轉(zhuǎn)換后的八位二進(jìn)制數(shù)據(jù)要占用八個輸入點(diǎn)定義號，用來把數(shù)據(jù)傳送到CPU。這八個I/0點(diǎn)是模塊的四個模擬量通道所采集數(shù)據(jù)的公共通道。為了使CPU能夠區(qū)分正在公共通道上送入的數(shù)據(jù)是來自哪一個模擬量輸入通道，以便按程序要求送往相應(yīng)的內(nèi)存單元，模塊上又使用了四個輸入點(diǎn)的定義號(如上表中的110-113)，用來提供這種信息。綜上所述，在模塊和CPU之間，為了傳遞控制信號及轉(zhuǎn)換后的數(shù)據(jù)，加上另一個未被確定用途的定義號，每個模塊共要占用16個I/0定義號。這樣，CPU就可以通過對梯形圖上相應(yīng)的I/0定義號狀態(tài)的掃描，實(shí)現(xiàn)與模塊交換信息。由于其八點(diǎn)的數(shù)據(jù)輸入通道對四個模擬量輸入通道而言是共用的，因而每個掃描周期中的CPU只能從模塊接受一個通道的轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)，模塊在此期間也對一個通道進(jìn)行A/D轉(zhuǎn)換。 模擬量輸出模塊所接收的數(shù)字信號一般多為12位二進(jìn)制數(shù)，數(shù)字量位數(shù)越多的模塊，分辨率就越高。舟山**模擬量輸出/輸入模塊3WL12203FB664GA4ZK07R21T40

    分配到兩個不同功率的電爐上。由上文可知，兩組模塊兩端的溫差不同，導(dǎo)致兩組模塊的輸出電壓也不同，相應(yīng)的輸出功率也有區(qū)別。實(shí)驗(yàn)中測量了4個3π模塊組件中2個3π模塊的功率。這兩個3π模塊處于不同的電爐上，兩端有不同的溫差。有圖中可以看到，模塊兩端溫差越大，輸出功率越大。當(dāng)處于2kW爐子上的一個3π模塊兩端溫差在550℃時，輸出功率可以在40mW左右。處于1kW爐子上的一個3π模塊兩端溫差在450℃時，輸出功率也在25mW左右。由此可以估算，處于兩個加熱爐上的4個3π模塊組件總共的功率輸出在130mW左右。表1：不同氧化物熱電材料制備發(fā)電模塊的數(shù)據(jù)對比表1所示為不同氧化物熱電材料制備的發(fā)電模塊的數(shù)據(jù)對比。由表中數(shù)據(jù)可以看出，本發(fā)明通過摻雜改性的CaMnO3和Ca3Co4O9基氧化物構(gòu)建熱電發(fā)電模塊，可以在較高的溫度下使用，能夠在模塊兩端實(shí)現(xiàn)較大的溫差。并且與其他現(xiàn)有技術(shù)相比，在相近的工作溫度下，本發(fā)明可以通過使用較少的π型模塊，實(shí)現(xiàn)較大的功率輸出。其中，所提到的對比試驗(yàn)的現(xiàn)有技術(shù)分別為：從測試結(jié)果上看，本發(fā)明用氧化物組件取代傳統(tǒng)合金組件，具有耐高溫、可應(yīng)用于大溫差、不易氧化、高溫性能穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)。金華西門子模擬量輸出/輸入模塊這樣它就會需要一些具有特殊功能模塊。。

PLC模擬量輸模塊 輸具體值、數(shù)字量 像數(shù)字量模塊輸電信號？輸出的是外部設(shè)備可以接收的模擬量（電壓或電流）。PLC模擬量模塊又分為模擬量輸入模塊與模擬量輸出模塊。（Ⅰ）PLC模擬量輸入模塊模擬量輸入模塊又稱A/D模塊，將現(xiàn)場由傳感器檢測而產(chǎn)生的連續(xù)的模擬量信號轉(zhuǎn)換成PLC的CPU可以接收的數(shù)字量，一般多為12位二進(jìn)制數(shù)，數(shù)字量位數(shù)越多的模塊，分辨率就越高。（Ⅱ）PLC模擬量輸出模塊模擬量輸出模塊又稱為D/A模塊，把PLC的CPU送往模擬量輸出模塊的數(shù)字量轉(zhuǎn)換成外部設(shè)備可以接收的模擬量（電壓或電流）。模擬量輸出模塊所接收的數(shù)字信號一般多為12位二進(jìn)制數(shù)，數(shù)字量位數(shù)越多的模塊，分辨率就越高。

    自動降溫至室溫，模塊燒結(jié)固化完成?；谏鲜瞿K，可以構(gòu)造能夠提供較大發(fā)電量的熱電發(fā)電系統(tǒng)。將若干個熱電π模塊以串聯(lián)的形式釬焊連接到一塊導(dǎo)熱板上。在熱電模塊串聯(lián)電路中，若有一處不能良好連接，勢必影響整個串聯(lián)電路的正常工作。為避免這一問題，方便將連接不佳的部位找出并替換，本實(shí)施例中采用先制作3個π模塊串聯(lián)的組件，然后再由若干個3π模塊組件串聯(lián)。如此若整個串聯(lián)電路中有導(dǎo)電不良的位置，只替換該3π模塊組件即可，不必破壞整個釬焊連接電路。3π模塊組件的制備方法如下：4-1：在上下兩塊氧化鋁導(dǎo)熱板上如圖6所示畫出需要涂抹銀漿的部分，上方圓形、方形陰影面積部分與下方圓形、方形陰影面積部分分別對應(yīng)重疊；4-2：將若干金屬絲網(wǎng)(本發(fā)明中使用銅網(wǎng))剪成與步驟4-1中涂抹銀漿面積相同的形狀備用；4-3：將銀漿均勻涂抹在步驟4-1畫出的區(qū)域中；4-4：將裁剪成對應(yīng)形狀的金屬絲網(wǎng)放置在步驟4-3中涂抹的區(qū)域上，在金屬絲網(wǎng)上再涂抹一層銀漿；4-5：將三個圓柱形N型氧化物和三個長方形P型氧化物組件一端置于涂抹銀漿后的金屬絲網(wǎng)區(qū)域上，另一端覆蓋第二片布置好銀漿和金屬絲網(wǎng)的氧化鋁導(dǎo)熱片。要按照步驟4-1中的對應(yīng)位置放好，壓實(shí)。一般的都有220VAC, 24VDC等信號。

    145a、145b：第二開口；146：反射片；h1：柱體的長度；h2：彎折部的長度；t1：遮光片的厚度；t2：導(dǎo)光板的厚度；g：間隙；w11、w12、w21、w222：口徑。具體實(shí)施方式現(xiàn)將詳細(xì)地參考本發(fā)明的示范性實(shí)施例，示范性實(shí)施例的實(shí)例說明于附圖中。只要有可能，相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。圖1為本發(fā)明的一實(shí)施例的一種鍵盤模塊的俯視示意圖。圖2a為圖1的鍵盤模塊的局部剖面分解示意圖。圖2b為圖2a的鍵盤模塊的局部剖面示意圖。圖2c為圖2a的鍵盤模塊的底板的立體示意圖。為了方便說明起見，圖1中示意地繪示一個未彎折的組裝部，而圖2a與圖2b中省略繪示框體與底板之間的薄膜電路板。請先同時參考圖1、圖2a以及圖2b，本實(shí)施例的鍵盤模塊100a包括多個按鍵110、框架120、底板130a以及背光組件140a?？蚣?20具有按鍵區(qū)121，而按鍵110的頂面112暴露于框架120的按鍵區(qū)121，其中框架120包括柱體124(圖2a中示意地繪示一個柱體124)。底板130a配置于框架120的下方，其中底板130a包括彎折部132a(圖2a中示意地繪示一個彎折部132a)。背光組件140a配置于底板130a的下方，且依序包括遮光片142a、導(dǎo)光板144以及反射片146。遮光片142a具有開口143a。電壓或者電流信號 ，一般是變送器傳過來的信號。金華西門子模擬量輸出/輸入模塊

把PLC的CPU送往模擬量輸出模塊的數(shù)字量轉(zhuǎn)換成外部設(shè)備可以接收的模擬量(電壓或電流)。舟山**模擬量輸出/輸入模塊3WL12203FB664GA4ZK07R21T40

    本實(shí)施例的鍵盤模塊100c與圖2b的鍵盤模塊100a相似，兩者的差異在于：本實(shí)施例的柱體124’的延伸部124b’向?qū)Ч獍?44’延伸而位于導(dǎo)光板144’與反射片146之間。也就是說，本實(shí)施例的延伸部124b’除了位于彎折部132a與反射片146之間以外，更延伸超過彎折部132a而位于導(dǎo)光板144’與反射片146之間。綜上所述，在本發(fā)明的鍵盤模塊的設(shè)計(jì)中，背光組件具有暴露出部分反射片的開口，而框架的柱體穿過底板的彎折部而位于開口內(nèi)，且柱體的底面抵接至反射片。藉此，背光組件所發(fā)出的光可被柱體及彎折部所遮擋，可避免從底板與背光組件之間的縫隙漏光。此外，本實(shí)施例的背光組件沒有穿孔結(jié)構(gòu)，因此從鍵盤模塊的背面完全看不到光線，可達(dá)到遮光的效果。應(yīng)說明的是：以上各實(shí)施例用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對其限制；盡管參照前述各實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：其依然可以對前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對其中部分或者全部技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的范圍。舟山**模擬量輸出/輸入模塊3WL12203FB664GA4ZK07R21T40