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鄭州碳化硅襯底6寸

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2022-05-27

隨著電力電子變換系統(tǒng)對(duì)于效率和體積提出更高的要求,SiC(碳化硅)將會(huì)是越來(lái)越合適的半導(dǎo)體器件。尤其針對(duì)光伏逆變器和UPS應(yīng)用,SiC器件是實(shí)現(xiàn)其高功率密度的一種非常有效的手段。由于SiC相對(duì)于Si的一些獨(dú)特性,對(duì)于SiC技術(shù)的研究,可以追溯到上世界70年代。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),SiC主要在以下3個(gè)方面具有明顯的優(yōu)勢(shì):擊穿電壓強(qiáng)度高(10倍于Si)更寬的能帶隙(3倍于Si)熱導(dǎo)率高(3倍于Si)這些特性使得SiC器件更適合應(yīng)用在高功率密度、高開(kāi)關(guān)頻率的場(chǎng)合。當(dāng)然,這些特性也使得大規(guī)模生產(chǎn)面臨一些障礙,直到2000年初單晶SiC晶片出現(xiàn)才開(kāi)始逐步量產(chǎn)。目前標(biāo)準(zhǔn)的是4英寸晶片,但是接下來(lái)6英寸晶片也要誕生,這會(huì)導(dǎo)致成本有顯著的下降。而相比之下,當(dāng)今12英寸的Si晶片已經(jīng)很普遍,如果預(yù)測(cè)沒(méi)有問(wèn)題的話(huà),接下來(lái)4到5年的時(shí)間18英寸的Si晶片也會(huì)出現(xiàn)。Cree在SiC襯**備方面具有業(yè)內(nèi)**地位,它的產(chǎn)品是業(yè)界的風(fēng)向標(biāo),**了需求的發(fā)展方向。鄭州碳化硅襯底6寸

不同的SiC多型體在半導(dǎo)體特性方面表現(xiàn)出各自的特性。利用SiC的這一特點(diǎn)可以制作SiC不同多型體間晶格完全匹配的異質(zhì)復(fù)合結(jié)構(gòu)和超晶格,從而獲得性能較好的器件.其中6H-SiC結(jié)構(gòu)**為穩(wěn)定,適用于制造光電子器件:p-SiC比6H-SiC活潑,其電子遷移率比較高,飽和電子漂移速度**快,擊穿電場(chǎng)**強(qiáng),較適宜于制造高溫、大功率、高頻器件,及其它薄膜材料(如A1N、GaN、金剛石等)的襯底和X射線(xiàn)的掩膜等。而且,β-SiC薄膜能在同屬立方晶系的Si襯底上生長(zhǎng),而Si襯底由于其面積大、質(zhì)量高、價(jià)格低,可與Si的平面工藝相兼容,所以后續(xù)PECVD制備的SiC薄膜主要是β-SiC薄膜[2]。遼寧碳化硅襯底6寸在碳化硅襯底上外延生長(zhǎng)石墨烯,可望制造高性能的石墨烯集成電路。

    為何半絕緣型與導(dǎo)電型碳化硅襯底技術(shù)壁壘都比較高?PVT方法中SiC粉料純度對(duì)晶片質(zhì)量具有較大影響。粉料中一般含有極微量的氮(N),硼(B)、鋁(Al)、鐵(Fe)等雜質(zhì),其中氮是n型摻雜劑,在碳化硅中產(chǎn)生游離的電子,硼、鋁是p型摻雜劑,產(chǎn)生游離的空穴。為了制備n型導(dǎo)電碳化硅晶片,在生長(zhǎng)時(shí)需要通入氮?dú)?,讓它產(chǎn)生的一部分電子中和掉硼、鋁產(chǎn)生的空穴(即補(bǔ)償),另外的游離電子使碳化硅表現(xiàn)為n型導(dǎo)電。為了制備高阻不導(dǎo)電的碳化硅(半絕緣型),在生長(zhǎng)時(shí)需要加入釩(V)雜質(zhì),釩既可以產(chǎn)生電子,也可以產(chǎn)生空穴,讓它產(chǎn)生的電子中和掉硼、鋁產(chǎn)生的空穴(即補(bǔ)償),它產(chǎn)生的空穴中和掉氮產(chǎn)生的電子,所以所生長(zhǎng)的碳化硅幾乎沒(méi)有游離的電子、空穴,形成高阻不導(dǎo)電的晶片(半絕緣型)。摻釩工藝復(fù)雜,所以半絕緣碳化硅很難制備,成本很高。近年來(lái)也出現(xiàn)了通過(guò)點(diǎn)缺陷來(lái)實(shí)現(xiàn)高阻半絕緣碳化硅的方法。p型導(dǎo)電碳化硅也不容易制備,特別是低阻的p型碳化硅更不容易制備。

設(shè)備制造商之間的一場(chǎng)大戰(zhàn)正在牽引逆變器領(lǐng)域展開(kāi),尤其是純電池電動(dòng)汽車(chē)。一般來(lái)說(shuō),混合動(dòng)力車(chē)正朝著48伏電池的方向發(fā)展。對(duì)于動(dòng)力發(fā)明家來(lái)說(shuō),SiC對(duì)于混合動(dòng)力車(chē)來(lái)說(shuō)通常太貴了,盡管有例外。與混合動(dòng)力一樣,純電池電動(dòng)汽車(chē)由牽引逆變器組成。高壓母線(xiàn)將逆變器連接到蓄電池和電機(jī)。電池為汽車(chē)提供能量。驅(qū)動(dòng)車(chē)輛的電機(jī)有三個(gè)接頭或電線(xiàn)。這三個(gè)連接延伸至牽引逆變器,然后連接至逆變器模塊內(nèi)的六個(gè)開(kāi)關(guān)。每個(gè)開(kāi)關(guān)實(shí)際上都是一個(gè)功率半導(dǎo)體,在系統(tǒng)中用作電開(kāi)關(guān)。對(duì)于開(kāi)關(guān),現(xiàn)有的技術(shù)是IGBT。因此,牽引逆變器可能由六個(gè)額定電壓為1200伏的IGBT組成。SiC具有高溫強(qiáng)度大、抗氧化性強(qiáng)、耐磨損性好、熱穩(wěn)定性佳、熱膨脹系數(shù)小、熱導(dǎo)率大、硬度高以及抗熱震。

相同規(guī)格的碳化硅基MOSFET與硅基MOSFET相比,其尺寸可大幅減小至原來(lái)的1/10,導(dǎo)通電阻可至少降低至原來(lái)的1/100。相同規(guī)格的碳化硅基MOSFET較硅基IGBT的總能量損耗可降低70%。碳化硅功率器件具有高電壓、大電流、高溫、高頻率、低損耗等獨(dú)特優(yōu)勢(shì),將極大提高現(xiàn)有使用硅基功率器件的能源轉(zhuǎn)換效率,未來(lái)將主要應(yīng)用領(lǐng)域有電動(dòng)汽車(chē)/充電樁、光伏新能源、軌道交通、智能電網(wǎng)等。市場(chǎng)空間:據(jù) Yole 統(tǒng)計(jì),2020 年 SiC 碳化硅功率器件市場(chǎng)規(guī)模約 7.1 億美元,預(yù)計(jì) 2026 年將增長(zhǎng)至 45 億美元,2020-2026 年 CAGR 近 36%。其中,新能源汽車(chē)是 SiC 功率器件下游重要的應(yīng)用市場(chǎng),預(yù)計(jì)需求于 2023 年開(kāi)始快速爆發(fā)。SiC單晶生長(zhǎng)經(jīng)歷了3個(gè)階段,即Acheson法、Lely法、改良Lely法。浙江碳化硅襯底進(jìn)口sic

SiC材料具有良好的電學(xué)特性和力學(xué)特性,是一種非常理想的可適應(yīng)諸多惡劣環(huán)境的半導(dǎo)體材料。鄭州碳化硅襯底6寸

半導(dǎo)體材料是碳化硅相當(dāng)有前景的應(yīng)用領(lǐng)域之一,碳化硅是目前發(fā)展成熟的第三代半導(dǎo)體材料。隨著生產(chǎn)成本的降低,SiC半導(dǎo)體正在逐步取代一、二代半導(dǎo)體。碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈主要包括碳化硅高純粉料、單晶襯底、外延片、功率器件、模塊封裝和終端應(yīng)用等環(huán)節(jié)。在第三代半導(dǎo)體應(yīng)用中,碳化硅半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)在于可與氮化鎵半導(dǎo)體互補(bǔ),氮化鎵半導(dǎo)體材料的市場(chǎng)應(yīng)用領(lǐng)域集中在1000V以下,偏向中低電壓范圍,目前商業(yè)碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)品電壓等級(jí)為600~1700V。由于SiC器件高轉(zhuǎn)換效率、低發(fā)熱特性和輕量化等優(yōu)勢(shì),下業(yè)需求持續(xù)增加,有取代SiO2器件的趨勢(shì)。鄭州碳化硅襯底6寸

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