內(nèi)置MOSFET的IC當(dāng)然 不用我們再考慮了，一般大于1A電流會考慮外置MOSFET.為了獲得到更大、更靈活的LED功率能力，外置MOSFET是獨一的選擇方式，IC需要合適 的驅(qū)動能力,MOSFET輸入電容是關(guān)鍵的參數(shù)。下圖Cgd和Cgs是MOSFET等效結(jié)電容。一般IC的PWM OUT輸出內(nèi)部集成了限流電阻，具體數(shù)值大小同IC的峰值驅(qū)動輸出能力有關(guān)，可以近似認(rèn)為R=Vcc/Ipeak.一般結(jié)合IC驅(qū)動能力 Rg選擇在10-20Ω左右。一般的應(yīng)用中IC的驅(qū)動可以直接驅(qū)動MOSFET，但是考慮到通常驅(qū)動走線不是直線，感量可能會更大,并且為了防止外部干擾，還是要使用Rg驅(qū)動電阻進(jìn)行抑制.考慮到走線分布電容的影響,這個電阻要盡量靠近MOSFET的柵極。場效應(yīng)管有三種類型，分別是MOSFET、JFET和IGBT，它們各自具有不同的特性和應(yīng)用領(lǐng)域。深圳小噪音場效應(yīng)管現(xiàn)貨直發(fā)

合理的熱設(shè)計余量，這個就不多說了，各個企業(yè)都有自己的降額規(guī)范，嚴(yán)格執(zhí)行就可以了，不行就加散熱器。MOSFET發(fā)熱原因分析，做電源設(shè)計，或者做驅(qū)動方面的電路，難免要用到MOS管。MOS管有很多種類，也有很多作用。做電源或者驅(qū)動的使用，當(dāng)然就是用它的開關(guān)作用。無論N型或者P型MOS管，其工作原理本質(zhì)是一樣的。MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來控制輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它通過加在柵極上的電壓控制器件的特性，不會發(fā)生像三極管做開關(guān)時的因基極電流引起的電荷存儲效應(yīng)，因此在開關(guān)應(yīng)用中，MOS管的開關(guān)速度應(yīng)該比三極管快。東莞MOS場效應(yīng)管制造商選擇場效應(yīng)管時，應(yīng)考慮其耐壓、耐流等參數(shù)，以確保其在工作環(huán)境中能夠穩(wěn)定可靠地運行。

在要求輸入阻抗較高的場合使用時，必須采取防潮措施，以免由于溫度影響使場效應(yīng)管的輸入電阻降低。如果用四引線的場效應(yīng)管，其襯底引線應(yīng)接地。陶瓷封裝的芝麻管有光敏特性，應(yīng)注意避光使用。對于功率型場效應(yīng)管，要有良好的散熱條件。因為功率型場效應(yīng)管在高負(fù)荷條件下運用，必須設(shè)計足夠的散熱器，確保殼體溫度不超過額定值，使器件長期穩(wěn)定可靠地工作?？傊?，確保場效應(yīng)管安全使用，要注意的事項是多種多樣，采取的安全措施也是各種各樣，廣大的專業(yè)技術(shù)人員，特別是廣大的電子愛好者，都要根據(jù)自己的實際情況出發(fā)，采取切實可行的辦法，安全有效地用好場效應(yīng)管。

計算導(dǎo)通損耗。MOSFET器件的功率耗損可由Iload2×RDS(ON)計算，由于導(dǎo)通電阻隨溫度變化，因此功率耗損也會隨之按比例變化。對便攜 式設(shè)計來說，采用較低的電壓比較容易(較為普遍)，而對于工業(yè)設(shè)計，可采用較高的電壓。注意RDS(ON)電阻會隨著電流輕微上升。關(guān)于RDS(ON)電 阻的各種電氣參數(shù)變化可在制造商提供的技術(shù)資料表中查到。計算系統(tǒng)的散熱要求。設(shè)計人員必須考慮兩種不同的情況，即較壞情況和真實情況。建議采用針對較壞情況的計算結(jié)果，因為這個結(jié)果提供更大的安全余量，能 確保系統(tǒng)不會失效。在MOSFET的資料表上還有一些需要注意的測量數(shù)據(jù)；比如封裝器件的半導(dǎo)體結(jié)與環(huán)境之間的熱阻，以及較大的結(jié)溫。開關(guān)損耗其實也是一個很重要的指標(biāo)。從下圖可以看到，導(dǎo)通瞬間的電壓電流乘積相當(dāng)大。一定程度上決定了器件的開關(guān)性能。不過，如果系統(tǒng)對開關(guān)性能要求比較高，可以選擇柵極電荷QG比較小的功率MOSFET。場效應(yīng)管還具有低輸出阻抗，可以提供較大的輸出電流。

現(xiàn)在的高清、液晶、等離子電視機(jī)中開關(guān)電源部分除了采用了PFC技術(shù)外，在元器件上的開關(guān)管均采用性能優(yōu)異的MOS管取代過去的大功率晶體三極管，使整機(jī)的效率、可靠較大程度上提高，故障率大幅的下降。MOS管和大功率晶體三極管在結(jié)構(gòu)、特性有著本質(zhì)上的區(qū)別，所以在應(yīng)用上，它的驅(qū)動電路比晶體三極管復(fù)雜。所有的FET都有柵極（gate）、漏極（drain）、源極（source）三個端，分別大致對應(yīng)雙極性晶體管的基極（base）、集電極（collector）和發(fā)射極（emitter）。場效應(yīng)管在電子設(shè)備中扮演著關(guān)鍵角色。廣州金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)管

場效應(yīng)管具有較長的使用壽命，可靠性高，降低了設(shè)備的維護(hù)成本。深圳小噪音場效應(yīng)管現(xiàn)貨直發(fā)

靜態(tài)電特性：注①：Vgs（off）其實就是開啟電壓Vgs（th），只不過這里看的角度不一樣。注②：看完前文的讀者應(yīng)該知道為什么這里兩個Rds（on）大小有差異，不知道的回去前面重新看。動態(tài)點特性：注①：Ciss = Cgs + Cgd ；Coss = Cds ；Crss = Cgd；注②：MOS管開啟速度較主要關(guān)注的參數(shù)是Qg，也就是形成反型層需要的總電荷量！注③：接通/斷開延遲時間t d(on/off)、上升/下降時間tr / tf，各位工程時使用的時候請根據(jù)實際漏級電路ID，柵極驅(qū)動電壓Vg進(jìn)行判斷。深圳小噪音場效應(yīng)管現(xiàn)貨直發(fā)