場效應管工作原理用一句話說，就是“漏極-源極間流經溝道的ID， 用柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓進行控制”。更正確地說，ID流經通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結反偏的變化，產生耗盡層擴展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區(qū)域，表示的過渡層的擴展因為不很大，根據漏極-源極間所加VDS的電場，源極區(qū)域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流ID流動。從門極向漏極擴展的過度層將溝道的一部分構成堵塞型，ID飽和。將這種狀態(tài)稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋，并不是電流被切斷。場效應管需遵循正確的電路連接方式，通常包括源極、柵極和漏極三個引腳，根據不同類型選擇合適的偏置電壓。徐州半導體場效應管尺寸

場效應管與雙極型晶體管比，它的體積小，重量輕，壽命長等優(yōu)點，而且輸入回路的內阻特別高，噪聲低、熱穩(wěn)定性好（因為幾乎只利用多子導電）、防輻射能力強以及省電等優(yōu)點，幾乎場效應管占據的絕大部分市場。有利就有弊，而場效應管的放大倍數(shù)要小于雙極型晶體管的放大倍數(shù)（原因后續(xù)詳解）。根據制作主要工藝主要分為結型場效應管(Junction Field Effect Transistor，JFET)和絕緣柵型場效應管(MOS管)，下面來具體來看這兩種管子。場效應管(FET)基礎知識：名稱，場效應晶體管（Field Effect Transistor 縮寫(FET)），簡稱場效應管。結型場效應管（junction FET-JFET)，金屬 - 氧化物半導體場效應管 （metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET），由多數(shù)載流子參與導電，也稱為單極型晶體管，屬于電壓控制型半導體器件。與之對應的是由兩種載流子參與導電的雙極型晶體管，三極管(BJT)，屬于電流控制型半導體器件。徐州半導體場效應管尺寸在選擇場效應管時，要考慮其成本效益，根據實際需求選擇合適的性價比產品。

眾所周知，傳統(tǒng)的MOS場效應管的柵極、源極和漏極較大程度上致處于同一水平面的芯片上，其工作電流基本上是沿水平方向流動。VMOS管則不同，其兩大結構特點:頭一，金屬柵極采用V型槽結構；第二，具有垂直導電性。由于漏極是從芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流動，而是自重摻雜N+區(qū)（源極S）出發(fā)，經過P溝道流入輕摻雜N-漂移區(qū)，然后垂直向下到達漏極D。因為流通截面積增大，所以能通過大電流。由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層，因此它仍屬于絕緣柵型MOS場效應管。

判斷源極S、漏極D，將萬用表撥至R×1k檔分別丈量三個管腳之間的電阻。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時黑表筆的是S極，紅表筆接D極。因為測試前提不同，測出的RDS（on）值比手冊中給出的典型值要高一些。丈量漏-源通態(tài)電阻RDS（on），在源-漏之間有一個PN結，因此根據PN結正、反向電阻存在差異，可識別S極與D極。例如用500型萬用表R×1檔實測一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典型值）。場效應管作為音頻放大器，具有低失真、高保真的特點，提升音質效果。

在二極管加上正向電壓（P端接正極，N端接負極）時，二極管導通，其PN結有電流通過。這是因為在P型半導體端為正電壓時，N型半導體內的負電子被吸引而涌向加有正電壓的P型半導體端，而P型半導體端內的正電子則朝N型半導體端運動，從而形成導通電流。同理，當二極管加上反向電壓（P端接負極，N端接正極）時，這時在P型半導體端為負電壓，正電子被聚集在P型半導體端，負電子則聚集在N型半導體端，電子不移動，其PN結沒有電流通過，二極管截止。在柵極沒有電壓時，由前面分析可知，在源極與漏極之間不會有電流流過，此時場效應管處與截止狀態(tài)（圖7a）。當有一個正電壓加在N溝道的MOS場效應管柵極上時，由于電場的作用，此時N型半導體的源極和漏極的負電子被吸引出來而涌向柵極，但由于氧化膜的阻擋，使得電子聚集在兩個N溝道之間的P型半導體中，從而形成電流，使源極和漏極之間導通。可以想像為兩個N型半導體之間為一條溝，柵極電壓的建立相當于為它們之間搭了一座橋梁，該橋的大小由柵壓的大小決定。使用場效應管時需要注意靜電放電問題，避免對器件造成損壞。肇慶單極型場效應管測量方法

場效應管的表示特性是輸入電阻高、輸入電容小、開關速度快和功耗低。徐州半導體場效應管尺寸

MOS管參數(shù)：功率MOSFET的一定較大額定值：注①：漏源較大電壓VDSS，可視為反向施加在體二極管兩端的電壓值，故只有一個方向。注②：柵源較大電壓VGSS，即施加在柵極電極與源極電極之間的電壓，由于柵極與P型半導體襯底中加了SiO2絕緣層，只要電壓一定值超過絕緣層耐壓均會擊穿，故有兩個方向“±”。注③：漏級較大電流ID與體二極管流過的反向漏級較大電流IDR（或稱為IS）一般規(guī)格書中數(shù)值一致，均為流過N型半導體與P型半導體襯底形成的PN結的較大電流。注④：ID（pulse）需要看施加電流的脈沖寬度，脈寬不一致的不能沿用規(guī)格書數(shù)據。注⑤：雪崩電流IAP同樣需要關注脈沖寬度。徐州半導體場效應管尺寸