碳化硅襯底材料是新的一代半導(dǎo)體材料，其應(yīng)用領(lǐng)域具有較強(qiáng)的戰(zhàn)略意義。中國正逐步成長為全球?qū)捊麕О雽?dǎo)體材料生產(chǎn)的主要競爭市場之一。碳化硅襯底短期內(nèi)依然會面臨制備難度大、成本高昂的挑戰(zhàn)，目前碳化硅功率器件的價(jià)格仍數(shù)倍于硅基器件，下游應(yīng)用領(lǐng)域仍需平衡碳化硅器件的高價(jià)格與因碳化硅器件的優(yōu)越性能帶來的綜合成本下降之間的關(guān)系。碳化硅半導(dǎo)體主要應(yīng)用于以5G通信、**、航空航天為的射頻領(lǐng)域和以新能源汽車、“新基建”為的電力電子領(lǐng)域，在民用、領(lǐng)域均具有明確且可觀的市場前景作者：見微數(shù)據(jù)鏈接：源：雪球著作權(quán)歸作者所有。商業(yè)轉(zhuǎn)載請聯(lián)系作者獲得授權(quán)，非商業(yè)轉(zhuǎn)載請注明出處。風(fēng)險(xiǎn)提示：本文所提到的觀點(diǎn)只個(gè)人的意見，所涉及標(biāo)的不作推薦，據(jù)此買賣，風(fēng)險(xiǎn)自負(fù)。 SiC襯底吸收380納米以下的紫外光，不適合用來研發(fā)380納米以下的紫外LED。江蘇進(jìn)口半絕緣碳化硅襯底

碳化硅（SIC）是半導(dǎo)體界公認(rèn)的“一種未來的材料”，是新世紀(jì)有廣闊發(fā)展?jié)摿Φ男滦桶雽?dǎo)體材料。預(yù)計(jì)在今后5～10年將會快速發(fā)展和有***成果出現(xiàn)。促使碳化硅發(fā)展的主要因素是硅（SI）材料的負(fù)載量已到達(dá)極限，以硅作為基片的半導(dǎo)體器件性能和能力極限已無可突破的空間。根據(jù)數(shù)據(jù)顯示，碳化硅(SiC)電力電子市場是具體而實(shí)在，且發(fā)展前景良好。這種趨勢非但不會改變，碳化硅行業(yè)還會進(jìn)一步向前發(fā)展。用戶正在嘗試碳化硅技術(shù)，以應(yīng)用于具體且具有發(fā)展前景的項(xiàng)目。蘇州進(jìn)口6寸半絕緣碳化硅襯底哪家公司的碳化硅襯底的口碑比較好？

SiC產(chǎn)業(yè)鏈包括上游的襯底和外延環(huán)節(jié)、中游的器件和模塊制造環(huán)節(jié)，以及下游的應(yīng)用環(huán)節(jié)。其中襯底的制造是產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)壁壘比較高、價(jià)值量比較大環(huán)節(jié)，是未來SiC大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)的。1)襯底：價(jià)值量占比46%，為的環(huán)節(jié)。由SiC粉經(jīng)過長晶、加工、切割、研磨、拋光、清洗環(huán)節(jié)終形成襯底。其中SiC晶體的生長為工藝，難點(diǎn)在提升良率。類型可分為導(dǎo)電型、和半絕緣型襯底，分別用于功率和射頻器件領(lǐng)域。外延：價(jià)值量占比 23%。本質(zhì)是在襯底上面再覆蓋一層薄膜以滿足器件生產(chǎn)的條件。 具體分為：導(dǎo)電型 SiC 襯底用于 SiC 外延，進(jìn)而生產(chǎn)功率器件用于電動(dòng)汽車以及新 能源等領(lǐng)域。半絕緣型 SiC 襯底用于氮化鎵外延，進(jìn)而生產(chǎn)射頻器件用于 5G 通信等 領(lǐng)域。

現(xiàn)在，SiC材料正在大舉進(jìn)入功率半導(dǎo)體領(lǐng)域。一些**的半導(dǎo)體器件廠商，如羅姆（ROHM）株式會社、英飛凌科技公司、Cree、飛兆國際電子有限公司等都在開發(fā)自己的SiC功率器件。英飛凌科技公司在今年推出了第5代SiC肖特基勢壘二極管，它結(jié)合了第3代產(chǎn)品的低容性電荷（Qc）特性與第2代產(chǎn)品中的低正向電壓（Vf）特性，使PFC電路達(dá)到**高效率水平，擊穿電壓則達(dá)到了650V。飛兆半導(dǎo)體發(fā)布了SiCBJT，實(shí)現(xiàn)了1200V的耐壓，傳導(dǎo)和開關(guān)損耗相對于傳統(tǒng)的Si器件降低了30%～50%，從而能夠在相同尺寸的系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)高達(dá)40%的輸出功率提升。ROHM公司則推出了1200V的第2代SiC制MOSFET產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)了SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝，與Si-IGBT相比，工作損耗降低了70%，并可達(dá)到50kHz以上的開關(guān)頻率。值得一提的是，IGBT的驅(qū)動(dòng)比較復(fù)雜，如果使用SiC基的MOSFET，則能使系統(tǒng)開發(fā)的難度大為降低。SiC的市場頗為看好，根據(jù)預(yù)測，到2022年，市場規(guī)模將達(dá)到40億美元，年平均復(fù)合增長率可達(dá)到45%碳化硅襯底的的整體大概費(fèi)用是多少？

相同規(guī)格的碳化硅基MOSFET與硅基MOSFET相比，其尺寸可大幅減小至原來的1/10，導(dǎo)通電阻可至少降低至原來的1/100。相同規(guī)格的碳化硅基MOSFET較硅基IGBT的總能量損耗可降低70%。碳化硅功率器件具有高電壓、大電流、高溫、高頻率、低損耗等獨(dú)特優(yōu)勢，將極大提高現(xiàn)有使用硅基功率器件的能源轉(zhuǎn)換效率，未來將主要應(yīng)用領(lǐng)域有電動(dòng)汽車/充電樁、光伏新能源、軌道交通、智能電網(wǎng)等。市場空間：據(jù) Yole 統(tǒng)計(jì)，2020 年 SiC 碳化硅功率器件市場規(guī)模約 7.1 億美元，預(yù)計(jì) 2026 年將增長至 45 億美元，2020-2026 年 CAGR 近 36%。其中，新能源汽車是 SiC 功率器件下游重要的應(yīng)用市場,預(yù)計(jì)需求于 2023 年開始快速爆發(fā)。目前商用碳化硅外延設(shè)備生長速率一般為每小時(shí)10μm，且不能持續(xù)生長。四川6寸n型碳化硅襯底

功率半導(dǎo)體器件是實(shí)現(xiàn)電力控制的關(guān)鍵，與Si相比，碳化硅半導(dǎo)體非常適合制作功率器件。江蘇進(jìn)口半絕緣碳化硅襯底

為了推動(dòng)陶瓷研磨球，碳化硅，陶瓷精加工，拋光液開發(fā)和產(chǎn)品升級，搶占世界陶瓷研磨球，碳化硅，陶瓷精加工，拋光液發(fā)展的制高點(diǎn)，必須對產(chǎn)品多功能化給予高度的重視。陶瓷研磨球，碳化硅，陶瓷精加工，拋光液的發(fā)展方向是節(jié)能環(huán)保、高性能和功能化。這也要求工業(yè)朝向水性化、無溶劑化或高固體化、粉末化、高性能化及多功能化、低表面處理化、無重金屬化等低污染、沒有公害的方向發(fā)展。中國化工產(chǎn)業(yè)飛速增長，總產(chǎn)值從2012年的約3萬億元增長至2015年的約4.5萬億元。2017年節(jié)能環(huán)保產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值5.8萬億，2018年突破7萬億元。隨著貿(mào)易型等政策法規(guī)的不斷加碼，我國化工產(chǎn)業(yè)市場空間未來還將持續(xù)擴(kuò)大。保守預(yù)計(jì)，2020年節(jié)能化工產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值有望突破8萬億元。銷售主要是無定型的粉劑、液體和膏狀產(chǎn)品。從市場地域上來看，中國是世界上極大的建筑化學(xué)品市場，其次是西歐和北美，這三大市場占全球總市場的70%。江蘇進(jìn)口半絕緣碳化硅襯底

蘇州豪麥瑞材料科技有限公司位于蘇州市工業(yè)園區(qū)唯華路3號君地商務(wù)廣場5棟602室，交通便利，環(huán)境優(yōu)美，是一家貿(mào)易型企業(yè)。公司致力于為客戶提供安全、質(zhì)量有保證的良好產(chǎn)品及服務(wù)，是一家私營有限責(zé)任公司企業(yè)。公司始終堅(jiān)持客戶需求優(yōu)先的原則，致力于提供高質(zhì)量的陶瓷研磨球，碳化硅，陶瓷精加工，拋光液。豪麥瑞材料科技自成立以來，一直堅(jiān)持走正規(guī)化、專業(yè)化路線，得到了廣大客戶及社會各界的普遍認(rèn)可與大力支持。