判斷源極S、漏極D，將萬用表撥至R×1k檔分別丈量三個管腳之間的電阻。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時黑表筆的是S極，紅表筆接D極。因為測試前提不同，測出的RDS（on）值比手冊中給出的典型值要高一些。丈量漏-源通態(tài)電阻RDS（on），在源-漏之間有一個PN結(jié)，因此根據(jù)PN結(jié)正、反向電阻存在差異，可識別S極與D極。例如用500型萬用表R×1檔實測一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典型值）。在放大電路中，場效應(yīng)管可以起到線性放大的作用，輸出的信號與輸入信號成正比。無錫功耗低場效應(yīng)管

絕緣柵場效應(yīng)管：1、絕緣柵場效應(yīng)管（MOS管）的分類：絕緣柵場效應(yīng)管也有兩種結(jié)構(gòu)形式，它們是N溝道型和P溝道型。無論是什么溝道，它們又分為增強型和耗盡型兩種。2、它是由金屬、氧化物和半導(dǎo)體所組成，所以又稱為金屬—氧化物—半導(dǎo)體場效應(yīng)管，簡稱MOS場效應(yīng)管。3、絕緣柵型場效應(yīng)管的工作原理(以N溝道增強型MOS場效應(yīng)管為例)它是利用UGS來控制“感應(yīng)電荷”的多少，以改變由這些“感應(yīng)電荷”形成的導(dǎo)電溝道的狀況，然后達到控制漏極電流的目的。在制造管子時，通過工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子，故在交界面的另一側(cè)能感應(yīng)出較多的負電荷，這些負電荷把高滲雜質(zhì)的N區(qū)接通，形成了導(dǎo)電溝道，即使在VGS=0時也有較大的漏極電流ID。當柵極電壓改變時，溝道內(nèi)被感應(yīng)的電荷量也改變，導(dǎo)電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。常州場效應(yīng)管價格JFET是一種可用作功率放大器或開關(guān)的場效應(yīng)管。

mos管，mos管是金屬（metal）-氧化物（oxide）-半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬-絕緣體（insulator）-半導(dǎo)體，MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能，這樣的器件被認為是對稱的。MOS電容的特性能被用來形成MOS管，Gate，電介質(zhì)和backgate保持原樣。在GATE的兩邊是兩個額外的選擇性摻雜的區(qū)域。其中一個稱為source，另一個稱為drain，假設(shè)source 和backgate都接地，drain接正電壓，只要GATE對BACKGATE的電壓仍舊小于閾值電壓，就不會形成channel。

開關(guān)時間：場效應(yīng)管從完全關(guān)閉到完全導(dǎo)通（或相反）所需的時間。柵極驅(qū)動電路的設(shè)計對開關(guān)時間有明顯影響，同時寄生電容的大小也會影響開關(guān)時間，此外，器件的物理結(jié)構(gòu)，也會影響開關(guān)速度。典型應(yīng)用電路：開關(guān)電路：開關(guān)電路是指用于控制場效應(yīng)管開通和關(guān)斷的電路。放大電路：場效應(yīng)管因其高輸入阻抗和低噪聲特性，常用于音頻放大器、射頻放大器等模擬電路中。電源管理：在開關(guān)電源中，場效應(yīng)管用于控制能量的存儲和釋放，實現(xiàn)高效的電壓轉(zhuǎn)換。在使用場效應(yīng)管時，應(yīng)避免過流和過壓情況，以免損壞器件或影響電路性能。

場效應(yīng)管的工作方式有兩種：當柵壓為零時有較大漏極電流的稱為耗盡型；當柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強型。作用：1.場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。2.場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。3.場效應(yīng)管可以用作可變電阻。4.場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。5.場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)。場效應(yīng)管的工作原理是利用電荷的寄主控制電流流動，具有與電阻不同的工作方式。珠海增強型場效應(yīng)管參數(shù)

MOSFET是最常見的場效應(yīng)管，其優(yōu)勢在于高輸入電阻和低功耗。無錫功耗低場效應(yīng)管

MOSFET應(yīng)用案例解析：開關(guān)電源應(yīng)用從定義上而言，這種應(yīng)用需要MOSFET定期導(dǎo)通和關(guān)斷。同時，有數(shù)十種拓撲可用于開關(guān)電源，這里考慮一個簡單的例子。DC-DC電源中常用的基本降壓轉(zhuǎn)換器依靠兩個MOSFET來執(zhí)行開關(guān)功能(下圖)，這些開關(guān)交替在電感里存儲能量，然后把能量開釋給負載。目前，設(shè)計職員經(jīng)常選擇數(shù)百kHz乃至1 MHz以上的頻率，由于頻率越高，磁性元件可以更小更輕。開關(guān)電源中第二重要的MOSFET參數(shù)包括輸出電容、閾值電壓、柵極阻抗和雪崩能量。無錫功耗低場效應(yīng)管