場效應管主要參數(shù):1、開啟電壓,開啟電壓UT是指加強型絕緣柵場效應管中,使漏源間剛導通時的柵極電壓。2、跨導,跨導gm是表示柵源電壓UGS對漏極電流ID的控制才能,即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。gm是權(quán)衡場效應管放大才能的重要參數(shù)。3、漏源擊穿電壓,漏源擊穿電壓BUDS是指柵源電壓UGS一定時,場效應管正常工作所能接受的較大漏源電壓。這是一項極限參數(shù),加在場效應管上的工作電壓必須小于BUDS。4、較大耗散功率,較大耗散功率PDSM也是—項極限參數(shù),是指場效應管性能不變壞時所允許的較大漏源耗散功率。運用時場效應管實踐功耗應小于PDSM并留有—定余量。5、較大漏源電流,較大漏源電流IDSM是另一項極限參數(shù),是指場效應管正常工作時,漏源間所允許經(jīng)過的較大電流。場效應管的工作電流不應超越IDSM。場效應管的優(yōu)勢在于低噪聲、高放大倍數(shù)和低失真,適用于高要求的音頻放大電路中。南京場效應管廠家精選
C-MOS場效應管(增強型MOS場效應管),電路將一個增強型P溝道MOS場效應管和一個增強型N溝道MOS場效應管組合在一起使用。當輸入端為低電平時,P溝道MOS場效應管導通,輸出端與電源正極接通。當輸入端為高電平時,N溝道MOS場效應管導通,輸出端與電源地接通。在該電路中,P溝道MOS場效應管和N溝道MOS場效應管總是在相反的狀態(tài)下工作,其相位輸入端和輸出端相反。通過這種工作方式我們可以獲得較大的電流輸出。同時由于漏電流的影響,使得柵壓在還沒有到0V,通常在柵極電壓小于1到2V時,MOS場效應管既被關(guān)斷。不同場效應管其關(guān)斷電壓略有不同。也正因為如此,使得該電路不會因為兩管同時導通而造成電源短路。中山金屬半導體場效應管規(guī)格場效應管的優(yōu)勢之一是具有高輸入阻抗,可以減少對輸入信號源的負載。
場效應管的用途:一、場效應管可應用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器。二、場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。三、場效應管可以用作可變電阻。四、場效應管可以方便地用作恒流源。五、場效應管可以用作電子開關(guān)。場效應管在電子應用中非常普遍,了解基礎(chǔ)知識之后我們接下來就可以運用它做一些電子開發(fā)了。場效應管是利用輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件。場效應管又是單極型晶體管,即導電過程中幾乎只有一種載流子運動,類似金屬導電。
什么是MOSFET,mos管是金屬(metal)、氧化物(oxide)、半導體(semiconductor)場效應晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)、半導體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型back gate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個兩個區(qū)是一樣的,即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。場效應管(FET),把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的跨導, 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道,詳情參考右側(cè)圖片(P溝道耗盡型MOS管)。而P溝道常見的為低壓mos管。場效應管可以通過串聯(lián)或并聯(lián)的方式實現(xiàn)更復雜的電路功能。
與雙極型晶體管相比,場效應管具有如下特點。(1)場效應管是電壓控制器件,它通過VGS(柵源電壓)來控制ID(漏極電流);(2)場效應管的控制輸入端電流極小,因此它的輸入電阻(107~1012Ω)很大。(3)它是利用多數(shù)載流子導電,因此它的溫度穩(wěn)定性較好;(4)它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù);(5)場效應管的抗輻射能力強;(6)由于它不存在雜亂運動的電子擴散引起的散粒噪聲,所以噪聲低。在使用場效應管時,需要注意正確連接其源極、柵極和漏極,以確保其正常工作。深圳VMOS場效應管制造商
場效應管的開關(guān)速度快,適用于需要快速響應的電路系統(tǒng)中。南京場效應管廠家精選
對比:場效應管與三極管的各自應用特點:1.場效應管的源極s、柵極g、漏極d分別對應于三極管的發(fā)射極e、基極b、集電極c,它們的作用相似。2.場效應管是電壓控制電流器件,由vGS控制iD,其放大系數(shù)gm一般較小,因此場效應管的放大能力較差;三極管是電流控制電流器件,由iB(或iE)控制iC。3.場效應管柵極幾乎不取電流(ig»0);而三極管工作時基極總要吸取一定的電流。因此場效應管的柵極輸入電阻比三極管的輸入電阻高。4.場效應管是由多子參與導電;三極管有多子和少子兩種載流子參與導電,而少子濃度受溫度、輻射等因素影響較大,因而場效應管比晶體管的溫度穩(wěn)定性好、抗輻射能力強。在環(huán)境條件(溫度等)變化很大的情況下應選用場效應管。南京場效應管廠家精選