印度人賈格迪什·錢(qián)德拉·博斯在1894年成為了頭一個(gè)使用晶體檢測(cè)無(wú)線(xiàn)電波的科學(xué)家。他也在厘米和毫米級(jí)別對(duì)微波進(jìn)行了研究 [10] [11] 。1903年，格林里夫·惠特勒·皮卡德（ Greenleaf Whittier Pickard ）發(fā)明了硅晶檢波器，并在1906年11月20日注冊(cè)了專(zhuān)業(yè)技術(shù) 。也正是因?yàn)楦窳掷锓颍沟镁w檢波器發(fā)展成了可實(shí)用于無(wú)線(xiàn)電報(bào)的裝置。其他實(shí)驗(yàn)者嘗試了多種其他物質(zhì)，其中較普遍使用的是礦物方鉛礦（硫化鉛），因它價(jià)格便宜且容易獲取。在這些早期的晶體收音機(jī)集的晶體檢波器包括一個(gè)可調(diào)節(jié)導(dǎo)線(xiàn)的點(diǎn)接觸設(shè)備（即所謂的“貓須”）。二極管還可以用于信號(hào)放大和頻率變換等電路，提高電路的性能。東莞硅管二極管供應(yīng)商

肖特基二極管，利用金屬和半導(dǎo)體二者的接合面的'肖特基效應(yīng)'的整流作用。由于正向的切入電壓較低，導(dǎo)通回復(fù)時(shí)間也短，適合用于高頻率的整流。一般而言漏電流較多，突波耐受度較低。也有針對(duì)此缺點(diǎn)做改善的品種推出。穩(wěn)壓二極管（Reference Diode）（常用稱(chēng)法：齊納二極管），施加反向偏置，超過(guò)特定電壓時(shí)發(fā)生的反向擊穿電壓隨反向電流變化很小，具有一定的電壓穩(wěn)定能力。利用此性質(zhì)做成的元件被用于電壓基準(zhǔn)。借由摻雜物的種類(lèi)、濃度，決定擊穿電壓（破壞電壓）。其正向偏置與一般的二極管相同。珠海收音機(jī)二極管制造商二極管采用PN結(jié)構(gòu)，正向偏置時(shí)電子和空穴結(jié)合，反向偏置時(shí)形成勢(shì)壘，導(dǎo)致電流很小。

晶體二極管分類(lèi)如下：1、臺(tái)面型二極管，PN結(jié)的制作方法雖然與擴(kuò)散型相同，但是，只保留PN結(jié)及其必要的部分，把不必要的部分用藥品腐蝕掉。其剩余的部分便呈現(xiàn)出臺(tái)面形，因而得名。初期生產(chǎn)的臺(tái)面型，是對(duì)半導(dǎo)體材料使用擴(kuò)散法而制成的。因此，又把這種臺(tái)面型稱(chēng)為擴(kuò)散臺(tái)面型。對(duì)于這一類(lèi)型來(lái)說(shuō)，似乎大電流整流用的產(chǎn)品型號(hào)很少，而小電流開(kāi)關(guān)用的產(chǎn)品型號(hào)卻很多。2、合金擴(kuò)散型二極管，它是合金型的一種。合金材料是容易被擴(kuò)散的材料。把難以制作的材料通過(guò)巧妙地?fù)脚潆s質(zhì)，就能與合金一起過(guò)擴(kuò)散，以便在已經(jīng)形成的PN結(jié)中獲得雜質(zhì)的恰當(dāng)?shù)臐舛确植?。此法適用于制造高靈敏度的變?nèi)荻O管。

二極管是否損壞如何判斷：反向擊穿電壓的檢測(cè)，二極管反向擊穿電壓（耐壓值）可以用晶體管直流參數(shù)測(cè)試表測(cè)量。其方法是：測(cè)量二極管時(shí)，應(yīng)將測(cè)試表的“NPN/PNP”選擇鍵設(shè)置為NPN狀態(tài)，再將被測(cè)二極管的正極接測(cè)試表的“C”插孔內(nèi)，負(fù)極插入測(cè)試表的“e”插孔，然后按下“V（BR）”鍵，測(cè)試表即可指示出二極管的反向擊穿電壓值。也可用兆歐表和萬(wàn)用表來(lái)測(cè)量二極管的反向擊穿電壓、測(cè)量時(shí)被測(cè)二極管的負(fù)極與兆歐表的正極相接，將二極管的正極與兆歐表的負(fù)極相連，同時(shí)用萬(wàn)用表（置于合適的直流電壓檔）監(jiān)測(cè)二極管兩端的電壓。搖動(dòng)兆歐表手柄（應(yīng)由慢逐漸加快），待二極管兩端電壓穩(wěn)定而不再上升時(shí)，此電壓值即是二極管的反向擊穿電壓。二極管的溫度也會(huì)影響其性能，應(yīng)注意避免過(guò)熱。

二極管的正向特性，當(dāng)外加正向電壓時(shí)，隨著電壓U的逐漸增加，電流I也增加。但在開(kāi)始的一段，由于外加電壓很低。外電場(chǎng)不能克服PN結(jié)的內(nèi)電場(chǎng)，半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子不能順利通過(guò)阻擋層，所以這時(shí)的正向電流極?。ㄔ摱嗡鶎?duì)應(yīng)的電壓稱(chēng)為死區(qū)電壓，硅管的死區(qū)電壓約為0～0.5伏，鍺管的死區(qū)電壓約為0～0.2伏）。當(dāng)外加電壓超過(guò)死區(qū)電壓以后，外電場(chǎng)強(qiáng)于PN結(jié)的內(nèi)電場(chǎng)，多數(shù)載流子大量通過(guò)阻擋層，使正向電流隨電壓很快增長(zhǎng)。即：當(dāng)V＞0，二極管處于正向特性區(qū)域。正向區(qū)又分為兩段：當(dāng)0＜V＜Vth時(shí)，正向電流為零，Vth稱(chēng)為死區(qū)電壓或開(kāi)啟電壓。當(dāng)V＞Vth時(shí)，開(kāi)始出現(xiàn)正向電流，并按指數(shù)規(guī)律增長(zhǎng)。快恢復(fù)二極管在開(kāi)關(guān)電源中應(yīng)用普遍，具有快速恢復(fù)、低反向峰值電流和低反向漏電流等特點(diǎn)。江門(mén)整流二極管批發(fā)價(jià)格

二極管作為基本器件，對(duì)電子技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用起著重要作用。東莞硅管二極管供應(yīng)商

普通二極管是由一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成的半導(dǎo)體器件，即將一個(gè)PN結(jié)加一兩條電極引線(xiàn)做成管芯，并用管殼封裝而成。P型區(qū)的引出線(xiàn)稱(chēng)為正極或陽(yáng)極，N型區(qū)的引出線(xiàn)稱(chēng)為負(fù)極或陰極，如圖1所示。普通二極管有硅管或鍺管兩種，它們的正向?qū)妷海≒N結(jié)電壓）差別較大，鍺管為0.2～0.3V，硅管為0.6～0.7V。點(diǎn)接觸型二極管，點(diǎn)接觸型二極管是由一根很細(xì)的金屬觸絲(如三價(jià)元素鋁)和一塊半導(dǎo)體(如鍺)的表面接觸，然后在正方向通過(guò)很大的瞬時(shí)電流，使觸絲和半導(dǎo)體牢固地熔接在一起，三價(jià)金屬與鍺結(jié)合構(gòu)成PN結(jié)，并做出相應(yīng)的電極引線(xiàn)，外加管殼密封而成。金屬絲為正極，半導(dǎo)體薄片為負(fù)極。東莞硅管二極管供應(yīng)商