碳化硅SiC的應用前景由于SiC具有上述眾多優(yōu)異的物理化學性質(zhì)，不僅能夠作為一種良好的高溫結構材料，也是一種理想的高溫半導體材料。近20年，伴隨薄膜制備技術的高速發(fā)展，SiC薄膜已經(jīng)被***應用于保護涂層、光致發(fā)光、場效應晶體管、薄膜發(fā)光二極管以及非晶Si太陽能電池的窗口材料等。另外，作為結構材料的SiC薄膜還被認為是核聚變堆中比較好的防護材料，在不銹鋼基體上沉積一層SiC薄膜，可以**地降低氚的滲透率，并保持聚變反應的穩(wěn)定性?？偨Y起來，SiC具有以下幾個方面的應用：(1)高的硬度與熱穩(wěn)定性，可用于***涂層；(2)穩(wěn)定的結構，在核反應技術中用作核聚變堆等離子體的面對材料：(3)大的禁帶寬度，可作為光的短波長區(qū)域發(fā)光材料。例如，3C-SiC的Eg=2.2eV，6H-SiC的Eg=2.9eV可分別用作綠色、藍色LED材料，目前SiC藍光LED已經(jīng)商品化；(4)高的熱導率，可作為超大規(guī)模集成電路和特大規(guī)模集成電路的熱沉材料，**提高了電路的集成度；(5)優(yōu)異的電學性能，在功率器件、微波器件、高溫器件和抗輻射器件方面也具有***的應用前景。采用碳化硅作襯底的LED器件亮度更高、能耗更低、壽命更長、單位芯片面積更小。深圳碳化硅襯底進口6寸n型

碳化硅襯底成本下降趨勢可期。在碳化硅器件成本結構中，襯底成本約占50%。碳化硅襯底較低的供應量和較高的價格一直是制約碳化硅基器件大規(guī)模應用的主要因素之一，碳化硅襯底需要在2500度高溫設備下進行生產(chǎn)，而硅晶只需1500度；碳化硅晶圓約需要7至10天，而硅晶棒只需要2天半；目前碳化硅晶圓主要是4英寸與6英寸，而用于功率器件的硅晶圓以8英寸為主，這意味著碳化硅單晶片所產(chǎn)芯片數(shù)量較少、碳化硅芯片制造成本較高,目前碳化硅功率器件的價格仍數(shù)倍于硅基器件，下游應用領域仍需平衡碳化硅器件的高價格與碳化硅器件優(yōu)越性能帶來的綜合成本下降間的關系。深圳碳化硅襯底進口6寸n型碳化硅由于其獨特的物理及電子特性，在一些應用上成為短波長光電元件，高溫，抗幅射以及高頻大功率元件。

    以碳化硅為的第三代半導體材料，被譽為繼硅材料之后有前景的半導體材料之一，與硅材料相比，以碳化硅晶片為襯造的半導體器件具備高功率、耐高壓/高溫、高頻、低能耗、抗輻射能力強等優(yōu)點，可廣泛應用于半導體功率器件和5G通訊等領域。按照襯底電學性能的不同，碳化硅襯底可分為兩類：一類是具有高電阻率（電阻率≥105Ω·cm）的半絕緣型碳化硅襯底，另一類是低電阻率（電阻率區(qū)間為15~30mΩ·cm）的導電型碳化硅襯底。半絕緣型碳化硅襯底主要應用于制造氮化鎵射頻器件，導電型碳化硅襯底主要應用于制造功率器件。與硅片一樣，碳化硅襯底的尺寸主要有2英寸（50mm）、3英寸（75mm）、4英寸（100mm）、6英寸（150mm）、8英寸（200mm）等規(guī)格，正在不斷向大尺寸的方向發(fā)展。

從 80 年代末起，SiC 材料與器件的飛速發(fā)展。由于 SiC 材料種類很多，性質(zhì)各異，它的應用范圍十分***。  在大功率器件方面，利用 SiC 材料可以制作的器件，其電流特性、電壓特性、和高頻特性等具有比 Si材料更好的性質(zhì)。  在高頻器件方面，SiC 高頻器件輸出功率更高，且耐高溫和耐輻射輻射特性更好，可用于通信電子系統(tǒng)等。  在光電器件方面，利用 SiC 不影響紅外輻射的性質(zhì)，可將其用在紫外探測器上，在 350℃的溫度檢測紅外背景下的紫外信號，功率利用率 80%左右。  在耐輻射方面，一些 SiC 器件輻射環(huán)境惡劣的條件下使用如核反應堆中應用。 高溫應用方面，利用 SiC 材料制備的器件工作溫度相當?shù)馗?，?SiC MOSFET和 SiC 肖特基二極管可在 900k 下工作。  從世界范圍來看，高功率器件是有可能實現(xiàn)的，應用潛力也比較大，如圖 1.2所示。SiC 作為二元化合物半導體，屬于Ⅳ族元素中***的固態(tài)化合物。它 Si-C 健的能量很穩(wěn)定，這也是 SiC 在各種極端環(huán)境下仍能穩(wěn)定的原因。SiC 的原子化學能高達 1250KJ/mol；德拜溫度達到 1200-1430K，摩爾硬度達到 9 級，比金剛石摩爾硬度低些；導熱性良好，達 5W/cm.K,比其他半導體材料好很多。現(xiàn)在，SiC材料正在大舉進入功率半導體領域。

從襯底的下游晶圓與器件來看，大量生產(chǎn)廠家仍然位于日本、歐洲與美國；但國內(nèi)生產(chǎn)廠家在襯底領域已經(jīng)擁有了一定的市場份額。根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，在2020年半絕緣型碳化硅襯底市場中，貳陸公司（II-IV）、科銳公司（Cree）以及天岳先進依次占據(jù)甲的位置，市場份額分別為35%、33%和30%，市場高度集中。從資金來看，國內(nèi)第三代半導體投資力度高企，力爭追趕國際廠商。根據(jù)CASA披露的數(shù)據(jù)顯示，2018年至今，國內(nèi)廠商始終加強布局第三代半導體產(chǎn)業(yè)，2020年共有24筆投資擴產(chǎn)項目，增產(chǎn)投資金額超過694億元，其中碳化硅領域共17筆、投資550億元。Cree現(xiàn)在供應的主流襯底片主要是4英寸和6英寸大尺寸晶片。進口6寸半絕緣碳化硅襯底外延加工

SiC作為襯底材料應用的***程度僅次于藍寶石，目前還沒有第三種襯底用于GaNLED的商業(yè)化生產(chǎn)。深圳碳化硅襯底進口6寸n型

國外化工企業(yè)在發(fā)展過程中也經(jīng)歷了被社會“誤解”的過程，但通過長期堅持安全環(huán)保標準和公開透明的溝通機制，**終取得了全社會的信任。我國化工產(chǎn)業(yè)轉型升級，要重視通過環(huán)保標準和法律法規(guī)引導企業(yè)減量、達標排放，實現(xiàn)綠色發(fā)展。世界各國對環(huán)境保護和綠色發(fā)展的重視程度日益提升，出臺了很多環(huán)境方面的政策、法規(guī)，同時環(huán)境執(zhí)法力度也在逐步提高，化工私營有限責任公司企業(yè)需要積極探索綠色低碳、安全環(huán)保的技術，加強與信息化技術融合，盡可能地發(fā)展環(huán)保型產(chǎn)品，實現(xiàn)清潔生產(chǎn)，并在節(jié)約能源和資源方面，采用工藝技術，降低原材料消耗；配備廢水、廢氣、廢固處理設備，極大限度地降低三廢排放量，增加節(jié)水措施，提高水的重復利用率等?？梢哉f，“綠色化工”已經(jīng)成為行業(yè)發(fā)展潮流。陶瓷研磨球，碳化硅，陶瓷精加工，拋光液應用于國民經(jīng)濟和****的眾多領域中，成為我國化工體系中市場需求增長**快的領域之一，近年來很多產(chǎn)品的消費量年均增長都在10%以上。貿(mào)易型的優(yōu)化有力地拉動了化工產(chǎn)業(yè)的市場需求，產(chǎn)業(yè)總體規(guī)模迅速擴大，領域不斷拓展、結構逐步調(diào)整、整體水平有較大提升，運行質(zhì)量和效益進一步提高。深圳碳化硅襯底進口6寸n型

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