōu)勢在于其體積小、重量輕、功耗低，適用于各種電子設(shè)備中。

二極管保護：二極管可用于保護電路免受電壓峰值和電磁干擾等影響。在電路中加入二極管后，可以有效地限制電壓，保護電路不受損壞。穩(wěn)壓：二極管還可以作為穩(wěn)壓器使用，它可以在電路中提供一個固定的電壓，使電路的工作更加穩(wěn)定。二極管的實際案例解說：整流器：二極管被普遍應(yīng)用于整流電路中，如橋式整流電路、半波整流電路和全波整流電路等。穩(wěn)壓器：二極管穩(wěn)壓器是一種常見的穩(wěn)壓電路，它可以提供一個恒定的電壓輸出。光電二極管：光電二極管是一種具有光電轉(zhuǎn)換功能的二極管，可以將光能轉(zhuǎn)換為電能，普遍應(yīng)用于光電傳感器、光電開關(guān)、光電顯示等領(lǐng)域。二極管的體積小、重量輕，便于集成和安裝。東莞家用電器二極管檢查方法

二極管的失效可能導(dǎo)致電路功能異常，需要定期檢測和更換。東莞家用電器二極管檢查方法

二極管反向區(qū)也分兩個區(qū)域：當(dāng)VBR＜V＜0時，反向電流很小，且基本不隨反向電壓的變化而變化，此時的反向電流也稱反向飽和電流IS。當(dāng)V≥VBR時，反向電流急劇增加，VBR稱為反向擊穿電壓。在反向區(qū)，硅二極管和鍺二極管的特性有所不同。硅二極管的反向擊穿特性比較硬、比較陡，反向飽和電流也很小；鍺二極管的反向擊穿特性比較軟，過渡比較圓滑，反向飽和電流較大。從擊穿的機理上看，硅二極管若|VBR|≥7 V時，主要是雪崩擊穿；若VBR≤4 V則主要是齊納擊穿，當(dāng)在4 V～7 V之間兩種擊穿都有，有可能獲得零溫度系數(shù)點。東莞家用電器二極管檢查方法