Drain和backgate之間的PN結(jié)反向偏置，所以只有很小的電流從drain流向backgate，如果GATE電壓超過了閾值電壓，在GATE電介質(zhì)下就出現(xiàn)了channel。這個(gè)channel就像一薄層短接drain和source的N型硅，由電子組成的電流從source通過channel流到drain，總的來說，只有在gate 對source電壓V 超過閾值電壓Vt時(shí)，才會有drain電流。在對稱的MOS管中，對source和drain的標(biāo)注有一點(diǎn)任意性，定義上，載流子流出source，流入drain，因此Source和drain的身份就靠器件的偏置來決定了。有時(shí)晶體管上的偏置電壓是不定的，兩個(gè)引線端就會互相對換角色，這種情況下，電路設(shè)計(jì)師必須指定一個(gè)是drain另一個(gè)是source。在設(shè)計(jì)電路時(shí)，合理選擇場效應(yīng)管的型號和工作參數(shù)，以滿足電路要求。馬鞍山金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)管

場效應(yīng)管主要參數(shù)：1、開啟電壓，開啟電壓UT是指加強(qiáng)型絕緣柵場效應(yīng)管中，使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓。2、跨導(dǎo)，跨導(dǎo)gm是表示柵源電壓UGS對漏極電流ID的控制才能，即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。gm是權(quán)衡場效應(yīng)管放大才能的重要參數(shù)。3、漏源擊穿電壓，漏源擊穿電壓BUDS是指柵源電壓UGS一定時(shí)，場效應(yīng)管正常工作所能接受的較大漏源電壓。這是一項(xiàng)極限參數(shù)，加在場效應(yīng)管上的工作電壓必須小于BUDS。4、較大耗散功率，較大耗散功率PDSM也是—項(xiàng)極限參數(shù)，是指場效應(yīng)管性能不變壞時(shí)所允許的較大漏源耗散功率。運(yùn)用時(shí)場效應(yīng)管實(shí)踐功耗應(yīng)小于PDSM并留有—定余量。5、較大漏源電流，較大漏源電流IDSM是另一項(xiàng)極限參數(shù)，是指場效應(yīng)管正常工作時(shí)，漏源間所允許經(jīng)過的較大電流。場效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超越IDSM。結(jié)型場效應(yīng)管哪家好場效應(yīng)管的功耗較低，可以節(jié)省能源。

電壓和電流的選擇。額定電壓越大，器件的成本就越高。根據(jù)實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，額定電壓應(yīng)當(dāng)大于干線電壓或總線電壓。這樣才能提供足夠的保護(hù)，使MOSFET不 會失效。就選擇MOSFET而言，必須確定漏極至源極間可能承受的較大電壓，即較大VDS。設(shè)計(jì)工程師需要考慮的其他安全因素包括由開關(guān)電子設(shè)備(如電機(jī) 或變壓器)誘發(fā)的電壓瞬變。不同應(yīng)用的額定電壓也有所不同；通常，便攜式設(shè)備為20V、FPGA電源為20～30V、85～220VAC應(yīng)用為450～600V。在連續(xù)導(dǎo)通模式下，MOSFET處于穩(wěn)態(tài)，此時(shí)電流連續(xù)通過器件。脈沖尖峰是指有大量電涌(或尖峰電流)流過器件。一旦確定了這些條件下的較大電流，只需直接選擇能承受這個(gè)較大電流的器件便可。

場效應(yīng)管（Field-Effect Transistor，簡稱FET）是電子技術(shù)中普遍使用的一種半導(dǎo)體器件，具有高輸入阻抗、噪聲低和低功耗等優(yōu)點(diǎn)。場效應(yīng)管的用途：一、場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。二、場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。三、場效應(yīng)管可以用作可變電阻。四、場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。五、場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)。總結(jié)場效應(yīng)管在電子應(yīng)用中非常普遍，了解基礎(chǔ)知識之后我們接下來就可以運(yùn)用它做一些電子開發(fā)了。在進(jìn)行場效應(yīng)管電路調(diào)試時(shí)，應(yīng)逐步調(diào)整柵極電壓，觀察輸出變化，以確保電路性能達(dá)到預(yù)期。

雪崩失效的預(yù)防措施，雪崩失效歸根結(jié)底是電壓失效，因此預(yù)防我們著重從電壓來考慮。具體可以參考以下的方式來處理。1：合理降額使用，目前行業(yè)內(nèi)的降額一般選取80%-95%的降額，具體情況根據(jù)企業(yè)的保修條款及電路關(guān)注點(diǎn)進(jìn)行選取。2：合理的變壓器反射電壓。合理的RCD及TVS吸收電路設(shè)計(jì)。4：大電流布線盡量采用粗、短的布局結(jié)構(gòu)，盡量減少布線寄生電感。5：選擇合理的柵極電阻Rg。6：在大功率電源中，可以根據(jù)需要適當(dāng)?shù)募尤隦C減震或齊納二極管進(jìn)行吸收。場效應(yīng)管可通過控制柵極電壓來調(diào)節(jié)輸出電流，具有較好的線性特性。場效應(yīng)管廠商

場效應(yīng)管在電子設(shè)備中扮演著關(guān)鍵角色。馬鞍山金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)管

場效應(yīng)管與雙極型晶體管比，它的體積小，重量輕，壽命長等優(yōu)點(diǎn)，而且輸入回路的內(nèi)阻特別高，噪聲低、熱穩(wěn)定性好（因?yàn)閹缀踔焕枚嘧訉?dǎo)電）、防輻射能力強(qiáng)以及省電等優(yōu)點(diǎn)，幾乎場效應(yīng)管占據(jù)的絕大部分市場。有利就有弊，而場效應(yīng)管的放大倍數(shù)要小于雙極型晶體管的放大倍數(shù)（原因后續(xù)詳解）。根據(jù)制作主要工藝主要分為結(jié)型場效應(yīng)管(Junction Field Effect Transistor，JFET)和絕緣柵型場效應(yīng)管(MOS管)，下面來具體來看這兩種管子。場效應(yīng)管(FET)基礎(chǔ)知識：名稱，場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor 縮寫(FET)），簡稱場效應(yīng)管。結(jié)型場效應(yīng)管（junction FET-JFET)，金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管 （metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET），由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管，屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。與之對應(yīng)的是由兩種載流子參與導(dǎo)電的雙極型晶體管，三極管(BJT)，屬于電流控制型半導(dǎo)體器件。馬鞍山金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)管

深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司是一家有著先進(jìn)的發(fā)展理念，先進(jìn)的管理經(jīng)驗(yàn)，在發(fā)展過程中不斷完善自己，要求自己，不斷創(chuàng)新，時(shí)刻準(zhǔn)備著迎接更多挑戰(zhàn)的活力公司，在廣東省等地區(qū)的電子元器件中匯聚了大量的人脈以及**，在業(yè)界也收獲了很多良好的評價(jià)，這些都源自于自身的努力和大家共同進(jìn)步的結(jié)果，這些評價(jià)對我們而言是比較好的前進(jìn)動力，也促使我們在以后的道路上保持奮發(fā)圖強(qiáng)、一往無前的進(jìn)取創(chuàng)新精神，努力把公司發(fā)展戰(zhàn)略推向一個(gè)新高度，在全體員工共同努力之下，全力拼搏將共同深圳市南科功率半導(dǎo)體供應(yīng)和您一起攜手走向更好的未來，創(chuàng)造更有價(jià)值的產(chǎn)品，我們將以更好的狀態(tài)，更認(rèn)真的態(tài)度，更飽滿的精力去創(chuàng)造，去拼搏，去努力，讓我們一起更好更快的成長！